‘Elektroteknik’ Kategorisi için Arşiv

Yüksek Gerilim Hatları Neden Vızıldar?

Salı, 06 Kasım 2007

Yüksek Gerilim Hatları Neden Vızıldar? Yüksek gerilim taşıyan elektrik telleri devamlı bir vızıldama sesi çıkarırlar. Bunun sebebi nedir sizce? Pekala söylüyorum: Bunun sebebi sadece manyetik kuvvettir başka bir şey değil. Şimdi diyebilirsiniz ki "-Kim koydu mıknatısı direğe?!". Ben de derim ki sadece mıknatıs manyetik kuvvet üretmez; üzerinden akım geçen herhangi bir tel de manyetik alan oluşturabilir… Bu meseleyi açıklamak için sadece üstte belirtilen olay yetmez; bunun yanında bir kaç kanununu da açıklamak gerek girizgah olarak: 1- Bir telden elektrik akımı geçerse bu tel etrafında dairesel bir manyetik alan oluşturur. 2- Üstünden elektrik akımı geçen bir tel bir manyetik alana maruz bırakılırsa tele manyetik bir kuvvet etki eder. 3- Yüksek gerilim hatları 20-30,000 Volt arası bir enerji taşıyabilir. 4- Şehir şebekelerimizde kullandığımız akım alternatif yani değişken akımdır. 5- Bir cismin üstüne değişken bir kuvvet etki ediyorsa o cisim salınım yapar. İşte bu beş fiziksel gerçek birleşip Voltran’ı oluşturarak (benim çocukluğumun favori çizgi filmi idi. 5 robot aslan birleşip büyük bir robot oluşturuyordu!. Oradan kinaye işte…) meseleyi açıklamamız için gerekli fiziksel background’u sağlayacaklar. Yüksek gerilim hatları bildiğiniz gibi üstünden akım geçen 2 telden oluşur(şekilde de görüldüğü gibi). İşte bu teller birbirlerinin üstünde manyetik alan oluştururlar (1. kanun). 2. Kanuna göre de bu manyetik alanlar tellere manyetik bir kuvvetin etki etmesine sebep olur. Geçen akım alternatif yani değişken olduğundan (4. kanun) bu kuvvet de akımla beraber devamlı değişir. 5. Kanunumuza göre de bu değişken kuvvet tellerin bir salınım yapmasına sebep olur. İşte bizim duyduğumuz vızıltı tellerin salınımından gelen vızıltıdır. Peki şehir içindeki elektrik telleri niye böyle vızıldamaz derseniz, o zaman 3. kanun işin içine girer. Şehirdeki hatlarda 220 veya 380 volt’luk bir enerji vardır. Tabii bu yüzden oluşan kuvvet azdır ve teli sallamaya yetmez. Bu yüzden de bu vızıltı sesi şehir içindeki kablolardan duyulmaz.

Pamukkale Üniversitesi

Salı, 06 Kasım 2007

PAMUKKALE ÜNİVERSİTESİ

MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

DERS : MİKROİŞLEMCİLER ( PROJE-2 )

KONU : Z - 80

HAZIRLAYAN : Turgay ERDOĞAN

97227034 Elektrik-Elektronik mühendisliği

4. Sınıf ( N.Ö )

KONTROL EDEN : Yrd. Doç. Dr. Ahmet ÖZEK

ZİLOG

Z80 – CPU

Transistörün icadından sonra, yarıiletken teknolojisinin ilerlemesiyle, tek çip üzerine çok fazla sayıda transistör yerleştirilmesine imkan tanıyan, LSI, VLSI, SLSI teknikleri ile bir çip üzerine yüz binlerce transistör yerleştirmek mümkün olmuştur.

Amerikan İntel şirketi tarafından geliştirilen, İntel 4004, öncelikle hesap makinelerinde kullanılmış olan, ilk 4-bitlik programlanabilir yarıiletken elemandır. Daha sonra, aynı şirket, 8-bitlik mikroişlemci olan İntel 8008’i geliştirdi. 1970’lerin ortalarına gelindiğinde ise yine İntel şirketi 8080 mikroişlemcisini geliştirdi ve 8080’i CPU olarak kullanan ilk küçük bilgisayarlar ortaya çıktı ve bu yapılara mikrobilgisayar ismi verildi. Takip eden birkaç yıl içinde, 8-bitlik veri yoluna sahip, Motorola 6800, Zilog Z-80 ve İntel 8085 mikroişlemcileri geliştirildi. Daha sonraki yıllarda, gelişen yarıiletken teknolojisi sayesinde, 16-bit, 32-bit ve 64-bitlik veri yollarına sahip, bellek kapasitesi daha geniş olan ve çok daha yüksek hızlarda çalışabilen mikroişlemciler geliştirilmiştir.

Zilog Z-80 mikroişlemcisi 1970 yılında Zilog firmasının ürettiği, 8-bitlik veri yoluna sahip bir mikroişlemcidir. Zilog Z80 üretim hattı, mikrobilgisayar parçaları, geliştirme sistemleri ve destekleme yazılımının olduğu tam bir settir. Z80 mikrobilgisayar parça seti yüksek performanslı mikrobilgisayar sistemlerini başka mantık elemanlarına gerek kalmadan ve en az sayıda ucuz ve standart bellek elemanları kullanarak imal etmek için gerekli bütün devreleri kapsamaktadır.

Z80 ve Z80A CPU’ları rakipsiz hesaplama gücüne sahip üçüncü nesil tek yongalı mikroişlemcilerdir. Hesaplama gücündeki artışlar ikinci nesil mikroişlemcilerle karşılaştırıldıklarında daha yüksek sistem performansına ve bellek kullanımının daha verimli olmasına yol açar. İlave olarak tek gerilim gereksinimlerinden dolayı ve bütün çıkış sinyalleri standart bellek veya çevrebirim devrelerini kontrol etmek için tamamen kodlanabildiği ve zamanlanabildiği için, Z80 ve Z80A CPU’ları sistemlerin içine kolaylıkla adapte edilebilir. Devre N-kanallı, iyon çoğaltılmış, silikon kapılı MOS süreci kullanarak gerçekleştirilmiştir ( Teknoloji : NMOS ).

ÖZELLİKLERİ ·Tek yonga, N-kanal silikon kapı CPU

·Veri sözcük uzunluğu : 8-bit

·Adres yolu uzunluğu : 16-bit

·Doğrudan adresleme aralığı : 65536 sözcük ( 1-bayt )

·Komut sözcük uzunluğu : 1’den 3 bayt’a kadar

·Temel komut sayısı : 158

·En kısa komut/süre ( kaydediciyi kaydediciye yükleme ) : 1ms

·En uzun komut/süre ( IX+d adresindeki biti kurma ) : 5.75 ms

·Saat frekansı ( min / max ) : 5 kHz / 4.5 MHz

·Saat fazı / gerilim salınımı : 1 / 5 V

·Özel G/Ç denetim hatları : 5

·Paket : 40-bacaklı DIP

·Güç gereksinimleri : 5V / 90 mA ( Z80A ) ; 5V / 60 mA ( Z80 )

·17 dahili kaydedici

·158 komut-tam yazılım uyumluluğu ( komutlar; dizinli, bit ve göreceli gibi daha faydalı adresleme modları ile 4, 8 ve 16-bitlik işlemleri içerir.)

·Hızlı kesme cevabının 3 modu ve bir maskelenemez kesme

·Hemen hemen hiç harici devre kullanmadan standart hızlı statik ve dinamik belleklerle doğrudan bağlanabilme

·Tek 5 V DC kaynak ve tek-fazlı 5 V saat

·4, 8 veya 16-bitlik işlemlerde diğer tek yonga mikroişlemcilerden daha iyidir.

·Bütün bacaklar TTL uyumlu

·İçinde dinamik RAM tazeleme devresi bulunmaktadır.

Osilatör devresi hariç bütün zamanlama üretimleri işlemci yongasının içerisindedir ve adres yolu öyle yapılmıştır ki dinamik RAM’ı tazelemek için gerekli olan tazeleme adresi, adres yolunun alt yarısında ortaya çıkar. En küçük sistem; işlemci, bir saat kaynağı ve bir bellekten oluşur.

Toplam 158 komutta, 21 adet 8-bitlik yükleme komutları, 20 adet 16-bitlik yükleme komutları, 14 adet değiş-tokuş, blok aktarma ve arama komutları, 17 adet 8-bitlik aritmetik ve mantık komutları, 11 adet 16-bitlik aritmetik ve mantık işlemleri, 12 adet genel amaçlı aritmetik komutları, 16 adet kaydırma ve döndürme işlevleri, 9 adet bit kurma, sıfırlama ve test komutları, 11 adet atlama komutları, 7 adet çağırma/dönüş komutları ve 12 adet G/Ç işlemleri bulunur.

Yazılım desteği, yeri değiştirilebilir kodlar üreten bir makro-çevirici, program modüllerini birbirine bağlayan ve mutlak adresli yükleme modülü üreten bir bağlayıcıyı ve PL/M, PL/Z ve Basic gibi bazı yüksek düzeyli dilleri kapsar. Ayrıca bir metin düzenleyici, bir dosya bakımı ve disket tabanlı program geliştirme sistemini destekleyen hata ayıklama altyordamı mevcuttur.

DONANIM

MODEL TANIMI Z80 MİB ( Ticari ) Z80 MİB ( Askeri ) Z80A 8-bit ticari Z80-PIO 2-Port Paralel G/Ç Z80A-PIO Yüksek hızlı versiyon Z80-CTC 4 adet sayıcı / zamanlayıcı Z80A-CTC Yüksek hızlı versiyon Z80-DMA İki port doğrudan bellek erişimi Z80A-DMA Yüksek hızlı versiyon Z80-SIO İki tam-dubleks seri G/Ç kanalları Z80A-SIO Yüksek hızlı versiyon MK3886 RAM / zamanlayıcı ve G/Ç ( Mostek )

Z80 için donanım desteği, devre-içi emülasyon kapasiteli geliştirme sistemi, gerçek zaman hata ayıklama ve program saklama modüllerini içerir. Sistem iki disk işletim sisteme sahiptir ve RAM’i 64 Kbayt’a kadar kullanmak ve terminal ile yazıcılara bazı arabirim seçenekleri sunmak için genişletilebilir.

Şekil, CPU nun bir blok diyagramıdır.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image002.gif[/IMG]

Şekil, programcının erişebileceği 208 bitlik okuma / yazma belleğini içeren dahili kaydedici yapısını göstermektedir.

ANA KAYDEDİCİ TAKIMI

YEDEK KAYDEDİCİ TAKIMI

AKÜMÜLATÖR A

BAYRAKLAR F

AKÜMÜLATÖR A’

BAYRAKLAR F’

GENEL

AMAÇLI

KAYDEDİCİLER

B

C B’ C’ D

E D’ E’ H

L H’ L’

KESME VEKTÖRÜ I

BELLEK TAZELEME R

ÖZEL AMAÇLI KAYDEDİCİLER IX İNDEKS KAYDEDİCİLERİ IY İNDEKS KAYDEDİCİLERİ SP YIĞIN İŞARETÇİSİ PC PROGRAM SAYICISI Z80 CPU, programcı tarafından erişilmesi mümkün olan 208-bitlik R / W bellek içerir. Bu bellek, 18 tane 8-bitlik kaydedici ve 4 tane 16-bitlik kaydedici halinde düzenlenmiştir. Bu kaydediciler, 8-bitlik kaydedici olarak tek başlarına ya da 16-bitlik kaydedici olarak çiftler halinde kullanılabilecek olan 6 adet genel amaçlı kaydediciden oluşan iki takımı ( ana ve yedek kaydedici takımları ) içerir. Programcı bir grup değiştirme deyimini kullanarak ana ya da yedek kaydediciler takımından birine erişebilir. Yedek kaydedici takım, işlemlerin ön plan / arka plan modunda yapılmasına izin verir ya da çok hızlı kesme cevabı için kullanılabilir.

Genel amaçlı saklayıcılar; 8-bitlik saklayıcı olarak tek başlarına ( A,B,C,D,E,H,L ) veya 16-bitlik saklayıcı olarak çiftler halinde ( BC, DE, HL ) kullanılır.

Her CPU, çok seviyeli kesmelere, sınırsız iç içe yordamlara ve birçok veri tipi işlemesinin basitleşmesine izin veren 16-bitlik yığın göstericiye sahiptir. İki 16-bitlik dizin kaydedici, tablolu veri işlemeye ve yeniden yerleştirilebilir kodun kolay gerçekleştirilmesine imkan verir. Tazeleme kaydedici, harici dinamik belleklerin otomatik ve tamamen şeffaf olarak tazelenmesini sağlar. I kaydedici, bir güçlü kesme cevap modunda bir kesme servisi adres tablosunu gösteren göstericinin üst 8-bitini oluşturmak için kullanılır, göstericinin alt 8-biti kesmeyi yapan eleman tarafından sağlanır. Daha sonra bu servis adresine bir dolaylı çağırma yapılır.

Ayrıca, akümülatör ve bayrak kaydedicilerden oluşan iki takım daha mevcuttur. Tüm Z80 kaydedicileri statik RAM kullanılarak gerçeklenmiştir.

ÖZEL AMAÇLI KAYDEDİCİLER

1.PROGRAM SAYICISI ( PC – Program counter )

Program sayıcısı, 16 bitlik kaydedicidir ve bellekten getirilecek olan yürürlükteki komutun 16-bitlik adresini tutar. Böylece mikroişlemci o andaki komutu bitirdiği zaman, PC kaydedici bir sonraki komutun nerede olduğunu gösterir. PC, içeriğinin adres hatlarına aktarılmasından sonra kontrol birimi tarafından otomatik olarak artırılır veya azaltılır. Herhangi bir program atlama komutu yürütüldüğünde, artırıcı aşılarak, yeni değer PC’ye otomatik olarak yerleştirilir.

2.YIĞIN İŞARETÇİSİ ( SP- Stack Pointer ) KAYDEDİCİSİ

Mikroişlemci içerisinde geçici veri saklamak, bazı komutlarla alt programlara dallanmak ( Örnek: Push, Pop, Call vs. ) gerekirse RAM üzerinde bulunan Stach ( Yığın ) bölgesinden faydalanılır. Bu bellek, yığın bellek ( stach memory ) olarak adlandırılır. Yığın işaretçisi, dış sistem RAM belleğindeki herhangi bir yere yerleştirilmiş olan bir yığının yürürlükteki tepesinin 16-bitlik adresini tutar. Bu nedenle 64 K’lık belleğin herhangi bir bölgesini adresleyebilir. İkinci olarak, yığının taban adresi ( Base adress ) bellekte herhangi bir yere sabitlenebilir ve Z80 yığını taban adresten aşağıya doğru büyür. Dış yığın belleği, son girenin ilk çıktığı ( LIFO- Last in / First out ) bir dosya gibi düzenlenir. PUSH ve POP komutlarının yürütülmesi yoluyla, yığına belirli MİB kaydedicilerinden veri itilebilir ya da yığından belirli MİB kaydedicilerine veri çekilebilir. Yığından çekilen veri, her zaman yığına daha önce basılmış olan son veridir. Yığın, çok düzeyli kesmelerin kolayca gerçeklenmesini, sınırsız sayıda alt yordamın iç içe geçirilebilmesini ve birçok veri işleme türlerinin basitleştirilmesini sağlar.

3.İNDEKS KAYDEDİCİLERİ ( IX ve IY )

Birbirinden bağımsız iki adet indeks kaydedicisi, indekslenmiş adresleme modlarında kullanılan 16-bitlik bir taban adresini tutar. 16-bitlik bu kaydediciler 64K’dan daha büyük bellekler üzerinde indekslenmiş adreslemeye izin verir. Bu adresleme modunda indeks kaydedicilerinden biri, verinin bellekte saklanacağı ya da geri alınacağı bölgeyi işaret etmek için bir taban olarak kullanılır. Bu tabandan itibaren olan kaymayı belirtmek için, indekslenmiş komutlarda ilave bir bayt içerilir. Bu kayma, ikiye tümleyeni halindeki işaretli bir tamsayı olarak belirtilir. Bu adresleme modu, özellikle veri tablolarının kullanıldığı birçok program türlerini büyük ölçüde basitleştirir. İki 16-bitlik dizin kaydedici, tablolu veri işlemeye ve yeniden yerleştirilebilir kodun kolay gerçekleştirilmesine imkan verir.

İndekslenmiş adreslemenin ( indexed addressing ) temel amacı bellekteki tablo halinde olan verilerin işlenmesine imkan sağlamasıdır. İndekslenmiş komut hem indeks veya yer değiştirme ( displacement ) hem de adresi belirtir. Yer değiştirme adrese eklenerek son adres elde edilir.

Z80’de indekslenmiş adreslemeye ait örnek;

LD A, ( IX + d ) şeklindedir. Bu komut IX + d ile verilen mutlak adresin içeriğini akümülatöre yükler. Burada d; 1-baytlık işaretli yer değiştirmeyi göstermektedir. Örneğin; eğer IX, D000H sayısını içeriyorsa ve d = 40H ise, yukarıdaki komut D040H adresli yerin içeriğini akümülatöre yükleyecektir. Z80’de 1-baytlık yer değiştirme 256 sözcüğe kadar olan tabloların adreslenmesine izin verir, fakat kullanılan işaretli yer değiştirme IX kaydedici tarafından verilen adresin aşağısındaki 127 ile yukarısındaki 127 yere ulaşılmasına olanak sağlar. IX ( ve IY ) artırılıp eksiltilebildiğinden, Z80’nin tüm 64Kbaytlık belleği indekslenmiş adresleme ile kolayca adreslenebilir.

4.KESME SAYFASI ADRES KAYDEDİCİSİ ( I- İnterrupt page address register )

Kesmeler, bir mikrobilgisayar sistemini, ona bağlı çevresel birimlere senkronize etmek ( eş zamanlamak ) için kullanılan sinyallerdir. ( mikroişlemci ile çevre birimleri arasındaki hız farklılıklarından dolayı ). Z80-MİB, herhangi bir kesmeye cevap olarak herhangi bir bellek gözüne dolaylı bir çağrının gerçekleştirilebileceği bir modda çalıştırılabilir. Kesme sayfası adres kaydedicisi I, bir kesme meydana geldiğinde program kontrolünün geçebileceği adresi oluşturmak için kullanılır. Bu amaçla I kaydedicisi, dolaylı adresin üst sıralı 8-bitini saklamak için kullanılır, adresin alt 8-bitini ise kesmeyi yapan birim sağlar. Bu özellik, kesme yordamlarının bellekteki herhangi bir yere dinamik olarak yerleştirilebilmesini sağlar. Ayrıca yordama erişim süresinin de mutlak minimum değerine indirilmesini sağlar.

Kesme alındı sırası ve kesme hizmet yordamı, mikroişlemcinin bir çevre birimin gereksinimine derhal cevap verebilmesini sağlar. Fakat bu gereksinim karşılandıktan sonra kesilen program sırası nasıl devam ettirilecektir?

Pek çok mikroişlemcinin benimsediği teknik, tüm kaydedicilerin ve program sayıcısının içeriğini kesme alındı çevrimi sırasında yığında saklamasıdır. Kesme hizmet yordamının sonunda, tüm kaydediciler ve program sayıcısı, değerleri yığından okunarak, kesme olmadan önceki değerlerine geri alınırlar.

5.BELLEK TAZELEME KAYDEDİCİSİ ( R- Refresh counter register )

Z80-MİB, statik belleklerle aynı kolaylıkla kullanılan dinamik bellekleri kullanıma açmak için bir bellek tazeleme sayıcısı içermektedir. Bu 7-bitlik kaydedici, her komut getirme saykılından sonra otomatik olarak artırılır. R, her mikroişlemci çevrimi sırasında bir artırılır. MİB, getirilen komutun kodunu çözerken ve yürütürken tazeleme sayıcısındaki veri, bir tazeleme denetim sinyali ile birlikte adres yolunun alt-yarısı üzerinden dışarıya gönderilir. Bu tazeleme modu, programcıya bütünüyle açıktır ve MİB’nin çalışmasını yavaşlatmaz. Programcı R kaydedicisini, test etme amaçları için yükleyebilir, fakat bu kaydedici normal olarak programcı tarafından kullanılmaz. R kaydedicisinin amacı dinamik belleklerin otomatik olarak tazelenmesine izin vermesidir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image003.gif[/IMG]

Dinamik RAM gözü ( hücresi ) minimum sayıda aktif aygıt gerektiren ve bekleme modunda çok az güç harcayan en basit haldeki MOS belleğidir. Bu çeşit göz kullanılarak çok büyük bellekler tek bir entegre devre üzerinde imal edilebilir. Dinamik RAM’ın en önemli dezavantajı Cs kapasitesinin T1’in kaçak Rc direnci üzerinden boşalmasıdır.

Cs = 0.2pF, Rc = Rin = 1010 W tipik değerleri yaklaşık 2 ms’lik bir boşalma zaman sabiti vermektedir. Bunun sonucu olarak dinamik bellek gözleri her 2 ms’de bir tazelenmelidir. (yani veri yeniden yazılmalıdır). Aksi taktirde depo edilen veri kaybedilecektir.

Sistem saatinden sürülen tazeleme sayaçları tek tek her bellek adresini dolaşır ve bellek girişinin yetkisiz kılındığı okuma / tazeleme çevrimini yerine getirir. Bu işlem genellikle ana işlemcinin bir komutun kodunu çözdüğü sırada yapılır. Böylece tazeleme işlemi ana işlemciye şeffaf durumdadır ve tazeleme için hiç işlemci zamanı kaybedilmez.

Z80 dinamik RAM’larla kolay bir bağdaştırma sağlamak için, bir iç tazeleme kaydedicisi ile ( R ) donatılmıştır. Mikroişlemci bir komut kodunu çözüyorken, tazeleme kaydedicinin içeriği adres taşıtına konur ve tazeleme hattı ( RFSH hattı ) harekete geçirilir. Tazeleme kaydedicisi ( refresh register ) her getir-kodu çöz-yürüt ( fetch-decode-execute ) çevrimi sırasında otomatik olarak artırılır; bu ise mikroişlemciye şeffaf olan otomatik bir tazeleme sırası sağlar.

6.AKÜMÜLATÖR ve BAYRAK KAYDEDİCİLERİ ( Flags Register )

Z80-MİB, birbirinden bağımsız 2 adet 8-bitlik akümülatörü ve bunlarla birleştirilmiş 8-bitlik bayrak kaydedicilerini içermektedir. Bayrak kaydedicisi 8 ya da 16-bitlik işlemler için, örneğin bir işlemin sonucunun sıfıra eşit olup olmadığının belirtilmesi gibi özel koşulları gösterirken, akümülatör 8-bitlik aritmetik ya da mantıksal işlemlerin sonuçlarını tutar. Programcı, çalışmak istediği akümülatör ve bayrak çiftini tek bir değiş-tokuş komutu ile seçer. Bu suretle, programcının çiftlerden herhangi biri ile kolaylıkla çalışması mümkündür.

Tüm mikroişlemciler sistemin veya işletim altında olan programın durumlarını kaydeden durum kaydedici veya bayrak kaydedicileri ile donatılmıştır. Şekil, Z80 mikroişlemcisine ait 1-baytlık durum kaydedicilerinin bit şeklini göstermektedir. 6 bayraktan 4 tanesi kullanıcıya açıktır, diğer ikisini sadece CPU kullanır.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image004.gif[/IMG]

Kabul edilen terminolojiye uyarak, eğer bir bayrağa karşılık olan bit 1 ise söz konusu bayrak set edildi, eğer bit 0 ise söz konusu bayrak silindi veya reset edildi denir.

·C : ( Carry flag ) Elde / Borç bayrağı; akümülatörün veya kaydedici ‘dokuzuncu ‘ biti olarak göz önüne alınabilir. Akümülatörün en yüksek bitinden çıkan eldedir. Toplama komutu sırasında elde oluşursa yada çıkarma komutu sonunda borç oluşursa bu bit kurulur. Eğer bir aritmetik işlem sırasında akümülatörün ( veya kaydedici ) sekizinci bitinden bir elde meydana geliyorsa, elde bayrağı set edilir. Set edilmiş elde bayrağı bir aritmetik çıkarma işlemi sırasında oluşan ödünç alma işlemi tarafından silinir. Z80’e ait durum bayrağı mantıksal AND komutu ile silinir. ( Z80, eldeyi sil gibi bir komuta sahip değildir.)

·Z : ( Zero flag ) Sıfır bayrağı; aritmetik bir işlem sonucunda, akümülatörün veya kaydedici içeriği sıfır ise, Z = 1, set edilir. Aksi durumda silinir. Z = 0 olur.

·Negatif veya işaret ( N veya S ) bayrakları akümülatör veya kaydedicideki sayının işaretli ikilik ve ikilik tümleyen gösterilimlerinde negatif olduğunu gösterir. Uygulamada N ( veya S ) akümülatör veya kaydedicinin yedinci bitinin aynısıdır.

·S : ( Sign flag ) İşaret Bayrağı; dallanmalar yapmak ve bir yerlere atama yapmak için S biti kullanılır. Bir işlem sonucunda oluşan sayının 7. Biti buraya atanır. Yani sonucun negatif yada pozitif olduğunu gösterir. S = 1 ise sonuç negatif, S = 0 ise sonuç pozitiftir.

·N : ( Subtract flag) Negatif Bayrağı; en son yapılan işlemin çıkarmamı yoksa toplamamı olduğunu ifade eder. Kullanıcıya kapalıdır. Mikroişlemci kendisi test eder.

·P / V : ( Parity / Over Flow flag ); Bu işlem sonucunda oluşan sayının paritesine bakılır. Çift parite ise 1, tek parite ise 0 değerini alır. ( hata kontrolü yapar ).

·H : ( Half Carry flag ) Yarım Elde Bayrağı; BCD sayılarla işlem yapılırken çalışır. Kullanıcıya kapalıdır. MİB kendisi test edip, kullanıp, sonucu bildirir.

Z80-MİB BACAK TANIMLARI

Z80-MİB, 40-bacaklı bir endüstri standardı olan Çift-Sıralı ( DIL ) Paket içinde paketlenmiştir. G/Ç bacakları şekilde gösterilmiştir ve bu bacakların her birinin işlevleri şeklin altında tanımlanmıştır.

27 30

19

20

21

22

28

18

5

24

Z-80 MİB

16

17

26 14

25

23

13

6

11

29

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image005.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image006.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image007.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image008.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image006.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image009.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image006.gif[/IMG]SİSTEM M1 A0

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image010.gif[/IMG] MREQ ADRES

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image011.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image012.gif[/IMG]DENETİMİ YOLU

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image013.gif[/IMG] IORQ

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image006.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image012.gif[/IMG] RD

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image014.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image015.gif[/IMG] WR

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image016.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image013.gif[/IMG] RFSH

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image017.gif[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image018.gif[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image019.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image012.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image020.gif[/IMG]MİB HALT A15

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image017.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image021.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image022.gif[/IMG] WAIT

DENETİMİ

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image014.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image022.gif[/IMG] INT

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image023.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image024.gif[/IMG] NMI

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image025.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image023.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image023.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image026.gif[/IMG] RESET

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image027.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image028.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image029.gif[/IMG] D0

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image030.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image031.gif[/IMG] VERİ

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image032.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image022.gif[/IMG] MİB YOL BUSRQ

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image033.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image034.gif[/IMG] DENETİMİ BUSAK YOLU

D[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image035.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image036.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image037.gif[/IMG]7

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image023.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image038.gif[/IMG] Q

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image039.gif[/IMG] +5V

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image040.gif[/IMG] GND

A0 – A15 ( Adres Yolu ; Address Bus ) ;

3-durumlu, yüksekte-etkin çıkış. A0 – A15 , 16-bitlik bir adres yolu oluşturur. Dışarıdan bağlanacak bir bellek yada bellek grupları için 16-bitlik adres bilgisini sağlar. Adreslenebilir bellek bölgesi ; 216 = 65536 = 64Kbayt’dır. Adres yolu, ( 64 Kbayta kadar ) bellek veri değiş-tokuşları ve G/Ç birimleri veri değiş-tokuşları için gerekli adresi sağlar. G/Ç adreslemesi, kullanıcının 256 adete kadar giriş yada çıkış portunu doğrudan seçebilmesini sağlamak üzere alt sıralı 8 adres bitini kullanır. Adres yolunun düşük anlamlı 8-biti ( A0 – A7 ), çevre birimlerinin adreslenmesinde kullanılır. A0 , en düşük değerlikli adres bitidir. Tazeleme süresi sırasında, alt sıralı 7-bit geçerli bir tazeleme adresini içerir.

D0 – D7 ( Veri Yolu ; Data Bus );

3-durumlu,yüksekte-etkin giriş/çıkış.CPU, bellek elemanları ve çevre birimler arasında çift yönlü veri iletimi sağlar. D0 – D7 , 8-bitlik bir 2 yönlü veri yolu oluşturur. Veri yolu, bellek ve G/Ç birimleri ile veri değiş-tokuşu için kullanılır.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image041.gif[/IMG]M1 ( Birinci Makine Saykılı );

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image021.gif[/IMG]Alçakta-etkin çıkış ( lojik 0’da etkin ). Mikroişlemcinin o anda ne yaptığını gösteren bir uçtur. Yürütülmekte olan makine çevriminin bir komut kodu getirme çevrimi olduğunu gösterir. M1, şu andaki makine çevriminin, bir komut yerine getirmenin, işlem kodunu bellekten getirme çevrimi olduğunu belirtir. M1, yürürlükteki makine saykılının, bir komutun yürütümünün OP kodu getirme saykılı olduğunu belirtir. 2-baytlık op-kodlarının yürütümü sırasında, . M1’in her iki op-kodu baytının getirilmesi sırasında da üretildiğine dikkat ediniz. Bu 2-baytlık op-kodları her zaman CBH, DDH, EDH yada FDH ile başlar. M1 ayrıca, kesme alındı saykılını belirtmek için IORQ ile de ortaya çıkar.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image023.gif[/IMG]MREQ ( Memory Request : Bellek İsteği );

3-durumlu, alçakta-etkin çıkış ( lojik 0’da etkin ). Bellek isteği sinyali, adres yolunun bellek okuma yada bellek yazma işlemi için geçerli bir adresi tutmakta olduğunu belirtir. CPU’nun bellek üzerinden bir okuma veya yazma yapmak istediğini gösterir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image021.gif[/IMG]

IORQ ( İnput / Output Request : Giriş / Çıkış İsteği );

3-durumlu alçakta-etkin çıkış ( lojik 0’da etkin ). CPU’nun bir giriş/çıkış çevre birimi üzerinden veri okumak veya yazmak istediğini belirtir. IORQ sinyali, adres yolunun alt sıralı yarısının, G/Ç okuma yada yazma işlemi için geçerli bir G/Ç adresini tutmakta olduğunu belirtir. IORQ sinyali, bir kesme cevabı vektörünün veri yoluna yerleştirilebileceğini belirten bir kesme alındığı ve onaylandığı zamanda üretilebilir. IORQ sinyali ayrıca, herhangi bir kesme alındığında da, veri yoluna kesme yanıt vektörünün yerleştirilebileceğini belirtmek için M1 sinyali ile birlikte üretilir. Kesme alındı işlemleri M1 süresi sırasında gerçekleşir, G/Ç işlemleri ise hiçbir zaman M1 süresi sırasında gerçekleşmez.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image042.gif[/IMG]RD ( Read : Bellekten Oku );

3-durumlu alçakta-etkin çıkış ( lojik 0’da etkin ). CPU’nun bir bellek yada bir giriş/çıkış biriminden veri okumak istediğini gösterir. Dış dünyadan okumak istenen herhangi bir veri bu uçla sağlanır. RD, MİB’nin bellek yada bir G/Ç biriminden veri okumak istediğini belirtir. Adreslenen G/Ç birimi yada bellek, bu sinyali, veriyi MİB’nin veri yoluna kapılamak için kullanır.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image029.gif[/IMG]WR ( Write : Belleğe Yaz );

3-durumlu alçakta-etkin çıkış ( lojik 0’da etkin ). CPU’nun 8-bitlik veriyi bir bellekte veya bir giriş/çıkış biriminde saklanmak üzere veri yoluna yazdığını gösterir. WR, MİB veri yolunun, adreslenen bellek yada G/Ç biriminde saklanacak olan geçerli bir veri tutmakta olduğunu belirtir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image043.gif[/IMG]

RFSH ( Refresh : Tazele );

Alçakta-etkin çıkış ( lojik 0’da etkin ). RFSH, adres yolunun alt-sıralı 7-bitinin, dinamik bellekler için bir tazeleme adresi içerdiğini ve yürürlükteki MREQ sinyalinin, tüm dinamik bellekler için tazeleme amaçlı bir okuma işlemini yapmak amacıyla kullanılması gerektiğini belirtir.

RFSH, adres yolunun alçak 7-bitinin dinamik bellekler için tazeleme adresini içerdiğini belirtir ve şu andaki MREQ sinyali bütün dinamik bellekleri tazeleme okuması yapmak için kullanmalıdır.

Ram’ler 2’ye ayrılır. Statik RAM ve Dinamik RAM

Statik RAM’a gerilim uygulandığı sürece bilgi saklanır. Dinamik RAM’da kapasite yapısı sayesinde bilgi devamlı saklanır ve bu bilgilerin devamlı tazelenmesi gerekir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image044.gif[/IMG]

HALT ( Durdurma Durumu );

Alçakta-etkin çıkış ( lojik 0’da etkin ). Bu sinyal Z80 HALT komutunu yerine getirdikten sonra üretilir. CPU’nun bir HALT komutu icra ettiğini ve başka komutları icra etmek için sıfırlama veya kesme sinyallerini beklediğini gösterir. HALT, MİB’nin bir HALT yazılım komutunu yürütmüş olduğunu ve işlemin geri alınabileceği hale gelinmeden önce, maskelenemez ( maske yetkilendirilmemişken ) yada maskelenebilir (yani yetkisiz kılınabilir, istek yerine getirilmeyebilir) bir kesme için hazır beklediğini belirtir. Durdurma (tutma) durumuna alınmışken MİB, bellek tazeleme etkinliğini sürdürmek için sürekli olarak NOP komutları yürütür.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image021.gif[/IMG] WAIT ( Bekle );

Alçakta-etkin giriş ( lojik 0’da etkin ). WAIT girişi Z80-MİB’ne, adreslenen bellek yada G/Ç biriminin veri aktarma için hazır olmadığını belirtir. MİB, bu sinyal etkin olduğu sürece, bekleme durumları girmeye devam eder. Bu sinyal, herhangi bir hızdaki bellek yada G/Ç aygıtlarının MİB ile senkronize edilmesini sağlar. CPU’nun, kendisinden daha yavaş hızdaki çevre elemanları ile senkronize çalışmasını sağlar.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image042.gif[/IMG] INT ( İnterrupt : Kesme İsteği );

Alçakta-etkin giriş ( lojik 0’da etkin ). Bu uç aktif olduğunda, kesme izni verilmiş ise, CPU icra ettiği komutu bitirip, kesme hizmet programına dallanır. Kesme istek sinyali, G/Ç aygıtları tarafından üretilir. Kesme isteği, eğer yazılım denetimli iç kesme yetkilendirme flip-flobu ( IFF ) yetkilendirilmişse ve BUSRQ sinyali etkin değilse, yürürlükteki komutun sonunda dikkate alınır. MİB kesmeyi aldığında, bir sonraki komut saykılının başlangıcında, dışarıya bir alındı sinyali ( M1 süresi sırasındaki IORQ ) gönderilir. MİB, bir kesmeye 3 farklı modda yanıt verebilir.

·Mod 0 ; Bu modda kesmeyi üreten çevre cihazı, mikroişlemcinin yerine getireceği tek bir komutu veri yoluna koyar. Bu komut, genellikle belirli bir çevre cihazlarından gelen kesmenin istediği işleri yapmak için tasarlanmış bir yordamı çağırır. Bu düzenlemede her çevre aygıtı farklı bir yordamı çağırır ve çevre cihazı kesmenin kendisinden geldiğini belirtebilir. Böylece, Z80’nin kesmenin hangi çevre cihazından geldiğini tespit etmek için her bir çevre aygıtını kontrol etmeye ihtiyacı yoktur.

·Mod 1 ; Bu modda ( kesme alındığında ) Z80 o an yerine getirdiği komutu bitirir ve program sayıcısını 0038H adresindeki yığına ( stack ) depo eder. Mikroişlemci kesme işlemi ile olan işini bitirdikten sonra son kaldığı yerdeki işleme devam etmesi gerekeceğinden, program sayıcısının ve MİB kaydedicilerinin içeriğinin yığında depo edilmesi gereklidir. Mikroişlemci kesme altyordamını bitirdiği zaman, yığından program sayıcısının ve MİB kaydedicilerinin içeriğini bellekte 0038H adresine doğrudan atlayarak geri getirir ve onları daha önceki pozisyonlarına döndürür.

·Mod 2 ; Bu modda kesmeyi üreten çevre aygıtı 8-bitlik adresi veri taşıtına koyar. Z80 bu adresi kesme yordamının vektörünü içeren mutlak adresin alçak mertebeli baytı olarak kullanır. Yüksek mertebeli adres baytı kesme sayfa adres kaydediciden (I kaydedici) elde edilir ve bu programlayıcı tarafından set edilir.

Mod 0’da olduğu gibi, mod 2 kesmeleri her bir çevre aygıtının farklı yordamları göstermesine olanak sağlar. Bu şekildeki bir düzenleme programlama kolaylığı sağlamakla kalmayıp, kesme isteminin nereden geldiğini bulmada her çevre aygıtının teker teker kontrolü ( polling ) ihtiyacını da ortadan kaldırmaktadır.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image042.gif[/IMG] NMI ( Non-maskable İnterrupt : Maskelenemez kesme girişi );

Negatif kenar tetiklemeli giriş. Maskelenemez kesme isteği girişi, INT’den daha yüksek bir önceliğe sahiptir ve kesme yetkilendirme flip-flobunun durumundan bağımsız olarak her zaman için yürürlükteki komutun sonunda tanınır. NMI, Z80-MİB’ni otomatik olarak 0066H gözünden yeniden başlatır. Bu uç aktif olduğunda CPU, kesme izin flip-flobunun durumundan bağımsız olarak yürütmekte olduğu komutun sonunda 0066H adresine dallanır. Program sayıcısı, kullanıcının kesilen programa geri dönebilmesi için otomatik olarak dış yığında saklanır. Ardarda girilen WAIT (bekleme) saykılları, yürürlükteki komutun sonlanmasını engelleyebilir ve herhangi bir BUSRQ, NMI’yı durdurarak kontrolü alabilir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image033.gif[/IMG] RESET ( Sıfırlama );

Alçakta-etkin giriş ( lojik 0’da etkin ). RESET, program sayıcısına 0000H adresini yükler ve MİB’ni başlangıç durumuna getirir. MİB’ni başlangıç durumuna getirme işlemi aşağıdaki aşamaları kapsar;

·Kesme yetkilendirme flip-flobunun yetkisiz kılınması

·I kaydedicisinin 00H’e kurulması

·R kaydedicisinin 00H’e kurulması

·0’ıncı kesme modunun kurulması

Resetleme süresi sırasında, adres ve veri yolları yüksek empedans durumuna girerler ve tüm denetim çıkış sinyalleri de etkisiz duruma gider. Bu sırada, tazeleme işlemi de yapılmaz.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image045.gif[/IMG]

BUSRQ ( Bus Request : Yol İsteği );

Alçakta-etkin giriş ( lojik 0’da etkin ). Yol isteği sinyali, MİB’nin adres yolu, veri yolu ve 3-durumlu çıkış denetim sinyallerinin yüksek empedans durumuna geçmesini istemek için kullanılır. Böylece diğer birimlerin bu yolları denetleyebilmesi mümkün olur. BUSRQ etkin duruma getirildiğinde, MİB, yürürlükteki MİB makine saykılı sonlandırılır sonlandırılmaz bu yolları yüksek empedans durumuna getirir. Yol istek sinyali NMI’dan daha yüksek önceliğe sahiptir ve her zaman şu andaki makine çevriminin bitiminde yerine getirilir ve diğer elemanların kontrol edilmeleri için CPU adres yolu, veri yolu ve 3-durumlu çıkış kontrol sinyallerinin bir yüksek empedans durumuna gitmelerini ister.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image009.gif[/IMG]BUSAK ( Bus Acknowledge : Yol alındısı );

Alçakta-etkin çıkış ( lojik 0’da etkin ). Yol alındısı, istek yapan birime, MİB’nin adres yolu, veri yolu ve 3-durumlu denetim yolu sinyallerinin yüksek empedans durumlarına getirildiklerini ve artık dış birimin bu sinyalleri denetleyebileceğini belirtmek için kullanılır. Bus Request sinyalini gönderen elemana CPU’nun yolları yüksek empedans durumuna aldığını ve istekte bulunan devrenin veya elemanın yolları kullanabileceğini gösterir.

*Z80 MİB, WAIT (bekleme) yada BUSAK (yol alındısı) durumunda iken, Dinamik Bellek Tazeleme işlemi yapılmaz.

Z80-MİB KONTROL ( DENETİM ) BİRİMLERİ Eğer ALU bir mikroişlemcinin kalbi ise, komut kod çözücüsü de ( instruction decoder ) mikroişlemcinin beynidir.

Adından da anlaşılacağı gibi, komut kod çözücüsü o anda komut kaydedicisinde tutulan komutun kodunu çözer.( yani hangi işin yapılacağını belirler ). Ardından zamanlama ve kontrol mantık devresi ile birlikte iç kaydediciler, adres ve veri taşıtları üzerinde gerekli işlemleri yapar. Sonuçta komut yerine getirilmiş olur.

Bir mikroişlemci, belleğinde saklı bulunan programı her bir komutu sıra ile okuyarak yürütür. Her komut önce, onu yürütmek için gerekecek işlemleri belirlemek üzere yorumlanır ( kodu çözülür ) sonra da gereken işlemler uygulanır.

Programın yürütülmesi sırasında her bir program komutu ve programla ilgili ara (geçici) veri değerleri, mikroişlemcinin içinde, kaydedici adı verilen belli sayıdaki özel konumlarda saklanır. Bir mikroişlemci kaydedicisi, bellek birimindeki konumların bir benzeridir. Mikroişlemci, belleğinde saklı bulunan programı sırayla her program komutunu okuyarak yürütür. Bundan dolayı mikroişlemcinin, yürüteceği bir sonraki işlemin bellek birimindeki konumunun adresini anımsaması yada kaydını tutması gerekir. Bu nedenle mikroişlemcide bu işlevi yerine getirmek için kullanılan ve program sayıcısı (PC) denilen bir kaydedici bulunur. PC, bellek adresini tuttuğu için 16-bitliktir.

Bundan başka mikroişlemcide komut kaydedicisi (IR) denilen bir kaydedici vardır. Bu kaydedici, komutu yürütmek için gereken işlemleri belirleyebilmek için kodu çözülmekte olan komutu tutmak amacıyla kullanılır. Kod çözme işlemi komut kod çözücü birimi tarafından gerçekleştirilir. Temelde bu birim hangi komutun okunmuş olduğunu belirler ve sistem saatinden üretilen elektriksel zamanlama sinyalleriyle bağlantılı olarak zamanlama ve denetim sinyalleri üretir. Komut kaydedicisi, zamanlama ve kod çözme birimi hep birlikte mikroişlemcinin denetim birimi denilen birimini oluştururlar. Çünkü mikrobilgisayarda kullanılan tüm elektriksel sinyaller burada üretilir.

Toplama, çıkarma gibi temel aritmetik işlemlerinin yanı sıra, bir mikroişlemci iki veri değeri arasında ALU ( arytmetic logic unit ) sayesinde mantıksal işlemlerde yapar. Z80’inde dahil olduğu modern 8-bitlik mikroişlemciler çarpma ve bölme gibi daha karışık aritmetik işlemleri yapmaz. Tabii olarak bu işlemler alt-yordamlar (sub-routines) kullanılarak yapılır. ALU tarafından yerine getirilen işlevlerin türleri şöyledir.

·İki tabanında toplama ve çıkarma

·Mantıksal VE, VEYA, XOR ve 2’nin tümleyeni

·Sağa yada sola kaydırma ve döndürme

·Bir artırma ve bir eksiltme

·Karşılaştırma

·Bit kurma, bit silme ve bit test etme

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image046.gif[/IMG]

ALU, iki değer üzerinde, (yürütülmekte olan komutta belirtilen) uygun aritmetik ve mantık işlemlerini yerine getirir. Bu iki değerden biri daima özel bir mikroişlemci kaydedicisi olan ve A kaydedicisi olarak adlandırılan kaydedicinin o an içerdiği değerdir. Öteki ise, ya belirli bir bellek konumunun, yada mikroişlemcinin bir bölümünü oluşturan kaydedici grubundaki bir başka kaydedicinin içeriğidir. Bu kaydediciler işlenmek üzere bekleyen geçici değerleri tutmak için kullanılırlar.

Aritmetik veya mantıksal işlemlerin sonucu, normal olarak A kaydedicisine yerleştirilir ve dolayısıyla bu yeni değer orada var olan değerin yerini alır yada diğer bir deyişle onun üzerine yazılır. Bu yüzden A kaydedicisi, içeriğinde belirli bir aritmetik işleminin sonucu biriktirildiğinden, akümülatör olarak adlandırılır.

Z80, 4 adet kesme hattına sahiptir. Bunlar; RESET, NMI, INT ve BUSRQ’dur. Bu sinyallerin hepsi alçak değerde aktif olan sinyallerdir.

Z80 saat sinyalleri ya iç ( Z80’nin içinde bulunan ) yada dış osilatörler ile üretilebilir. İç saat sinyalini kullanmak için 6 numaralı bacak ile +5 V besleme bacağı arasına 330 W’luk yukarı-çekme direnci (pull-up resistance) bağlanır. Eğer bir dış saat sinyali kullanılacaksa (saat sinyali 4 MHz’in üzerinde ise) dış saat sinyali Æ girişi ve toprak yardımı ile verilir.

Z-80 MİKROİŞLEMCİSİNDE; OPCODE GETİR-KODU ÇÖZ-YÜRÜT (Fetch-Decode-Execute) ÇEVRİMİ Şekil, Z80-MİB’de makine kodu programının bellekte saklanış şeklini göstermektedir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image047.gif[/IMG]

Her komut, genellikle Op Kod (Op Code) olarak da adlandırılan, ‘genelleştirilmiş’ işlem kodu (operation code) ve bu kodu takip eden bir veya iki veri baytı içerir. Komut sadece işlem kodundan da oluşabilir, yani op kod’dan sonra hiç veri baytı olmayabilir. Op kod yerine getirilince (işletilince) kendisini takip eden veri baytları üzerinde belirli bir işlem yapar.

Komutlar bellekte ardışıl bir şekilde saklanmaktadır. Birbiri ardına gelen komutlar yükselen bellek adreslerini işgal etmektedir. Kesmeler etkileyici birer faktör oldukları halde, ilk komutun bellekteki yeri büyük ölçüde sistemi tasarlayana ve programlayıcıya bağlıdır.

Temel mikroişlemci işleme çevrimi 3 aşamadan oluşur. Bunlar;

·Getir (fetch) komutu

·Kodu Çöz (decode) komutu

·Yürüt (execute) komutu

GETİR KOMUTU Birinci aşamada, yerine getirilecek komut bellekten getirilir ve komut kaydedicisine konur. Program sayacının içeriği ( yerine getirilecek olan bir sonraki komutun adresini içerir ) adres yoluna konur ve bellekten oku sinyali kontrol yoluna konur.(Z80’de 21. bacak mantık 0 durumuna reset edilir). Belleğin ulaşım zamanına bağlı olarak kısa bir süre sonra, bellek komutun Op kodunu veri yoluna koyar, daha sonra mikroişlemci veri yolunu okur ve Op kodu komut yoluna koyar. Mikroişlemci, komut kaydedicisine konan Op koda bağlı olarak, program sayacının içeriğini bir, iki veya üç artırır. Böylece program sayacı bir sonraki komutu gösterir duruma gelmiş olur. Getir çevrimi, daha sonra gelen kodu çöz ve yerine getir çevrimleri gibi mikroişlemci saat darbesi ile senkronize edilir.

Şekil, Z80 getir zamanlama sırasını göstermektedir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image049.gif[/IMG]

Makine çevrimi 1 (M1) veya MC1 olarak da bilinen getir çevrimi 4 saat periyodu veya 4T durumunu gerektirir. İlk T-durumu T1 süresi içinde, program sayacının içeriği adres yoluna konur, bellek istemi (memory request) ve oku hatları aktif hale getirilir. Dış bellek buna PC’de adresi bulunan yerin içeriğini veri yoluna koyarak cevap verir. Komut Op kodu olan veri üçüncü T-durumu T3’ün yükselen kenarında komut kaydedicisine konur. İkinci T-durumu T2 , diğer amaçlarının yanında, verinin T3 süresinde okunmasından önce kararlı hale gelmesini sağlayan gerekli gecikmeyi meydana getirmektedir. Son iki T- durumunda (T-state), Z80 tazeleme adresleri (refresh address) üretir ve adres yoluna koyar ve RFSH hattı harekete geçirilir.

KODU ÇÖZ ve YÜRÜT Op kod komut sayacına yerleştirildikten sonra, komut kod çözücüsü doğru iç ve dış sinyal dizileri üretir. Öyle ki söz konusu komut doğru bir şekilde yerine getirilmiş olur. Kodu çöz ve yürüt işleminin zamanlama sırası getir çevriminin zamanlama sırasına benzer. Bununla birlikte gerekli olan saat periyodu sayısı veya T-durumu sayısı olduğu gibi komuta bağlıdır. Örneğin tek-baytlık komutlar iki-baytlık ve üç-baytlık komutlardan daha hızlıdır. ( daha az saat periyodu gerektirir ). Bir komutun yerine getirilmesinden sonra, mikroişlemci bir sonraki komutun getir-kodu çöz-yürüt çevrimi aşamasına girer.

Sık sık ortaya çıkan soru; getir-kodu çöz-yürüt çevrimi verildiğinde, mikroişlemci ilk komutun belleğin neresinde olduğunu nasıl bilmektedir? sorusudur. Bu sorunun cevabı reset işleminin incelenmesi ile bulunur.

Bir çok sistemde reset hattı, kullanıcının reset hattını toprağa geçici olarak kısa devre eden bir tuşa basması ile harekete geçirilir. Reset hattı harekete geçirildikten sonra, mikroişlemci bir dizi başlama işlemi yapar, bütün iç kaydedicileri siler, sonra program sayacına ilk komutu bulmak için belirli bir adres yükler.

Z80 mikroişlemcisinde reset işleminden sonra, program sayacına 0000H sayısı yüklenir ( çok olağan bir seçim ) ve neticede ilk komut 0000H adresinde saklanmak zorundadır. Bununla birlikte bu ilk komut mikroişlemciyi ana programın saklandığı belleğin başka bir bölümüne atlatmak için kullanılmış olabilir. Daha sonra bu sayı program sayacına gönderilir.

ZAMANLAMA DALGA ŞEKİLLERİ: KOMUT İŞLEME KODUNUN GETİRİLMESİ Program sayıcısı içeriği (PC), çevrimin hemen başında adres yoluna yerleştirilir. Yarım saat zamanı sonra MREQ aktif olur. MREQ’nun düşen kenarı dinamik bellekleri yonga yetkilendirme olarak doğrudan kullanılabilir. RD aktif iken bellek verisinin CPU veri yoluna yetkilendirilmesini belirtir. CPU veriyi saat durumu T3’ün yükselen kenarında örnekler. CPU dahili olarak kodu çözerken ve komutu yerine getirirken, getirme çevriminin T3 ve T4 saat durumları dinamik bellekleri tazelemek için kullanılır. Tazeleme kontrol sinyali RFSH, bütün dinamik bellekleri tazeleme okuma işleminin yapılması gerektiğini belirtir.

BELLEK OKUMA VEYA YAZMA ÇEVRİMLERİ Burada bellek okuma veya yazma çevrimlerinin işleme kodunun getirilmesi (M1 çevrimi) dışındaki zamanlaması gösterilmiştir. MREQ ve RD sinyalleri, getirme çevriminin tamamen aynısı olarak kullanılır. Belleğe yazma çevriminde, adres yolu kararlı olduğunda MREQ aktif olur. Böylece dinamik bellekler için yonga yetkilendirme olarak doğrudan kullanılabilir. Veri yolundaki veri kararlı olduğunda WR hattı aktif olur, böylece hemen hemen bütün yarıiletken belleklere R/W darbesi olarak kullanılabilir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image051.gif[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image053.gif[/IMG]

GİRİŞ VEYA ÇIKIŞ ÇEVRİMLERİ Burada bir I/O okuma veya I/O yazma işleminin zamanlaması gösterilmektedir. I/O işlemleri sırasında bir bekleme durumunun otomatik olarak sokulduğuna (Tw*) dikkat ediniz. Bu fazladan zaman, I/O işlemi sırasında I/O portunun adresinin kodunu çözmesine ve bir bekleme gerekiyorsa WAIT hattının aktif duruma (senkronlama) gelmesine sebep olur.

KESME İSTEĞİ / ALINDI ÇEVRİMİ Kesme sinyali CPU tarafından herhangi bir deyimin sonundaki son saat darbesinin yükselen kenarıyla örneklenir. Bir kesme kabul edildiğinde özel bir M1 çevrimi üretilir. M1 çevrimi sırasında IORQ sinyali aktif olur. ( MREQ yerine ). Bu, kesmeyi yapan eleman 8-bitlik vektörü, veri yoluna yerleştirebileceğini belirtir. İki bekleme durumu (Tw*), bu çevrime otomatik olarak eklenir. Böylece Z80 çevre birim kontrolörlerinde kullanılan benzer salınma önceliği kesme planı kolaylıkla uygulanabilir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image055.gif[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image057.gif[/IMG]

Z80-MİB KOMUT TAKIMI Z80-MİB’i 158 farklı komut türünü yürütebilir. Komutlar aşağıdaki ana gruplara bölünebilir;

·Yükleme ve Karşılıklı Değiştirme ( 8 veya 16-bitlik )

·Blok Aktarım ( taşıma ) ve Arama

·Aritmetik ve Mantık

·Genel amaçlı akümülatör & bayrak işlemleri

·Karışık grup

·Döndürme ve Kaydırma

·Bit İşleme ( kurma, sıfırlama, test )

·Atlamalar, Çağırmalar, Yeniden Başlamalar ve Geriye Dönüşler

·Giriş / Çıkış

·Temel MİB denetimi

Yükleme komutları veriyi MİB kaydedicileri arasında veya MİB kaydedicileri ile dış bellek arasında taşır. Bu komutların tümü de verinin taşınmak üzere alınacağı bir kaynak konumu ve bir varış konumu belirtmelidir. Kaynak konumunun içeriği yükleme komutlarının kullanımı sonucu değişmez. Yükleme grubu komutlarına; veriyi B kaydedicisinden C kaydedicisine taşı gibi genel amaçlı kaydediciler arasındaki taşımalar örnektir. Bu grup aynı zamanda MİB kaydedicilerine veya harici bellek konumlarına dolaysız yüklemeyi de içerir. Diğer yükleme komutu türleri MİB kaydedicileri ile bellek konumları arasında aktarımı mümkün kılar. Karşılıklı değiştirme komutları, iki kaydedicinin içeriklerinin değiş-tokuş edilmesini sağlar.

Z80’de ayrı bir blok aktarma komutları grubu yer alır. Tek bir komutla herhangi bir büyüklükteki bellek bloğu, bellekte başka bir konuma taşınabilir. Bu blok taşıma grubu büyük veri dizilerinin işlenmesi gerektiğinde oldukça değerlidir. Z80 blok arama komutları da bu tür işlemler için çok faydalıdır. Tek bir komut ile istenen büyüklükteki bir harici bellek bloğunda 8-bitlik bir karakter aranabilir. Karakter bulunduğunda komut otomatik olarak sona erer. Hem blok transferi hem de blok arama komutları MİB’i uzun süre meşgul etmemek için yürütülmeleri sırasında kesilebilir.

Aritmetik ve mantıksal komutlar, akümülatörle diğer genel MİB kaydedicilerinde veya harici bellek konumlarında saklı veri üzerinde çalışır. İşlemlerin sonucu akümülatöre konur ve işlemin sonucuna göre uygun bayraklar kurulur. Aritmetik işleme bir örnek; akümülatörü harici bir bellek konumunun değerine eklemektir. Toplamanın sonucu akümülatöre konur. Bu grup aynı zamanda 16-bit MİB kaydedicileri arasında 16-bit toplama ve çıkarma işlemlerini de içerir.

Bit işleme komutları; akümülatördeki, genel amaçlı kaydedicilerdeki veya harici bellek konumlarındaki bir bitin tek bir komutla kurulmasını, sıfırlanmasını veya test edilmesini sağlar. Örneğin, H kaydedicisinin en değerlikli biti sıfırlanabilir. Bu grup özellikle denetim uygulamalarında ve genel amaçlı programlamadaki yazılım bayraklarının denetlenmesinde faydalıdır.

Atla, çağır ve geri dön komutları kullanıcı programındaki çeşitli konumlara transfer için kullanılır. Bu grup, yeni program sayıcısı adresini belli bir harici bellek konumundan almak için farklı birkaç teknik kullanır. Atlamanın ayrı bir türü yeniden başlatma komutudur. Bu komut yeni adresi aslında 8-bitlik iş kodunun bir bölümü olarak içerir. Bunun mümkün olmasının nedeni, harici belleğin sıfırıncı sayfasında yerleştirilmiş 8 ayrı adresin belirtilebilmesidir. Program atlamaları aynı zamanda HL, IX veya IY kaydedicilerini doğrudan PC’ye yükleyerek de gerçekleştirilebilir. Böylece atlama adresinin yürütülmekte olan yordamın kompleks bir fonksiyonu olması sağlanmış olur.

Z-80 komut takımı tablosunda aşağıdaki terminoloji kullanılmıştır.

b = Herhangi bir 8-bitlik kaydedici veya bellek yerinde bit numarası

cc = Bayrak koşul kodu

NZ = Sıfır değil

Z = Sıfır

NC = Elde değil

C = Elde

PO = Tek eşlik veya taşma yok

PE = Çift eşlik veya taşma

P = Pozitif

M = Negatif

d = Herhangi bir 8-bitlik hedef kaydedicisi veya bellek yeri

dd = Herhangi bir 16-bitlik hedef kaydedicisi veya bellek yeri

e = Bağıl atlamalar ve dizinli adreslemede kullanılan, 8-bitlik 2’nin tümleyeni uzaklık

L = Sayfa sıfırda 8 özel çağırma yeri. Ondalık gösterimde bunlar 0, 8, 16, 24, 32, 40, 48 ve 56’dır.

n = 8-bitlik ikilik sayı

nn = 16-bitlik ikilik sayı

r = Herhangi bir 8-bitlik genel amaçlı kaydedici ( A,B,C,D,E,H veya L )

s = Bir 8-bitlik kaynak kaydedicisi veya bellek yeri

ss = 16-bitlik kaynak kaydedicisi veya bellek yeri

8-bitlik kaydediciler : A, B, C, D, E, H, L, I ve R’dir.

16-bitlik kaydedici çiftleri : AF, BC, DE ve HL’dir.

16-bitlik kaydediciler : SP, PC, IX ve IY’dir.

Z-80 KOMUT TAKIMI ADC HL,ss = ss kaydedici çiftini elde ile HL’ye ekle

ADC A,s = s işlenenini elde ile Akümülatöre ekle

ADD A,(IX+d) = (IX+d) konumunu Akümülatöre ekle

BIT b,(HL) = (HL) konumunun b bitini test et

BIT b, (IY+d) = (IY+d) konumunun b bitini test et

CALL cc, nn = Eğer cc koşulu doğruysa nn konumundaki alt yordamı çağır

CALL nn = nn konumundaki alt yordama koşulsuz çağrı

CCF = Elde bayrağını tümle

DEC m = m işlenenini azalt

DEC IX = IX’i azalt

EX (SP),HL = (SP) konumu ile HL’nin değerlerini değiştir

HALT = Bekle ( kesme ve sıfırlanana dek bekle )

IM 0 = Kesme modunu sıfıra kur

IN A,(n) = Akümülatöre n biriminden gelen girişi yükle

INC r = r kaydedicisini artır

INC (IY+d) = (IY+d) konumunu artır

JP (HL) = (HL)’ye koşulsuz atla

JP nn = nn konumuna koşulsuz atla

LD A,(BC) = (BC) konumunu akümülatöre yükle

LD dd, nn = dd kaydedici çiftine nn değerini yükle

LD (IX+d), r = (IX+d) konumuna r kaydedicisini yükle

NOP = İşlem yok

OUT (C),r = ( C ) çıkış portuna r kaydedicisini yükle

OUT (n),A = (n) çıkış portuna akümülatörü yükle

POP IX = IX’e yığının tepesini yükle

POP qq = qq kaydedici çiftine yığının tepesini yükle

PUSH IY = IY’yi yığına yükle

RETN = maskelenemez kesmeden dönüş

SET b,r = r kaydedici b bitini kur

SLA m = m işlenenini aritmetik olarak sola döndür

SUB s = s işlenenini akümülatörden çıkar

XOR s = s işleneni ile akümülatörü özel VEYA’la

Çıkışlar

Salı, 06 Kasım 2007

ÇIKIŞLAR 1-ARKA ÇIKIŞ (YANKILI BİR SES VERMEKTEDİR)

2-NORMAL MERKEZ ÇIKIŞ

3-SURROUND TABAN ÇIKIŞ

4-SURROUND TAVAN ÇIKIŞ

5-SURROUND MERKEZ(CENTER) ÇIKIŞ

6-SURROUND GERİ(BACK) ÇIKIŞ

7-SURROUND 3D SAĞ ÇIKIŞ

8-SURROUND 3D SOL ÇIKIŞ

9-SURROUND SOL ÇIKIŞ

10-SURROUND SAĞ ÇIKIŞ

11-SAĞ NORMAL ÇIKIŞ AYNI ZAMANDA SAĞ GİRİŞTİR

12-SOL NORMAL ÇIKIŞ AYNI ZAMANDA SOL GİRİŞTİR

ÇALIŞTIRMA BİLGİLERİ: BESLEME GERİLİMİ: SİMETRİK 12 VOLT BÜTÜN KONDANSATÖRLER: 10mf / 25 Volt BÜTÜN DİRENÇLER: 1KOHM Bu görmüş olduğunuz devre kodlu bir şekilde gelen sesi çeşitli kanallara ayıran bir devre. Kısaca açıklamak gerekirse her çıkıştan farklı ses alınmakla beraber Dolby-Nr uygulamalarında sinemadaki ses kalitesini sağlayacak bir kanal ayırıcı(decoder). Umarım yakın zamanlarda sinemaya gitmişsinizdir. Bu aralar hep dillerde dolaşan surround ses sistemlerinin ana kaynağı olan bu devre en önemli parçası decoderidir. Bu devre ise Enginar25 aracılığıyla 5+1′likten çıkmış 10+2 surround ses sistemleri decoderi haline gelmiştir …….POWERED BY ENGİNAR25 ………. Bu devre equalizer ile amfi arasında kullanılmasından müthiş sonuç alınır. Hele hoparlör düzenine de uydurursanız keyfinize diyecek yok …… Gerçek ölçeğe göre 50W güç hoplatır. 100Wgüç camları indirir. 200W güç çıldırtır. 500W yıkar, kulak zarlarını patlatır …….. SIRADA İSE YERLEŞTİRİLMESİNDE : …..1.Çıkıştan elde edilen hoparlörü arkadaki duvarın tam zemininin ile arka duvarın kesiştiği yerin tam ortasına ve hoparlör yayvan normal hoparlör olmalıdır …..2.Çıkıştan elde edilen hoparlörü öndeki duvarın tam zemininin ile ön duvarın kesiştiği yerin tam ortasına ve hoparlör yayvan, normal hoparlör olmalıdır …3.Çıkıştan elde edilen hoparlörü oturduğunuz zeminin tam ortasına ve hoparlör subwoofer yuvarlak hoparlör olmalıdır …..4.Çıkıştan elde edilen hoparlörü oturduğunuz odanın tavanının tam ortasına ve hoparlör subwoofer yuvarlak hoparlör olmalıdır ….5.Çıkıştan elde edilen hoparlörü öndeki duvarın tam tavanı ile ön duvarın kesiştiği yerin tam ortasına ve hoparlör yayvan woofer hoparlör olmalıdır ….6.Çıkıştan elde edilen hoparlörü arkadaki duvarın tam tavanı ile arka duvarın kesiştiği yerin tam ortasına ve hoparlör yayvan woofer hoparlör olmalıdır … 7.Çıkıştan elde edilen hoparlörü sağ duvarın tam ortasına yerleştirip normal yuvarlak hoparlör kullanılmalıdır …8.Çıkıştan elde edilen hoparlörü sol duvarın tam ortasına yerleştirip normal yuvarlak hoparlör kullanılmalıdır … 9.Çıkıştan elde edilen hoparlörü arka sol köşeye yerleştirilmelidir ve normal yuvarlak hoparlör kullanılmalıdır …10.Çıkıştan elde edilen hoparlörü arka sağ köşeye yerleştirilmelidir ve normal yuvarlak hoparlör kullanılmalıdır …11.Çıkıştan elde edilen hoparlörü ön sol köşeye yerleştirilmelidir ve normal yuvarlak hoparlör kullanılmalıdır …12.Çıkıştan elde edilen hoparlörü ön sağ köşeye yerleştirilmelidir ve normal yuvarlak hopalör kullanılmalıdır …

#ifndef Team_h

Salı, 06 Kasım 2007

#ifndef Team_H

#define Team_H

#include "PNode.h"

//class Team declaration…

class Team

{

private:

char TeamName[MAX_NAME_LENGTH]; //to store the name

char TeamColors1[30], TeamColors2[30];

US TeamNumber;

US Points, Plays, Wins, Loses, Draws, LeaguePosition;

short int Average; //may be negative so not declared US i.e. unsigned short

float TeamDefence, TeamMidfield, TeamAttack;

PNode *pPList; //head pointer for linked list of players

short int NumberOfPlayers; //a necessary member for searching and control

public:

//default constructors for normal and loading issues…

Team();

Team(const char* tName, const char* tColors1, const char* tColors2);

//destructor to deallocate memory

~Team();

//accessors and modifiers… inline…

const char* GetTeamName() const { return TeamName;}

const char* GetBanner1() const { return TeamColors1;}

const char* GetBanner2() const { return TeamColors2;}

void SetTeamNumber(US tno) { TeamNumber = tno; }

US GetTeamNumber() const { return TeamNumber; }

short int GetNOP() const { return NumberOfPlayers ;}

US GetPoints() const { return Points; }

void SetPoints(US pnts) { Points = pnts; }

US GetPlays() const { return Plays; }

void SetPlays(US plys) { Plays = plys; }

US GetWins() const { return Wins; }

void SetWins(US wns) { Wins = wns; }

US GetLoses() const { return Loses; }

void SetLoses(US lss) { Loses = lss; }

US GetDraws() const { return Draws; }

void SetDraws(US drws) { Draws = drws; }

US GetLP() const { return LeaguePosition; }

void SetLP(US lps) { LeaguePosition = lps; }

short int GetAverage() const { return Average; }

void SetAverage(short int avg) { Average = avg; }

float GetDefence() const { return TeamDefence; }

float GetMidfield() const { return TeamMidfield; }

float GetAttack() const { return TeamAttack; }

PNode* Getp() const { return pPList;}

//other methods…

//overloaded one is necessary for loading issues

void AddPlayer() ;

void AddPlayer(const char* theName,US pos,US ag,US nmb,US tack,US sk,US agl,US acc);

void RemovePlayer();

void ModifyTeam();

void ModifyTeamPlayer();

void DisplayTeamPlayer();

void DisplayTeam() const;

void PrintPlayerList() const;

void TeamAvg();

//a method to get the shirt number of player and returns the pointer

//that points to it

PNode* Search(US shirt_no);

void SetTeam(); //default constructor calls this

}; //end of declaration

#endif

İçindekiler

Salı, 06 Kasım 2007

içindekiler

1. giriş. 2

sıfır direnç.. 2

3. I. Tip süperiletkenlerin bazı özellikleri7

3. 1. Kritik sıcaklık.. 7

3.2. Manyetik özellikleri ve Kritik Manyetik alan.. 7

Meıssner olayı8

3.3 nüfuz derinliği12

3.4 mıknatıslanma.. 17

4. II. Tip Süperiletken.. 17

5. süperiletkenlik geçişinin termodinamiği21

6.süperiletkenlik teorisi (bcs teorisi)24

7. tek parçacık tünellemesi28

8. josephson tünellemesi30

8.1. Dc Josephson Olayı31

8.2. Ac Josephson Olayı32

9. oksitli süperiletkenler.. 33

10. süperiletkenler uygulamaları34

10.1. Bilgisayarlar34

10.2. Elektrik Güç Nakli34

10.3. Magnetik Ayırma. 34

10.4. Motorlar35

10.5. Magnetik Enerji Depolama (SMES)35

10.6. Güç Transformerları35

1. giriş

Temel bilimle olan ilgisi ve pek çok teknik uygulamaya sahip olması bakımından süperiletkenlik olayı her zaman çok heyecan verici bir konu olmuştur. Kısa bir süre önce, bazı metal oksitlerde yüksek-sıcaklık süperiletkenliğin keşfi, bilim ve iş çevrelerinde büyük bir heyecan doğmasına neden olmuştur.

Bir çok metal alaşımın elektriksel dirençlerinin yeteri kadar düşük sıcaklığa, daha çok sıvı helyum sıcaklık ([IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image002.gif[/IMG]» 4 0K) bölgesine girildiğinde sıfır olduğu görülür. Bu özelliğin görüldüğü kritik sıcaklık maddeye bağlıdır. Bu sıfır direnç (veya sonsuz iletkenlik) süperiletken olarak bilinir. Bu çarpıcı özellik metallerin özellikle düşük sıcaklık bölgesinde özelliklerinin anlaşılmasına büyük katkıda bulunmuştur. Süperiletkenlik, süperiletken magnet yapımında, bilgisayar swiçlerinin yapımında ve birçok diğer teknik araç yapımında kullanılmıştır. Bunlara ek olarak, mühendisler süperiletkenliği taşımada ve güç iletiminde kaybı ortadan kaldırma çalışmalarında kullanmayı amaçlamaktadırlar.

Tartışmalarımıza süperiletkenlerin elektriksel özellikleri başlayacağız. Ardından I. tip süperiletkenlerin özellikleri ve II. tip süperiletkenleri, daha sonra süperiletkenlik geçişinin termodinamiğini ve süperiletkenliğin mikroskobik teorisinin ele alındığı BCS teorisini inceleyeceğiz. Bunları tek parçacık türellemesi ve Josephsen tünellemesi izleyecek. Son olarak da oksitli süperiletkenler ve süperiletkenlik uygulamaları ele alınacak.

sıfır direnç

Düşük sıcaklık fiziğinin tarihi, 1980 yılında Hollandalı fizikçi Heike Kamerlingh Onnes’in kaynama sıcaklığı 42 0K olan helyumu sıvılaştırmasıyla başlamıştır. Üç yıl sonra 1911’de, Onnes ve yardımcılarından birisi metallerin düşük sıcaklık dirençlerini incelerken süperiletkenlik olayını keşfettiler. İlk olarak platini incelediler. Platinin 00 K e uzatılan (ekstrapole edilen) özdirencinin numunenin saflığına bağlı olduğunu buldular. Daha sonra, damıtma yolu ile elde edilen çok saf sıvıyı incelemeye karar verdiler. Ancak onları bir sürpriz bekliyordu. Hg nın direncinin 4,150 K de çok keskin bir şekilde düşerek ölçülemeyecek kadar küçük değerlere ulaştığını gördüler. (Şekil 2.1)

ρ

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image004.jpg[/IMG]

Şekil 2.1 T ≤ Tc için direnç sıfıra gitmektedir.

Bu sıcaklığın üzerinde civanın sonlu bir direnci vardır. Hemen altında ise direnç sıfırdır. Bu faz geçişinin olduğu sıcaklığa, Kritik Sıcaklık (Tc) denir. Tc’nin altındaki bu duruma süperiletkenlik fazı denilmektedir. Bu faz geçişi buharlaşma noktasındaki sıvı-buhar ve Curi noktasındaki Ferromagnetik faz geçişlerine eklenebilir.

Onnes süperiletkenlik geçişinin dönüşümlü olduğunu buldu. Maddeyi ısıttığı zaman Tc sıcaklığının hemen üzerinde normal halini aldığını gördü.

Süperiletkenliğe serbest elektron teorisi ile yaklaşılarak bazı bilgiler kazanabiliriz. Metalin direnci;

ρ =[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image006.gif[/IMG] J =[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image008.gif[/IMG]……………………………..(1) E= [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image010.gif[/IMG]…………………………….(2)

R= ρ[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image012.gif[/IMG]……………………………(3)

ρ =[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image014.gif[/IMG]……………………………(4)

olduğuna göre

J = σ.E…………………………(5)dir.

m.[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image016.gif[/IMG] = -e. E - [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image018.gif[/IMG]m. ….(6)

Vd = - [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image020.gif[/IMG]……………………(7)

Birim hacmindeki yük (-N.e) olduğundan

J = (-N.e) Vd ………………….(8)

olur. (8), (5) de yerine yazılırsa,

σ = [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image022.gif[/IMG]……………………(9)

olur. (4) deki bağıntıya göre

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image024.gif[/IMG] …………………….(10)

şeklinde yazılır. Burada m elektronun kütlesi, e elektronun yükü, N birim hacimdeki elektron sayısı ve τ çarpışma zamanıdır. T sıcaklığı azaldığında örgü titreşimleri donacak ve elektronların saçılması azalacaktır. Bu sonuç büyük τ ve dolayısıyla küçük ρ demektir. Eğer yeteri kadar düşük sıcaklıkta τ sonsuz olursa, bu da direncin sıfır olduğu süperiletkenliğe götürür. Bu düşük sıcaklıkta maddenin içinde safsızlıklar ve yapı bozuklukları olsa bile elektronlar çarpışmaya uğramayacaklar.

Süperiletkenlerin dirençleri genellikle halka şeklindeki süperiletken bir numunenin içinden akım geçirmek ve zamanın fonksiyonu olarak akımı gözlemlemekle ölçülür. Eğer numune normal halde ise, sonlu direnç nedeni ile akım çabukça sönecektir. Fakat, eğer sıfır direnci var ise, akım bir kez kuruldumu, herhangi bir kayba uğramadan sonsuza kadar akacaktır. Fizikçiler bunu test etmek için birçok deneyler yaptılar ve birkaç yıldan sonra bile akımın sabit kaldığını söyleyebildiler. Süperiletken kurşun için direncin üst değeri 10-25 Ω m civarında idi ve oda sıcaklığındaki değerin 1 / 1017 si idi.

Süperiletkenlik geçişi daima keskin değildir. Eğer örneğimiz metalik element ve yapısal kusursuz ve saf ise, geçiş daima keskindir. Metalik alaşımlar 0,10 K ve daha yüksek geçiş aralığına sahiptirler (Şekil 2.2).

ρ

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image026.jpg[/IMG]

Şekil 2.2 Safsızlıkların kolayda süperiletkenlik geçişine etkisi

Süperiletkenlik çok nadir rastlanan bir olay değildir. Önemli miktarda (bilinen 27) element ve alaşımda bu özellik görülmektedir (Tablo 2.1).

Element Tc, 0K Bileşik Tc, 0K Al Cd Ga In Ir La (α) La (b) Pb Hg(α) Hg(b) Mo Nb Os Rh Ry Ta Tc Tl Th Sn Ti W U(α) U(b) V Zn Zr 1,2 0,5 1,1 3,4 0,1 4,8 4,9 7,2 4,2 4,0 0,9 9,3 0,7 1,7 0,5 4,5 8,2 7,4 1,4 3,7 0,4 0,01 0,6 1,8 5,3 0,9 0,8 Nb3 Al0,8 Ge0,2 Nb3 Sn Nb3 Al Nb3 Au Nb3 N Mo N V3 Ga 20,1 18,1 17,5 17,5 16,0 12,0 16,5 Tablo 2.1. Süperiletkenlerin geçiş sıcaklıkları

Süperiletkenlerin özellikle oda sıcaklığında elde edilmesi amaçlanmakta, fakat yapılan çalışmalar başarısızlıkla sonuçlanmaktadır. Günümüzde normal atmosfer basıncında ulaşılan en yüksek kritik sıcaklık, civa içeren, bakır oksit süperiletkenleri için Tc = 1380 K dir. Bu durum bir hayli anlamlıdır. Bu nedenle bilim adamları daha yüksek kritik sıcaklıklı maddeler bulma konusunda umutludurlar.

3. I. Tip süperiletkenlerin bazı özellikleri

3. 1. Kritik Sıcaklık

Süperiletkenliğin 1911’deki keşfinden sonra, pek çok metalin direncinin, her metale özgü kritik bir Tc sıcaklığının altında, sıfıra gittiği gözlenmiştir.

Çok iyi iletken olan bakır, gümüş ve altın süperiletkenlik göstermezler.

3.2. Manyetik özellikleri ve Kritik Manyetik alan

Süperiletken, sıfır dc (doğru akım) direncine sahip olma gibi önemli bir özelliğe sahiptir. [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image028.gif[/IMG]

Ohm kanununa göre, bir iletken içindeki elktrik alan, o iletkenin direnci ile orantılıdır. Dolayısı ile, bir süperiletken için R=0 olduğundan, süperiletkenin içinde elektrik alan sıfır olmak zorundadır. Faraday’ın Indüksiyon Kanunu

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image030.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image032.gif[/IMG]—————–(11)

Şeklinde yazılabilir. Yani, E nin kapalı bir ilmek (halka) boyunca çizgi integrali, kapalı ilmek düzleminden geçen Φm manyetik akışının zamana göre değişiminin eksi işaretlerine eşittir. Bir süperiletken içindeki her nokta E=0 olduğundan, kapalı yol boyunca alınan integral yani [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image032.gif[/IMG] = 0 olur. Bu da, süperiletken içindeki manyetik akının değişmeyeceğini ifade eder. Buradan B (= [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image035.gif[/IMG]m /A) nin, süperiletken içinde sabit kalması gerektiği soncuna varılır.

1933′den öncelerde; süperiletkenlik, mükemmel iletkenliğin bir görünümü olarak kabul ediliyordu. Mükemmel bir iletken, manyetik alan uygulanmışken kritik sıcaklığının altına kadar soğutulursa, alan söndürüldükten sonra bile iletkenin içinde manyetik alan tuzaklanır. Mükemmel bir iletken için denge termodinamiği uygulamaz. Çünkü, maddenin manyetik alandaki son hali, önce alan uygulanıp sonra alan uygulandığına mı bağlıdır. Maddenin son hali bu işlemlerin yapılışı sırasına bağlı olduğundan, alan Tc nin altına soğutulduktan sonra uygulanırsa, alanın süperiletken dışarılanması gerekir. Diğer taraftan önce alan uygulanıp, sonra Tc nin altına soğutulursa, alanın süperiletkenden dışarılanması gerekir.

1930’larda süperiletkenlerin manyetik özelliklerinin anlaşılması için yapılan deneyler farklı sonuçlar vermiştir. 1933 yılında Meissner ve Ochsenfeld zayıf bir manyetik alanda soğuktan bir metal, süperiletken olduğunda, madde içinde her noktada B=0 olacak şekilde alanın dışarılandığını keşfettiler. Böylece alan, ister madde kritik sıcaklığın altına soğutulmadan önce, ister soğutulduktan sonra uygulanmış olsun, aynı B=0 durumuna erişildiği bulunmuş olur.

Meıssner olayı

1933’de iki Alman fizikçi Meissner ve Ochsenfeld, süperiletkenlerin manyetik alan çizgilerini ittiklerini ve içlerine sokmadıklarını gözlediler. Bu olaya Meissner Olayı denir. Silindir şeklindeki süperiletkenlerle yaptıkları bir seri deneyde, kritik sıcaklığın hemen altına gelince numunenin manyetik alan çizgilerini iterek tam olarak içlerinden kovdukları ve süperiletken olduklarını göstermişlerdir. (Şekil 3.1).

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image037.jpg[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image039.jpg[/IMG]

Şekil 3.2.1. Meissner Olayı: T<Tc sıcaklığında süperiletken tarafından itilen manyetik alan çizgileri

Adı geçen araştırmacılar bu olayın dönüşümlü olduğunu da göstermişlerdir. Numune içinde manyetik alan

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image041.gif[/IMG]= μ 0 ([IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image043.gif[/IMG] + [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image045.gif[/IMG]) = μ0 (1+c ) [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image047.gif[/IMG]————-(12)

ile verilir. Burada H, dışarıdan uygulanan manyetik alan, M ortamın magnetizasyonu, χ ise ortamın manyetik duygunluğudur. Süperiletkenlik durumunda B=0 olduğundan

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image028.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image049.gif[/IMG]= - [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image051.gif[/IMG] ———————–(13)

olur. Bu nedenle ortam diyamagnetiktir ve duygunluk

c= -1————————–(14)[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image028.gif[/IMG]

dir. Bu durumda magnetizasyon dış alanın etkisini ortadan kaldırmaktadır. Bu bizi tam diyamagnetizme götürür (Şekil 3.2)

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image053.jpg[/IMG] Şekil 3.2.2. Süperiletkende magnetizasyon eğrisi

Bu davranışı normal bir metalle karşılaştıralım. Diyamagnetik bir metalde eğer spin duygunluğu ihmal edilirse c = -10-5 mertbesindedir ve (14) te verilen çok küçüktür. Bu durumun süperiletkende elde edilişine bazı yeni mekanizmalar neden olmaktadır. Meissner Olayı süperiletkenlik halinin anlaşılması için kuvvetli bir tekniktir.

Onnes’in süperiletkenliği keşfinden çok kısa bir süre sonra, magnetik alanın süperiletkenliği bozduğu bulundu. Hc kritik alanı denilen yeteri kadar büyük bir magnetik alan uygulandığı zaman, süperiletken, normal hale gelmekte ve T<Tc olmasına rağmen direnç göstermektedir.

Kritik alan sıcaklığa bağlıdır. Sıcaklık T=0 0K den T=Tc sıcaklığına yükselirken Hc azalmaktadır. Ampirik olarak değişim bağıntısı

Hc (T)= Hc (0) [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image055.gif[/IMG]1- [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image057.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image059.gif[/IMG] [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image061.gif[/IMG] 2 [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image063.gif[/IMG]———————–(15)

yazılır. T = 0 0K de Hc (0) Maksimum değerdir, T = Tc de ise sıfırdır. Tipik Hc değerleri birkaç yüz gauss kadardır.

I. tip süperiletkenlerde Hc (T) nin sıcaklıkla olan değişimi aşağıdaki gibidir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image065.jpg[/IMG]

Şekil 3.2.3 Birkaç I. tip süperiletken için Hc (T) nin sıcaklıkla olan değişimi

I.tip süperiletkenler için üst kritik olan değerler Tablo 3.1 de verilmiştir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image028.gif[/IMG] Süperiletken

Hc (0) (Tesla) Al

Ga

Hg

In

Nb

Pb

Sn

Ta

Ti

V

W

Zn

0,0105

0,0058

0,041

0,0281

0,1991

0,0803

0,0305

0,0829

0,010

0,1023

0,000115

0,0054

Tablo 3.2.1. Bazı I tip süperiletkenlerin T = 0 0K de ölçülen kritik magnetik alanları.

Magnetik alan dışardan uygulamaya ihtiyaç yoktur. Halka şeklindeki süperiletkenden akım geçirilirse kendi magnetik alanını oluşturur. Akım yeteri kadar büyük ise alan kritik değere ulaşacak ve süperiletkenlik bozulacaktır. Bu durum, süperiletkenden geçirilecek akımın değerini sınırlar, bu da yüksek alanlı süperiletken magnet yapımının sınırlamasını oluşturur.

Süperiletken halde ve kritik alandan küçük alanlarda, magnetik alan I. tip süperiletkene nüfuz edemez, fakat yüzey akımları mevcut olur. Neticede I. tip süperiletken mükemmel bir diyamagnet gibi davranır. Uygulanan alan kritik alanı aştığında, numune normal hale döner. Bu durumda alan tam olarak nüfuz eder, numunenin direnci sıfırdan farklı olur ve normal bir metal için beklenen değere erişir.

3.3 nüfuz derinliği

I. tip süperiletkenlerde oluşan yüzey akımları, magnetik alanların maddelerin iç noktalarından dışarılanması sonucunu doğurur. Gerçekte bu akımlar yalnızca numunesinin yüzeyindeki çok ince tabasından oluşmazlar. Tersine bu akımlar yüzeyde maddeye nüfuz ederek, sonlu kalınlıktaki bir et tabakası üzerine dağılır.

Bu olayı F. ve H. London kardeşler 1935’de süperiletkenliğin Elektrodinamiğin Teorisi olarak geliştirdiler. F. London tarafından genişletildi ve 1950’deki kitabında yayınlandı.

İki akışkan modelini kullanalım:

e elektrik alanı varlığında süperelektronlar için hareket denklemi

m.[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image067.gif[/IMG]=-e [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image069.gif[/IMG] ……………………………(16)

Elektron üzerine etki eden yegane kuvvetin alan tarafından uygulanan kuvvet olması nedeni ile yazılır. Çarpışma kuvveti yoktur çünkü bu tip elektronlar çarpışmazlar. Süper akım yoğunluğu [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image071.gif[/IMG],

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image028.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image071.gif[/IMG]=[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image073.gif[/IMG](-e).[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image075.gif[/IMG] …………………………….(17)

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image077.gif[/IMG]= [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image079.gif[/IMG]. [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image069.gif[/IMG]………………………………..(18)

(16) ile kombinasyon sonucu yazılır. [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image071.gif[/IMG] üzerindeki nokta zaman türevini belirtir.

Kararlı durumda [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image071.gif[/IMG] süperiletken içinde sabittir. Bu da [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image081.gif[/IMG] ve dolayısıyla

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image083.gif[/IMG]= 0…………………………………(19)

olmasını gerektirir. Kararlı durumda, süperiletken içinde elektrik alanın sıfır olduğu sonucunu elde etmiş oluruz. Diğer bir deyişle süperiletken boyunca voltaj düşmesi sıfırdır.

(19) bağıntısını hemen yeni bir sonuca götürür.

(19) ile [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image085.gif[/IMG]= [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image028.gif[/IMG]-[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image087.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image089.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image083.gif[/IMG]……………….(20)[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image028.gif[/IMG]

Maxwel denkleminin kombinasyonu

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image085.gif[/IMG]= 0 ………………………………………(21)

sonucu çıkar.

Kararlı durumda magnetik alanın sabit olduğu sonucu çıkar. Bu ise Meissner Olayı ile ters düşer.

Bu eşitlik, sıcaklığa bakılmaksızın [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image085.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image028.gif[/IMG]nin sabit olduğunu belirtir. Sıcaklığın Tc ye doğru yükseldikçe Tc de aniden magnetin alan çizgilerinin numuneden geçeceğini hatırlarsak yukarıdaki yaklaşım bazı değişiklikler gerektirir.

(18)i, (20) de yerine koyarsak [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image091.gif[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image093.gif[/IMG] = [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image095.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image087.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image089.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image097.gif[/IMG]……….. (22)

elde edilir. Açıklandığı gibi [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image093.gif[/IMG] = 0 olduğunu belirtmesi nedeniyle geçerli değildir.

London, bu durumu ortadan kaldırmak için (22) ye benzeyen

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image085.gif[/IMG]= -[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image095.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image087.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image089.gif[/IMG] [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image099.gif[/IMG]………….. (23)

şeklinde bağıntıyı postülasında önerdi. Bu bağıntı London denklemi olarak bilinir ve deneylerde uyumlu sonuçlar verir. Bu denklem [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image085.gif[/IMG] ile [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image099.gif[/IMG]ilişkili olup, maxwell denklemleri ile de,

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image087.gif[/IMG] [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image089.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image085.gif[/IMG]=μ0.[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image099.gif[/IMG]………………….(24)

şeklide bağlıdır.

(24) ün rotasyonelini alır ve

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image087.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image089.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image087.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image089.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image085.gif[/IMG]=[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image087.gif[/IMG]. ([IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image087.gif[/IMG].[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image085.gif[/IMG])-[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image101.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image085.gif[/IMG]=-[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image101.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image085.gif[/IMG],[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image087.gif[/IMG].[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image085.gif[/IMG]= 0

özdeşliğini kullanırsak (23) ve (24) ten [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image099.gif[/IMG] yok edilirse,

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image101.gif[/IMG] [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image103.gif[/IMG]= [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image105.gif[/IMG] .[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image085.gif[/IMG]………………. (25)

bulunur. Bu denklemi basit bir geometri için uygulayalım;

λ

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image107.jpg[/IMG] Örneğimizin yüzeyi y-z düzleminde yarısonsuz uzunlukta olsun ve alan y yönünde uygulansın. Bütün nicelikler x yönünde değişeceğinden (25) denklemi

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image109.gif[/IMG]. By = [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image111.gif[/IMG]. By………………………..(26)

yazılır. Bu basit diferansiyel denklemin çözümü;

By (x) = By (0) . e-x/λ…………………………..(27)

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image113.gif[/IMG]=[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image115.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image117.gif[/IMG]……………………………..(28)

olur. (27) numaralı denklemin sonuçları

1. Süperiletken yüzeyinden içine doğru gidildiğinde alan exponansiyel olarak azalmaktadır. Böylece magnetik alan, Meissner Olayı ile uyumlu olarak numunenin içinde sıfır olmaktadır. Bu da London deklemine destek vermektedir.

Alan numuneye belli bir miktar nüfuz etmekte λ , nüfuz derinliği olarak adlandırılır.

Alan süperiletken tarafından bütünüyle itilmektedir daha önce düşünüldğü gibi ancak yüzeye yakın küçük bir bölge vardır ki burada alan belli bir miktar da vardır.

Bu durum deneysel olarak açıklandı ve London Teorisi önemli bir ilgi topladı. (28) de nümetrik değerler yerine konursa λ[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image119.gif[/IMG]500 Å bulunur ki deneyle uyumlu değerdir.

Element λ(0) , Å Al Cd Hg In Nb Pb Sn 500 1300 380-450 640 470 390 510

2. London denkleminin önemli diğer bir tesbiti ise, l nın sıcaklıkla değişmesidir.

ns = n. [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image121.gif[/IMG] ifadesi (28) de yerine konursa

λ= λ(0). [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image123.gif[/IMG]……………………………..(29) elde edilir. Burada λ(0)= [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image125.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image127.gif[/IMG]…………………………….(30)

olup, T=0 0K de nüfuz derinliğidir.

(29) a göre λ, sıcaklık 0 0K den itibaren artarken artar ve T= Tc de sonsuz olur.

3. London teorisinden çıkarılan üçüncü sonuç ise, yüzey yakınlarında elektrik akımının varlığıdır.

(27) de London denklemini ([IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image085.gif[/IMG] yi) koyar ve akım için çözülürse

Jz (x)= -[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image129.gif[/IMG]. By(x) = - Js.(0). E –x/l………..(31)

Elde edilir. Bu akım negatif ve z yönünde akan bir akımdır. Bu akım expononsiyel olarak azaldığından, yüzeyden içe doğru girildiğinde gerçekten yüzey akımının olduğu görülr.

Bu nedenle Meissener Olayına bir yüzey akımı eşlik eder ve bu akım süperiletkenin iç kısımlarını dış alana karşı koruyuculuk yapar ve engel olur. Sonuç olarak da süperiletken numune kusursuz bir diyamagnet olur. Diğer bir deyişle, yüzey akımları nedeni ile oluşan magnetik alan, numune içinde dış alanın etkisini bütünüyle yok eder. Buradan enteresan bir durum ortaya çıkar. Akım taşıyan süperiletkendeki akım, yüzeye yakın bölgeye sınırlandırılmış.

3.4 mıknatıslanma

H gibi bir dış magnetik alana konulan bir numune M mıknatıslanması kazanır.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image131.jpg[/IMG]

Şekil 3.4.1 İç alana uygulanan alanla değişimi, burada Hiç< Hc için Hiç =0 olur.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image133.jpg[/IMG]

Şekil 3.4.2 Mıknatıslanmanın uygulanan alana bağlılığı, H>Hc için M [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image135.gif[/IMG] 0 olduğuna dikkat ediniz.

4. II. Tip Süperiletken

1950’lere kadar, II. tip süperiletkenler olarak bilinen başka bir grup maddenin varlığı tespit edilmiştir. Bu maddeler, Şekil 4.1 de Hc1 ve Hc2 olarak gösterilen iki kritik alan tarafından belirlenmektedir. Uygulanan alan, Hc1 alt kritik alanından küçükse, madde tam olarak süperiletkendir ve I. tip süperiletkenlerde olduğu gibi hiçbir akı maddeye nüfuz edemez. Uygulanan alan, Hc2 üst kritik alanı aştığında, akı numunenin tamamına nüfuz eder ve süperiletken hal ortadan kalkar. Fakat Hc1 ile Hc2 arasındaki alanlar için malzeme “Girdaplı hal” (Vorteks hali) olarak bilinen karışık halde bulunur.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image137.jpg[/IMG]

Şekil 4.1 II. tip süperiletkenler için, kritik alanların sıcaklığın fonksiyonu olarak değişimi

Alt kritik alan Hc1 in altında numune, I. tip süperiletken gibi davranır. Üst kritik alan Hc2 nin üzerinde, madde normal bir iletken gibi davranır. İki alan arasında, süperiletken karışık haldedir.

Girdaplı halde madde sıfır dirence sahip olabilir ve akı kısmen nüfuz edebilir. Uygulanan alan alt kritik alanı geçtiğinde, girdaplı bölgeler, Şekil 4.2 de görüldüğü gibi normal kısımlardan oluşan fitiller şeklinde olur. Uygulanan alana ulaştığında; numune normal hale geçer.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image139.jpg[/IMG]

Şekil 4.2 Karışık haldeki II. tip süperiletkenin şematik çizimi.

Girdaplı hali, gözümüzde, silindirik normal bir metal çekirdekle sarılmış, süperiletkenlerin silindirik anatoru olarak adlandırabiliriz. Bu çekirdekler, akının II.tip süperiletkenlere nüfuz etmesini sağlar. Magnetik alan, girdap fitillerinin merkezinde maksimum olup, çekirdeğin dışına doğru belirli bir nüfuz derinliği (λ) ile üstel olarak azalır. Her girdap için H nin “kaynağı” üstünakımlardır. II.tip süperiletkenlerde, normal, metal çekirdeğinin yarıçapı, nüfuz derinliğinden daha küçüktür.

-μ0M

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image141.jpg[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image143.gif[/IMG]

Şekil 4.3 II. tip süperiletkenin magnetik davranışı (a) Hiç alanın uygulanan alanla değişimi (b) mıknatıslanmanın uygulanan alanda değişimi

Şekil 4.3.a, II. tip süperiletken için iç alanın uygulanan alanla nasıl değiştiğini; şekil 4.3.b ise buna karşı gelen mıknatıslanmanın uygulanan alanla nasıl değiştiğini göstermektedir. Yani madde, H< Hc, için akı dışarılayan süperiletken halde , Hc <H<Hc2 için karışık halde ve H> Hc2 için ise normal haldedir.

II.tip süperiletkenler karışık halde iken, yeterince büyük bir akım, girdapların akıma dik olarak hareketine neden olabilir. Bu girdap hareketi, akının zamanla değişimi anlamına gelir ve madde içinde direnç meydana getirir. Safsızlıklar ekleyerek, girdapları bir yere çivilemek (Puining) ve hareketlerini engellemek; dolayısıyla karışık bir haldeki bir süperiletken için sıfır direnç oluşturmak mümkün olabilir. II. tip bir süperiletken için kritik akım şu şekilde elde edilebilir: bu akım değeri de, girdaptaki akının çarpımı, girdapları bir yara çivileyen kuvveti yenecek bir Lorentz kuvveti vermelidir. Bu olgu kritik akının değeri belirler.

II. tip süperiletkenler için üst kritik alan değerleri Tablo 4.1 de verilmiştir.

Süperiletken

Hc (0) (Tesla) Nb3 Al

Nb3 Sn

Nb3 Ge

Nb N

Nb Ti

Nb3 (Al Ge)

V3 Si

V3 Ga

Pb MoS

32,4

24,5

38

15,3

15

44

23,5

20,8

60

Tablo 4.1. I. tip süperiletkenler için T = O 0K de ölçülen üst kritik magnetik alanları

5. süperiletkenlik geçişinin termodinamiği

Bu bölümde termodinamiğin tartışılması, farklı deneylerle bulunmuş sonuçları birleştirmektedir. Bu tartışma, mikroskobik kuvvetler hakkında kesin sonuçlar vermemekle birlikte geçişin doğasını anlatacaktır.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image145.jpg[/IMG]

Şekil 5.1 Molar m kapasitesinin sıcaklığa göre grafiği (Kalay için).

Noktalı Eğri, T<Tc için normal haldeki m kapasitesinin alacağı değerin ne olacağını göstermek için extrapolasyon eğrisi

Şekil 5.1 de süperiletkenin m kapasitesinin sıcaklığa göre değişim grafiği görülmektedir. Tc nin altındaki Cv piki entropide düzensizlik ulaşılabilecek artışı belirtmektedir. (T[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image147.gif[/IMG]Tc ye artarken). Böylece, süperiletken hal, normal halden daha fazla düzenlilik derecesine sahiptir.

Yapılan deneysel çalışmalar, düşük sıcaklıkta elektronların ısı kapasitesinin

Cv = a.e –b(T/Tc) ………………….(32)

Exponansiyel ifadesi ile verilebileceğini göstermiştir. Bu exponent, elektronun enerjisinde bir enerji aralığının varlığını ifade edecek şekilde davranır. Bu enerji aralığı tam Fermi seviyesinin üzerinde olup, elektronun kolayca uyarılmasını önler. Bu da küçük ısı kapasitesi değerine götürür. Enerji aralığının genişliği mertebesinde olmalıdır, çünkü numune Tc sıcaklığına yükseldikçe normal hale gelmekte ve elektron kolayca uyarılmaktadır.( D» kTc)

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image028.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image149.jpg[/IMG]

Şekil 5.2 Süperiletkende yörüngeler yoğunluğu D (ε)nin enerjiye karşı grafiği

Tc = 5 0K tipik değerini yerine koyarsak D@ 10-4 ev değerini elde ederiz. Bu enerji aralığının değeri daha önce tanıttığımız enerji aralıklarının yanına çok küçüktür. Bu nedenle süperiletkenlik düşük sıcaklıklarda görülür.

Süperiletkenlik halini normal hale nazaran daha düzenli durumu olan sıvı hale yoğunlaşması olarak düşünebiliriz. Benzer olarak geçiş sonucu enerjide azalma beklenir. Süperiletkenlik yoğunlaşma enerjisini hesaplayalım.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image151.jpg[/IMG]

Şekil 5.3 süperiletkenlik yoğunlaşma enerjisi hesabı

Numunenin T1<Tc sıcaklığında olduğunu varsayalım. Alnın arttığını düşünürsek N noktasında normal hale gelecektir. Buradan yoğunlaşma enerjisi

DE = EN - EA ……………………………..(33)

olur. Bu enerji kolaylıkla hesaplanabilir. Numune AN yolu boyunca tam diyomagnet olduğundan DE, diyomagnetizasyonu bozma enerjisi olacaktır.

DE @ [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image153.gif[/IMG] B.dM =- μo [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image153.gif[/IMG]H.(-dH) = [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image155.gif[/IMG] μo. Hc2……..(34)

Birim hacim başına DE = [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image155.gif[/IMG] Mo. Hc2 olacaktır. Bu enerji süperiletken bir halden normal hale dönmek için gerekli enerjidir. Tersini söyleyecek olursak; sistemin normal halden süperiletken hale geçmek için kaybettiği enerjidir. Sistemin mümkün en düşük enerjili durumda olmayı istediğinden, süperiletken hal T<Tc için kararlı bir durumdur. Maksimum yoğunlaşma enerjisi;

DE = [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image155.gif[/IMG] μo. Hc2 (o) ……………………..(35)

dir ve 0 0K de olur.

Tipik Hc (0) = 500 Gauss kullanılırsa, DE = 103 J /m3 elde edilir.

Şimdi kritik sıcaklık ile kritik alan arasında yararlı bir bağıntı kuralım. Yoğunlaşma enerjisi Tc cinsinden bulmak istiyoruz. Bunu yapmak için Fermi yüzeyinin kTc kabuğundaki elektron sayısı hesaplamalıyız. Çünkü bunlar süperiletkenlik geçişi etkiler. Fermi küresinin derinliklerinde bulunan elektronlar, 5 eV mertebesinde enerji ile uyarılabilirler. Bundan dolayı etkin elektronların yoğunlaşmasını kestirebiliriz.

neff » n. [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image157.gif[/IMG]………………………..(36)

burada n, iletkenlik elektronların toplam yoğunluğudur. Herbir elektron enerji aralığı boyunca uyarılması için kTc mertebesinde ek bir enerjiye ihtiyaçları vardır.

DE » neff k.Tc = n(kTc)2 /Ef …….(37)

olur. Bu (35) te bulduğumuzla aynıdır. Buradan,

Hc (o) = [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image159.gif[/IMG].Tc ……………(38)

yazılır. Kritik alan, kritik sıcaklık ile orantılıdır. Yani, geçiş sıcaklığının yükselmesi, süperiletkenliği bozmak için daha büyük enerjiye ihtiyaç duyar.

6.süperiletkenlik teorisi (bcs teorisi)

Süperiletkenliğin modern teorisi, Cooper, Barden ve Schrieffer tarafından 1957 de “Phys. Rev. 106,162 (1957)” yayınladı. Süperiletken ile ilgili gözlenen tüm olayları açıklaması dolayısıyla milletlerarası bir kabul görmüştür. İlk prensibinden başlayarak ve kuantum yöntemleri kullanarak sıfır direnç ve Meissner Olayı gibi bir takım gözlenen olayları açıklamıştır. Adı geçen teori, kuantum mekaniğin içine o kadar girmiştir ki bu teori kuantum kavramları ve matematik teknikler kullanılmadan tam olarak anlaşılmaz. Bu nedenle BCS teorisini ayrıntısına dalmadan anlatmaya çalışacağız.

İletim elektronları Fermi küresinin içinde bulunana bir metal düşünelim. Fermi yüzeyinin hemen içinde bulunan iki elektronu düşünecek olursak, bunlar birbirlerini Coulomb kuvveti ile iteceklerdir. Fermi küresinin içindeki diğer elektronların perdelenmesi nedeni ile bu kuvvet azalacaktır. Perdelenmeyi de dikkate aldıktan sonra iki elektron arasında mevcut kuvvet, itici küçük bir kuvvettir.

Bunun yanında, bazı nedenlerden dolayı iki elektron birbirini çeker. Cooper, bu elektronların Fermi yüzeyine yakın, bağlı halde olacağını göstermiştir. Bu durum çok önemlidir. Bağlı durumdaki iki elektron tek bir sistem oluşturacak şekilde çiftlenirler ve hareketleri ortaktır. Bu çiftleme, sisteme bağlanma enerjisine eşit miktarda enerji uygulayınca ancak bozulabilir. Bu elektronlara Cooper çifti denir. Bu elektronlar zıt mement ve zıt spine sahip oldukları zaman bağlanma enerjileri en kuvvetlidir. Bu nedenle, elektronlar arasında herhangi bir çekim olursa Fermi yüzeyinin komşuluğunda tüm elektronlar Cooper çifti olarak sisteme yığılır. Bu çiftler süperlektronlardır.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image161.jpg[/IMG]

Şekil 6.1. Metalde Fermi Yüzeyi yakınındaki 1 ve 2 elektronları arasındaki etkileşme.

Şekil 6.1’de görülen ve birbirinin yanında geçen iki elektron düşünelim. 1 nolu elektron negatif yüklü dolayısıyla (+) yüklü iyonları kendine doğru çeker (elektron-örgü etkileşmesi). Bu nedenle 2 nolu elektron 1’den etkilenmez. 1 nolu elektron iyonlarla perdelenmiştir denir. Perdelenme dolayısıyla bu elektronun net yükü azalır hatta net pozitif yük oluşur. Bu olunca, 2 nolu elektron 1’e doğru çekilir. Bu da Cooper çiftlerinin oluşması için gerekli olan net çekim etkileşmesine götürür.

1 numaralı elektron fermi enerjisi seviyesine yakın olduğundan hızı büyüktür. Ağır kütlesinden dolayı iyonun cevabı daha yavaştır. Buna rağmen 1 nolu elektronu hissederek ona cevap verir ve sonuç olarak 1 yerini değiştirir. Teknik yayınlarda her bir elektronun fonon bulutuyla sarıldığını ve herbir elektronun fonon değişimi ile birbirlerine çekici kuvvet uyguladıkları söylenebilir. Mesela 1 tarafından yayılan fonon 2 tarafından çabukça soğurulur.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image163.jpg[/IMG]

Şekil 6.2. 1 ve 2 elektronları arasında çekici etkileşmeden sorumlu olan fonon değişimi

1 ve 2 elektronları arasındaki bağlanmanın bir sonu olarak elektronun spektrumunda enerji aralığı görülür.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image165.jpg[/IMG]

Şekil 6.3. Yörüngeler yoğunluğu D (E) süperiletkenler için enerji aralığını da gösterecek şekilde, şekilde gösterilmiştir. Taralı alan T = O 0K de dondurulmuş yörüngelerdir.

( EF - [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image167.gif[/IMG] D0 , EF + [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image167.gif[/IMG] D0) enerji aralığındaki durumlar şimdilik yasaktır. Buradaki durumlar bu enerji aralığının hemen altına veya üstüne çekilmiştir. Süperiletkenler için Fermi enerjisinden uzakta durumlar yoğunluğu normal metallerde olduğu gibidir. Teori, sıfır derece sıcaklıkta enerji aralığının

D0 = 4. ħ WD.e - (2/ D(Ef)[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image169.gif[/IMG]) ………………(39)

ile verildiği gösterir. Burada WD, Debye Frekansı, D (Ef) Fermi enerji seviyesindeki normal metalde durumlar yoğunluğu ve V1 elektron–örgü etkileşmesinin gücünü gösterir. (39) bağıntısında WD nin yer almasının nedeni, elektron çiftleri arasında Fonon değişiminin olmasıdır. (39) bağıntısından elde edilen birkaç yararlı sonuç aşağıda sıralanmıştır.

1. Kabaca D0 @ ħWD dir ve tipik Fonon enerjisidir. Bu bağıntı doğru genlikte sonuç verir.

ħWD @ 10–27 x 10 13 @ 10-14 erg @ 10-2 eV

(39)daki expononsiyel terim de dikkate alınırsa 10-4 eV elde edilir ki deneysel sonuçlarla uyuşmaktadır.

2. WD » M-1/2, burada M titreşen iyonun kütlesidir. Buradan D0 @ M-1/2 olur. Böylece enerji aralığı ve kritik sıcaklık M artarken azalır. Bu durum, metal içindeki izotop oranını değiştirmek suretiyle gözlenebilir. Bu olaya izotop etkisi denir.

3. Enerji aralığı ve dolayısıyla Tc, elektron–örgü etkileşmesi arttıkça artar. Diğer bir deyişle kuvvetli V1 ler süperiletkenliği destekler. Bu doğru ve akla uygun gibi görünür. Çünkü iyonlar elektrona daha kuvvetle çekilerek üzerine yığılma şansını artırırlar. Bu garip bir durumdur. Normal durumda büyük V1, yüksek direnç demektir. Burada çelişkili karışık bir sonuç çıkarılır: zayıf normal bir iletkenden iyi bir süperiletken, iyi bir normal iletkenden kötü bir süperiletken yapılır. Bu durum deneysel sonuçlarla uyum halindedir. Birinci grup Pb ve Nb içerir. İkinci grup alkali ve asil metalleri içerir ki bunlar ulaşılabilecek en düşük sıcaklıkta bile hiç süperiletkenlik göstermez.

BCS teorisi, kritik sıcaklığın aşağıdaki şekilde verilebileceğini göstermiştir.

D0 = 3,52 kTc ………….. (40)

Bu sonuç, D0 kTc ve Tc nin deneyde bağımsız olarak ölçülmesinden yararlanarak test edilebilir. Deneylerde D0 = 4kTc bulunarak bu bağıntıyı doğrular.

Enerji aralığı birkaç farklı yöntemle deneysel olarak tayin edilebilir. Bunlardan bir tanesi Infrared soğurmadır. Infrared demeti süperiletken üzerine düşürüldüğünde (alçak sıcaklıkta) radyasyon frekansı, Cooper çiftini enerji aralığı boyunca uyarmaya yetecek kadar büyük olduğu zaman radyasyon soğurulması olur. Yani,

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image171.gif[/IMG]W » 2D0 ……………..(41)

dır. Dolayısıyla ışığın frekanslarından D0 bulunur.

Cooper çiftlerinin uyarılması için gerekli minimum enerji 2D0 dır. Elektron çiftinin birisini uyarmak olanaksızdır. Çünkü çift bir bütün halde olup birbirinden ayrılmazlar. Eğer herhangi bir şekilde Cooper çifti bozulursa iki tane normal elektron oluşur ve enerji aralığı boyunca uyarılırlar.

D0 » 10-4ev olduğundan karşılık gelen frekans kırmızı ötesi bölgededir.

BCS teorisi sıfır direnci şöyle açıklar: Bir kere sürüklenme hareketi kuruldu mu, Cooper çiftlerine çarpışma mekanizması ile 2D0 dan daha büyük enerji verilmelidir ki, cooper çiftleri saçılsın. Mevcut düşük sıcaklıkta, düşük enerjili fononlar uyarıldığından, fononlar bu enerjiyi temin edemezler. Cooper çiftleri de sonsuz olarak sürüklenme hareketine devam ederler.

7. tek parçacık tünellemesi

Süperiletkenlerde enerji aralığı, tek parçacık tünellemesi deneyleri ile çok duyarlıklı olarak ölçülebilir. Bu yöntem ilk defa 1960 yılında Giaver tarafından yayınlanmıştır.

Bir yalıtkanla ayrılmış iki metal gözönüne alalım. Yalıtkan tabaka, bir metalden diğerine iletkenlik elektronları geçişine bir engel gibi davranır. Bu engel yeterince (10 veya 20 Å dan daha az) ince ise, yalıtkan üzerine düşen bir elektronun engeli aşarak bir metalden diğerine geçme olasılığı yüksek olur. Bu olaya tünelleme denir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image173.jpg[/IMG] [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image175.jpg[/IMG] Şekil 7.1. İki metal arasındaki ince bir yalıtkandan tünellenen elektronlar için Akım-Voltaj ilişkisi

İlk olarak Şekil 7.1 de görüldüğü gibi, ince bir yalıtkan engele ayrılmış iki normal metal göz önüne alalım. İki metal arasına bir V potansiyel fark uygulandığında, elektronlar bir metalden diğerine geçebilir ve bir akım oluşur. Uygulanan küçük potansiyel farkları için akım-gerilim bağıntısı doğrusaldır ve eklem için Ohm kanunu geçerlidir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image177.jpg[/IMG] [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image179.jpg[/IMG] Şekil 7.2. Süperiletken-normal metal arasındaki ince bir yalıtkandan elektron tünellemesinde Akım-Voltaj ilişkisi.

Ancak Şekil 7.2’de görüldüğü gibi metallerden birisi yerine Tc den daha düşük sıcaklıklarda tutulan süperiletken konulacak olursa, hiç de olağan olmayan bir durum ortaya çıkar. Uygulanan potansiyel farkı, eşik değer olarak bilinen bir Ve değerine erişinceye kadar her hangi bir akım geçmez. Bu eşik değer,D enerji aralığının yarısı olmak üzere

Ve = [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image181.gif[/IMG] = [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image183.gif[/IMG] ………………….(42)

Bağıntısı sağlar. Buradaki 1/2 çarpanı, tek parçacık tünellemesi ile ilgilenilmesinden ve kullanılan enerjinin, bir çifti kırmak için gereken 2D nın yarısı olmasından kaynaklanmaktadır. Yani eV çarpımı, enerji aralığının deneysel olarak doğrudan ölçülmesini sağlamaktadır. Bu tür deneylerden elde edilen D değeri, düşük sıcaklık ısı kapasitesi ölçümlerinden elde edilen değerlerle uyum içindedir.

8. josephson tünellemesi

1961 yılında Brion Josephson, tek parçacık tünellemesine ek olarak, Cooper çiftlerinin de tünellenebileceği fikrini ortaya attı. Josephson, çiftlerin hiçbir dirençle karşılaşmadan tünellenerek bir dc akımı oluşturacağını öngörmüştür. Üstelik bu akım hiçbir gerilim farkı uygulanmadan da vardır. Josephson ayrıca, ekleme bir de gerilim uygulandığında; ikinci bir olay olarak bir ac akımının ortaya çıkacağını öngörmüştür.

8.1. Dc Josephson Olayı

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image185.jpg[/IMG] Şekil 8.1.1 Çok ince bir yalıtkanla ayrılan iki süperiletkenden Josephson eklemi.

Şekil 8.1.1 de görüldüğü gibi, 1-2 nm kalınlığında ince bir oksit tabakası ile ayrılan iki süperiletken gözönüne alalım. Böyle bir yapı Josephson eklemi olarak bilinir. Bir süperiletkende çiftler Y = Y0 . eifdalga fonksiyonu ile temsil edilebilir. Burada f, her çift için aynı olan fazı göstermektedir. Bir eklemdeki süperiletkenden birinin fazı f1, diğerinin ki f2 olmak üzere Josephson, sıfır gerilim farkı altında eklemden;

Is = Im . Sin (f1, f2) = Im. Sin δ …. (43)

İle verilen bir süperakım geçtiğini göstermiştir. Burada Im sıfır gerilim farkı altında eklemden geçen maksimum akımı göstermektedir. Im in değeri, süperiletkenlerin temas yönlerine bağlıdır ve oksit tabakasının kalınlığı ile üstel olarak azalır. Jesephson etkisinin ilk doğrulanması 1963 yılında Rowell ve Anderson’dan geldi. O zamandan beri Jesephon’un tüm teorik öngörüleri kanıtlanmıştır. Bir Josephson eklemi için akım-voltaj grafiği şekil 8.12 de görülmektedir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image187.jpg[/IMG]

Şekil 8.1.2. Josephson ekleminin Akım – Voltaj eğrisi

8.2. Ac Josephson Olayı

Bir josephson eklemine bir de voltajı uygulandığında çok dikkat çekici bir olay ortaya çıkar. Bu dc voltaj

I = Im Sin (d-2pft) …….(44)

İle verilen bir ac akımı üretir. Burada d bir sabt olup t=0 daki faz, F de Josephson akımının

f = [IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image189.gif[/IMG]……… (45)

ile verilen frekansıdır. 1 mV lik bir gerilim fark 483,6 MHz lik bir frekans doğrunun Frekans ve voltajın duyarlı ölçümleri, fizikçilerin e/h oranını daha önce düşünemeyecekleri bir doğrulukla tayin etmelerini mümkün kılmıştır.

Ac Josepson olayı değişik yollarla gösterilebilir. Bu yöntem, bir dc gerilim farkı uygulamak ve eklem tarafından üretilen elektromanyetik ışımayı algılamaktadır. Başka bir yöntem de eklemi, frekansı f olan bir dış ışınım ile ışınlamaktır. Bu yöntemde Josephson frekansı f, dış frekans f’nin tam katlarına eşit olduğunda; f’ye karşılık gelen voltaj değeri için I-V grafiklerinde basamaklar meydana gelir. Yani V=fh/ze=nfh/2e değerinde basamaklar oluşur.(Şekil 8.2.1). Eklemin iki tarafı farklı kuantum durumunda bulunduğundan; eklem, enerji soğutarak yada yayarak iki durum arasında geçiş yapan bir alan gibi davranır. Sonuç olarak bir Cooper çifti eklemi geçtiğinde, frekansı f=2eV/h olan birr foton yayılır ve soğurulur.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image191.gif[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image192.gif[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image193.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image195.jpg[/IMG] Şekil 8.2.1. Josephson ekleminde akımının beslem voltajı ve değişimi

9. oksitli süperiletkenler

Oksit süperiletkenlik çalışmaları 1960 ların başlarında başladı. Oksitler, ReO3 ve RuO2 gibi çok iyi metalik özelliklere sahip olanları da olmasına rağmen genellikle iyi metalik özelliğe sahip değillerdir. Diğer taraftan süperiletkenler Tc nin üstünde iyi metalik özelliklerden geçmezler. İlk oksitli süperiletkenlik Nb0 ve T[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image197.gif[/IMG]O ile bulundu. Bu oksitler, içinde bir miktar oksijen çözünmüş metaller olarak düşünülebilir. Bunlar NaCl’a benzer bir yapıya sahiptirler fakat direkt metal-metal etkileşmesi metalik özellik oluşturacak kadar kuvvetlidir. Diğer bazı oksitli süperiletkenlerde direkt metal-metal etkileşmesi yüksek iletkenlik gibi metalik özellik vermekten çok uzak olup çok zayıftır. Bunun yerine, iletkenlik bandı oksijen ve metal arasındaki kuvvetli kovalent band üzerine kurulmuştur.

Müller ve Bednorz, 1986’nın ortalarında kritik sıcaklığı 35 0K e kadar çıkardılar. 1987’nin başında Paul Chu 90 0K in biraz üzerine çıkarmıştır. Bu, süperiletkente ilk defa sıvı azot sıcaklığında süperiletkenlik elde edildiğinden devrim olarak nitelendirilir.

10. süperiletkenler uygulamaları

Yüksek Tc süperiletken teknolojisinin tesiri transistör veya Laserinkine eşit veya onu geçecektir.

10.1. Bilgisayarlar

Süperiletkenler kullanılarak daha hızlı ve küçük bilgisayarlar yapılabilir. Süperiletken ısı yaymadığından devreler daha yakın paketlenebilir. Sonuç, daha komplex ve daha küçük hacime yerleştirilmiş hızlı devreler olacaktır. SC lerin bilgisayarda bir uygulaması yarıiletken araçları bağlamak için kullanılan SC bağlantı hatlarıdır. Diğer bir uygulama Josepson eklemleridir. Bunlar SC elektroniğinde açma-kapama zamanları 6 pikosaniye mertebesindedir. Yarıiletken swiçlerden 10 defa daha hızlıdır. 770 MHz de çalışan 4 bit SC mikroişlemci deneysel olarak geliştirilmiştir.

10.2. Elektrik Güç Nakli

SC iletim hatlarının alışılmış bakır kablolarına göre birçok avantajı vardır. Ana yararı çok önemli miktarda daha fazla akım taşıma kabiliyetidir. Deneysel sıvı helyum çok önemli miktarda daha fazla akım taşıma kabiliyetidir. Deneysel sıvı helyum sıcaklığına kadar soğutulmuş bakır kablodan aynı boyutlar ve voltajdaki bakır kablodan üç kat daha fazla akım taşıyabileceğini göstermiştir. SC nin diğer yararı direnç nedeni ile olan güç kaybının yokluğudur. Bu, çok uzun mesafeerden güç kaybını ekonomik yapar. Jeotermal, hidroelektrik ve güneş enerjileri santrallerin olduğu bölgelerden nüfus yoğunluğu olan bölgelere verimli olarak enerji nakli yapılır. Kirletici olan nükleer ve kömür santralleri yerleşim bölgelerinin dışına inşa edilebilir (Tokyo’da SC iletim hattı inşaatı vardır.)

10.3. Magnetik Ayırma

Magnetik ayırma bir karışım içinden bilinen bazı bileşenleri ayırma metodudur. Değişik bileşenlerin magnetik özellikleri farklı olduğundan bazıları çekilip alınırken bazıları karışımda kalır. HTSC magnetler bir çok uygulamalar sunacaktır; kömürden kükürt ayırma, madenlerden safsızlıkların ayrılması, artık suyun arıtılması, kimyasalların saflaştırılması ve gazların ayrılması gibi düşük maliyet, küçük boyut ve daha yüksek magnetik alan ile HTSC ler bu uygulamalar için çok çekici olacaktır.

10.4. Motorlar

Meissner olayına dayanan SC motorlar, magnetik alan çizgilerini iterler. SC motorlar akım kaybını %50 civarında azaltır. SC motorlar, arabalarda, pompalarda, dönen millerde vs. kullanılır.

10.5. Magnetik Enerji Depolama (SMES)

Magnetik enerji depolamada enerji toprağa gömülen büyük SC magnet ile oluşturulur. Enerji bobinde depolanır ve güç kaybı olmadan sonsuza kadar dolandırılır. Depolamak için enerjiden başka formlara çevrilmesine gerek yoktur. Enerjiye ihtiyaç olduğu zaman çabukça boşaltılır. Bu ise magnetik alanda ve dolayısıyla depolanan enerjide azalmaya neden olur. SMES sistemi % 90 verimle çalışır.

10.6. Güç Transformerları

Bilimadamları, transformerların verimsiz çalışması nedeniyle elektrik güç nakli sırasında enerjinin 1/6 sının kaybedildiğini tahmin etmektedirler. Eğer transformerlarda SC sarımlar kullanılsa verim artacak ve maliyet düşecektir.

#ifndef Tnode_h

Salı, 06 Kasım 2007

#ifndef TNode_H

#define TNode_H

#include "DefinedValues.h"

#include "Team.h"

//class TNode declaration

class TNode

{ private:

Team* pT;

public:

TNode();

TNode(const char* tNamei, const char* tColors1i, const char* tColors2i) ;

TNode* nxt;

Team* GetpT() const {return pT; }

~TNode();

}; //end of class TNode declaration

#endif

Soru

Salı, 06 Kasım 2007

SORU

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image002.jpg[/IMG]

a) I1=?

b) I2=?

c) I3=?

d) VR1=?

e) VR2=?

f) VR3=?

Çözüm= İlk önce kirşof kanunu kullanarak devreden geçen I1 ve I2 akımlarını bulalımikkat edersen E1 ve E2 gerilimleri ,devreyi (-) negatif yönden (+) pozitif yöne doğru tamamlıyor. Bu yüzden E1 ve E2 gerilimleri (-) değer alır.Dolayısıyla dirençler(R) (+) değer alır.

-E1+R1.I1+R3.I1+R3.I2=0

-E2+R2.I2+R3.I2+R3.I1=0

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image003.gif[/IMG]

I1.(R1+R3)+I2.R3=E1

I2.(R2+R3)+I1.R3=E2

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image003.gif[/IMG]

I1.(100+300)+I2.300=10

I2.(200+300)+I1.300=20

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image003.gif[/IMG]

-5/ 400.I1+300.I2=10 *Payda eşitleyerek I1 akımını bulalım.

3/ 500.I2+300.I1=20

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image004.gif[/IMG]

- 2000.I1 – 1500.I2 = - 50

1500.I2 + 900.I1 = 60 * I2’ler birbirini götürür.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image004.gif[/IMG]

-1100.I1 = 10

a) I1= - 0,00909 A = I1= - 9,09 mA

1500.I2 + 900.(-0,00909) = 60

1500.I2 - 8,181 = 60

1500.I2 = 68.18

b) I2 =0,04545 A = yaklaşık ( I2= 45,5 mA )

I3 = I1 + I2

I3 = (- 0,00909 )+ 0,04545

c) I3 = 0,03636 A = yaklaşık (I3= 36,4 mA )

* Dirençlerdeki gerilimi bulmak için V = I . R formülünü kullanıyoruz.

VR1 = R1.I1

VR1 = 100 . 0,00909

d) VR1= 0,909 V = VR1=909 mV

VR2 = R2.I2

VR2 = 200 . 0,04545

e) VR2= 9,09 V

VR3 = R3.I3

VR3 = 300 . 0,03636

e) VR3= 10,9 V

********* WORK BENCH programında cevapların ispatı*********

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image006.jpg[/IMG]

Türev Alıcı Ve İntegre Edici Devreler

Salı, 06 Kasım 2007

TÜREV ALICI VE İNTEGRE EDİCİ DEVRELER

Teoriksel İspatı:

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image002.jpg[/IMG] Yukarıdaki devrede Kirchoff’un Gerilim kanunu uygulanır.

1-a) Vc (t) + VR (t) = VG (t)

1-b) 1/C∫i(t)dt + Ri (t) = VG (t)

1-c) i(t) = VG (t) / R . e-t/RC

1-d) VR = VG . e-t/RC

1-e) Vc = VG ( 1- e-t/RC )

Sonuçları elde edilir.

T<<RC veya T>>L/R ise (1-c,d,e) denklemlerinden i→VG /R, VR→ VG, VC→0, (2-c,d,e) denklemlerinden i→0, VR→0, VL→VG elde edilir. O halde; VR>>VC, VL>>VR olur. Bu sonuçlar Denklem 1-b) ve 2-b) de kullanılırsa;

İ = VG/R veya i = VG/L.dt elde edilir. Buradan;

VC = 1/RC VG dt ve VR = R/L VG dt bulunur.

Bu şartlar altında bu gerilimler, giriş gerilimlerinin integrali ile orantılıdır. Çıkış olarak bu gerilimler alınırsa matematikteki integral almaya benzetilerek, bu devreler “İNTEGRE EDİCİ” devre adını alır.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image004.jpg[/IMG] Yukarıdaki devrede Kirchoff’un Gerilim kanunu uygulanır.

2-a) VR (t) + VL (t) = VG (t)

2-b) Ri (t) + L.di(t) / dt = VG (t)

2-c) i(t) = VG(t) / R. (1-e-tR/L)

2-d) VR (t) = VG (1- e-tR/L)

2-e) Vc (t) = VG e-tR/L

Sonuçları elde edilir.

T>>RC veya t >>L/R ise (1-c,d,e) denklemlerinden i→0, VR→0, VC→VG (2-c,d,e) denklemlerinden; i→VG / R, VR→ VG, VL→0 elde edilir. O halde : VR<<VC, VL<<VR olur.Bu sonuçlar denklem 1-a) ve 2-b) kullanılırsa;

VR = Ri = RC.dVG/dt , VL = L.di/dt = L/R.dVG/dt bulunur.

Bu şartlar altında bu VR ve VL gerilimleri giriş gerilimi VG’nin türevi ile orantılıdır.Çıkış olarak bu gerilimler matematikteki türev almaya benzetilerek bu devreler “TÜREV ALICI” devre adını alır.

·Bu teorik ispatta önemli olan birkaç husus şudur;

·RL devresi için çıkış gerilimi Bobin ( L ) üzerinden alınır ise bu devre Türev alıcı olarak, Direnç ( R ) üzerinden alınırsa İntegre edici olarak davranır.

·RC devresi için bu durum tam tersidir; çıkış gerilimi Kapasitör ( C ) üzerinden alınırsa İntegre edici, Direnç ( R ) üzerinden alınırsa Türev alıcı olarak davranır

·Devrelerin yazılanlar gibi davranması için tek ve olur şart zaman sabitinin “T” değerinden çok, çok ufak (RL için) zaman sabitinin “T” değerinden çok, çok büyük olması (RC için) gerekir.

Deneysel İspatı:

Teorik olarak kavradığımız konumuzu çeşitli malzemeler yardımıyla deneysel olarak da kavrayıp anlayabiliriz. Bunun için öncelikle “Devre 1” ve “Devre 2” devrelerini deney setimizde kurmalıyız.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image006.gif[/IMG] Devre 1[i]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image008.gif[/IMG] Devre 2[ii]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image009.gif[/IMG]

V

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image010.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image011.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image011.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image010.gif[/IMG] 2V

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image012.gif[/IMG]

t

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image013.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image010.gif[/IMG] -2V

Grafik 1

Deney setimize kurmuş olduğumuz devrelerimizin Girişlerine sinyal jeneratörü yardımıyla 1 kHz. frekansında 4V değerinde kare dalga (Grafik 1) tatbik ederiz. RC devresi için RPOT değerleri sırası ile 1,2,4 kOhm değerlerine getirilerek Kapasitör ve direnç üzerlerindeki gerilimler Osiloskop yardımıyla Grafiksel (Tablo 1) olarak kaydedilir. RL devresi için RPOT değerlerini sırasıyla 50,150,1150 Ohm değerlerine getirip Bobin ve Direnç üzerindeki gerilimleri Osiloskop yardımıyla Grafiksel (Tablo 2) olarak kaydedilir.

Tablo 1

1k 2k 4k

Kapasit.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image012.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image012.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image012.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image012.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image014.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image012.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image009.gif[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image015.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image016.gif[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image017.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image018.gif[/IMG]

Direnç

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image019.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image020.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image009.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image009.gif[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image021.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image022.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image023.gif[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image024.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image025.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image023.gif[/IMG]

Tablo 2

50 150 1150

Bobin

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image026.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image012.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image012.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image012.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image012.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image012.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image009.gif[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image027.gif[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image028.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image029.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image015.gif[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image030.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image031.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image018.gif[/IMG]

Direnç

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image032.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image033.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image034.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image035.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image009.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image009.gif[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image036.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image037.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image038.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image039.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image040.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image023.gif[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image041.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image042.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image023.gif[/IMG]

·Grafikler yorumlandığında Türev alıcı ve İntegre edici devre Grafiklerinde Matematikteki tanımlarına uygun olarak “sıfıra” yaklaşma gibi davrandıklarını tespit edebiliriz…

[i] Devre Çizimlerinde Orcad Capture V.9.2 Kullanılmıştır

[ii] Devre Çizimlerinde Orcad Capture V.9.2 Kullanılmıştır

Tristörlerin Ujt Ve Triyakla Çalıştırılması

Salı, 06 Kasım 2007

TRİSTÖRLERİN UJT VE TRİYAKLA ÇALIŞTIRILMASI

1.Tristör

Tristör, gazlı lambaların thayratron ve civa buharlı redresörlerin yerini alan yarı iletkendir. İlk yapıldığı 1957 yılından ber büyük gelişme göstererek 600 amper 1800 voltluk tristörler yapılmıştır. Tristörler elektrik ve elektronikte çok geniş bir kullanma alanına sahiptirler. Örneğin, kumandalı redresörler, elektronik kontaktörler, zaman röleleri, DC ve AC motorların hızlarının ayarlanması ve dönüş yönlerinin değiştirilmesi gibi.

Tristörler sırasıyla birbirini takip eden “P” ve “N” tipi silisyumdan yapılmış dört tabaka yarı iletkenden meydana gelmiştir. Bu dört tabakanın en dışındaki “P” tabakası anaot diğer dıştaki “N” tabakası katod görevi yapar. Bu uçlardan geçecek akım kontrol elektrodu (geyt, kapı) denen üçüncü uç ile kontrol edilir. Şekil:1’ de tristörün sembolü, şekil:2’ de yapısı, şekil:3’ te ise üç diyota denk eşdeğer devresi görülmektedir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image001.gif[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image002.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image003.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image004.gif[/IMG] P1

N2

P2

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image005.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image006.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image007.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image007.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image007.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image007.gif[/IMG] N1

Şekil:1a Şekil:1b-c

Şekil :1 de görüldüğü gibi anot-katod arasına uygulanan gerilimin kutupları ne olursa her durumda tristör içinde bulunan PN birleşimlerinden biri ters yönde polarılmıştır. Bu sebepten kapı devresine uygun ateşleme gerilimi uygulanmadığı sürece normal çalışma geriliminde tristör her zaman yalıtkandır. Anot pozitif, katod negatif olacak şekilde tristöre gerilim uygulanacak olursa şekil:1c’ de. 1 ve 3 nolu diyotlar ileri yönde, 2 nolu diyot ters yönde olur. Buna göre 1 ve 3 nolu diyotlar iletken, 2 nolu diyot yalıtkan duruma geçer. Polarma değişirse yani anot negatif, katod pozitif olursa 1 ve 3 nolu diyotlar yalıtkan 3 nolu diyot iletken duruma geçer. Tristörün iletken olabilmesi için “G” nin pozitif olarak edilmesi gerekir. Şekil 2’ de tristörün birbirine paralel bağlı iki transistöre benzetilişi görülmektedir.

Şekil:2

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image008.gif[/IMG]

Doğru akımı kaynağının pozitif ucu anoda negatif ucu katoda bağlanır. Eğer “G” pozitif olarak şekilde katod ile kapı arasına bir işaret uygulanırsa “B” den “E” ye doğru küçük bir I1 akımı akar. Bu taban akımından dolayı T1 transistörünün kollektöründen I2 akımı akar. Bu akım T2 transistörünün taban akımı olacağından T2 iletken durumuna geçer. T2 transistörünün I3 toplayıcı akımı geri besleme yaparak T1 transistörünün taban akımını sağlar. Böylece her iki transistör dolayısıyla tristör iletime geçmiş olur. Eğer “G” ye uygulanan pozitif işaret kaldırılacak olursa transistörler yani, tristör yalıtkan olmaz. Çünkü transistör diğer transistörün taban akımını sağlayarak her iki transistör de iletimde kalır. Böylece büyük bir anot akımı çok küçük (birkaç miliamper) bir kapı akımıyla kontrol edilmiştir. Tristörün bu özelliği aynen thayratrona benzer. Yalnız thayratrona işaret gerilimi uygulandığı halde tristöre işaret akımı uygulanır.

Tristör yalıtkan iken devresinden küçük bir sızıntı akımı akar. Eğer tristöre uygulanan düz gerilim yavaş yavaş arttırılırsa belirli bir değerde (VBO ) tristör iletime geçer. Genel olarak tristör bu gerilimin çok altında çalıştırılır. Bu durumda küçük bir kapı akımı tristörü iletime geçerir. Tristörün iletim durumunda kalabilmesi için içinden geçen akımın IH değerinin altına düşmemesi gerekir. Tristör akımı IH değerinin altına düşerse, tristör kesime gider. Tristöre uygulanan gerilimin kutupları değiştirilirse yani tristörün anoduna akım kaynağının negatif ucu katoda pozitif ucu bağlanırsa tristör ters polarize edilmiş olur. Ters gerilim sıfır iken devreden akım geçmez. Gerilim arttırılmaya başlanırsa tristörden bir sızıntı akımı geçer. Gerilim artışı VRMS değerine gelince akım aniden yükselir. Buna tristörün ters gerilimi denir. Tristörün ters gerilimi hiçbir zaman bunun üzerine çıkmamalıdır. Tristör düz polarmada iletime geçtiği zaman üzerinde 1V. kadar bir gerilim düşümü olur. Bu gerilim aynı özellikteki thayraton lambaya göre hayli küçüktür. İletimdeki tristöre ters bir anot gerilimi uygulanırsa.10 mikrosaniye içinde tristör kesime gider. Bu değer thayratonunkine göre çok küçüktür. Bu sebebten tristörler daha yüksek frekanslarda da kullanılırlar.

Doğru akım devresine bağlanmış düz polarmalı bir tristör iletime geçtikten sonra “G” ucunun akımı kesilirse, tristörün iletkenliği devam eder. Tristörün iletimini kesmek için devreden geçen akımı IH akımının altına düşürmek yani, anot devresini kesmek gerekir.

2. Tristörlerin DC devrelerin de çalıştırılması:

Şekil: 3b deki bağlantı yapılır. Burada U1 doğru akım yük gerilimi U2 doğru akım kaynağı kapı gerilimi R ayarlı direnç. R ayarlı dirençten ötürü kapı gerilimi sıfır iken tristör, düz polarize edildiği halde yalıtkandır. R direnci yavaş yavaş devreden çıkarırsak “G” gerilimi 1 volt ve akımı 20 miliamper olunca tristör iletime geçer. Kapı gerilimi sıfıra düşürülürse tristörün iletime devam ettiği görülür.

Doğru akım kaynağına bağlı bir tristör iletime geçtikten sonra şu yollarla yalıtkanlık durumuna geçebilir.

Şekil:3a Şekil:3b

a.Seri anahtarla durdurma:

Şekil:3a’ da görüldüğü gibi “S” anahtarı açılarak devreye uygulanan gerilim kesilir. Bu durumda tristörün uçlarındaki gerilim sıfırdır. “S” anahtarı kapatılırsa, tristörün yalıtkan duruma geçtiği görülecektir. Tekrar iletken duruma geçmesi için “G”ucuna kontrol geriliminin uygulanması gerekir.

R

C

+

-

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image010.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image011.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image012.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image013.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image014.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image015.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image016.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image017.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image016.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image018.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image019.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image020.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image021.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image022.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image023.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image023.gif[/IMG] -

+

S

yük

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image024.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image025.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image026.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image027.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image028.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image029.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image030.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image031.gif[/IMG][IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image032.gif[/IMG]b. Paralel anahtarla durdurulma:

Şekil:4a’ da devrede tristöre paralel olarak konan bir anahtar çalışmayı durdurmak için kullanılır. Tristör iletimde iken anahtara basıldığı zaman bütün akım anahtar üzerinden geçer. Tristör üzerindeki akım ve gerilim sıfır olur. Tristörde gerilim olmadığı için tristör yalıtkanlık durumuna geçer. Tristörün yalıtkanlık durumuna geçmesi için en az anahtarı 100 mikrosaniye kapalı tutmak gerekir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image033.gif[/IMG]

Şekil:4a Şekil:4b

c. Kapasitif durdurma:

Şekil:4b’ de bir DC devresini kontrol eden tristörün bir kapasitif devre ve anahtar yardımı ile durdurulması görülmektedir. Devre normal çalışırken “R” şarj dirençi üzerinden “C” kondansatörü dolar. Bu anda “S” anahtarı açık durumdadır. “S” anahtarı kapatıldığı zaman kondansatör tristör üzerine ters yönde bir gerilim uygular. 10 mikro saniye gibi kısa bir zaman içinde tristörün çalışması durur. Anahtar açılıp tristör tekrar ateşlendiği zaman çalışma tekrar ateşlendiği zaman çalışma tekrar başlar ve devam eder.

3. AC devrelerinde tristörlerin çalıştırılması ve durdurulması:

a. Dirençli bir devre ile çalıştırmak:

Şekil :5’teki bağlantı yapılır. Devreye alternatif akım verilir. Birinci durumda anot pozitif katod negatiftir. Düz polarma olduğu için tristör iletime hazırdır. Anottan alınan pozitif gerilim “R” direncinde kapı gerilimi değerine düşürüldükten sonra “d” diyotuna doğrultularak “S” anahtarına gelir. Tristörün tetiklenmesi için “S” anahtarı kapatılır. “D” diyodundan gelen kapı gerilimi tristörün “G” ucuna uygulanır. Tristör iletime geçer. Tristörün iletkenlik durumu pozitif alternansın sıfır olmasına devam eder. Alternans sıfır olunca devre akımı kesilir. Tristör yalıtkan duruma geçer. Alternans yön değiştirince yani ikinci durumda anot negatif, katod pozitif olacaktır. Tristör ters polarmalı olduğu için yalıtkanlığı devam eder. Ayrıca”G” ucuna bağlı “D” diyodu ters yönde akımı geçirmeyeceği için tristöre kapı gerilimide uygulanmaz ve ateşleme (tekikleme) akımı akmaz. Alternans yön değiştirince tristör tekrar birinci duruma geçerek düz polarıze olur ve “G” akımı ile iletime geçer. Bu devrede yükten sadece pozitif alternanslar geçer. Diğer alternanslar geçmez. Tristörü durdurmak için “S” anahtarını açmak gerekir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image034.gif[/IMG]

Şekil:5

b. Faz değiştirme devresi ile çalıştırma:

Bunun için şekil:6’ daki bağlantı yapılır. şekil:5’ teki devrede faz değiştirme devresi olmadığı için anot ile kapı aynı fazdadır. Anot pozitif iken kapıda pozitifdir. Anot negatif iken kapıda negatifdir.. Bu durumda fazın alternansını bir kısmının kesilmesi çok zordur. Direnç değeri biraz büyültülerek tristörün gecikmeli ateşlenmesi sağlanabilir. Yalnız burada yapılan faz kesmesi çok sınırlıdır. Bu sebepten faz kesmesinin çeşitli ve istenilen açılarda gerçeklemesi için thayraton lambalarda olduğu gibi faz değiştirme devresi ile çalıştırılır. Faz kaydırma devresi kapı ucuna bağlanır anot pozitif olduğu halde kapı negatif ve sıfır gerilimde ise tristör yalıtkan durumdadır. Kapı pozitif olur olmaz tristör iletime geçer ve iletkenliği alternansın sonuna kadar devam eder. Alternansın kesilmesiyle çıkan gerilimin ortalama değeri düşer dolayısıyla tristörler gerilimi kademeli düşürmek veya yükseltmek için kullanılırlar. Tristörler radyo,televizyon vb. devrelerde kullanıldığı gibi endüstiriyel elektronikte şu devrelerde de kullanılır: Elektronik kontaktör ayarlı redresör, alternatif akımda faz ayarı konvertisör vb.

Şekil:6

c. Tekbileşimli UJT (unijonctıon) transistör:

Tristörlerin kısa süreli bir pals ile ateşlenmesi için genellikle tek bileşimli transistör kullanılır. UJT de biri “P” tipi diğeri “N” tipi olmak üzere iki yarı iletken kristal vardır. Bu sebepten buna iki taban da denir. “N” tipi silisyumdan yapılan yarı iletken kristal çubuğun iki ucunda dışarıya iki bağlantı iletkeni çıkarılmıştır. Bunlara 1. nci taban (B1) ve ikinci taban (B2) adları verilir. “N” tipi kristal çubuğun ortasına yakın bir yere “p”tipi yarıiletken birleştirilmiştir. “P” tipi yarı iletkene yayıcı (emiter) “E” denir. Şekil 2-57 deki prensip şemasında görüldüğü gibi E1 ve E2 uçlarına VBB gerilimi uygulanırsa,”N”den çok bir akım geçer.Bu akım nedeniyle “E” ile B1 arasında “VE “ gerilim düşümü olur. Eğer “E” ile “B1” arasına “E”pozitif B1 negatif olmak üzere dışardan bir gerilim uygulanırsa “VE “ den küçük kaldıkça UJT nin içinde hiçbir elektriksel olay olmaz. Dışardan uygulanan gerilim “VE “ geriliminin bir miktar üzerine çıkarsa “E” ile “B1” arası doğru yönde polarize edilir. Doğru polaramada “E” ile “B1” arasındaki direnç çok küçülür. “E” den “B” ye büyük bir akım akar.

Yukarıda çalışma prensipi açıklanan UJT ile bir tristörün tetiklenmesine ait bir devre şekil:7’ de görülmektedir. Bu devrede “S” anahtarı kapatıldığında 20 voltluk bir gerilim “R3” potansiyometresi ile “C1” kodansatörüne uygulanır. “C1” doldukça uçlarındaki gerilim büyür.

Bu gerilim değeri UJT nin yayıcısı ile birinci tabanı “B1” arasındaki gerilim değerinin üzerine çıktığı zaman “E” ile “B1” arasındaki direnç küçülür “C1” kondansatörü ”E” den “B1”re doğru hemen boşalır. Bu boşalma akımı “B1” direnci üzerinden kısa süreli bir gerilim düşümüne sebep olur. Bu gerilim kapı ucuna bağlı olduğu için tristörü iletime geçirir.

UJT ile tetiklemede kumanda devresi ile tristör devresinin senkronize olması istenir. Bunun için AC gerilimi bir transformatör ile düşürüldükten sonra diyotlarla doğrultulur. Doğrultulan bu gerilim sinüs eğrilerinin tepeleri zener diyot ile kırpılır. Sonra bu gerilimi “R3” ile ”C1” devresine, oradan da UJT ye uygulanır. UJT ten bu gerilim daha öncede açıklandığı gibi pals şeklinde çıkarak tristörün kapı ucuna verilir. Ve tristörün tetiklenmesi sağlanır. Dolayısıyla tristörün iletimi boyunca kapısından akım geçmesine gerek kalmaz kapının ısınması bu şekilde önlenmiş olur. “R3” ayarlı direnci ile faz farkı yaratılarak gecikmeli ateşleme yapılır.

Şekil:7

Özel Tristörler

Salı, 06 Kasım 2007

ÖZEL TRİSTÖRLER

Tristör tanımının dışında kalan bazı tristörler bulunmaktadır.Bunların bazı özellikleri normal tristörlerdekine benzemekle beraber yeni yetenekler eklenmiştir. Bunlar iki yönlü iletebilme veya tıkama , ters kapı akımıyla tıkamaya sokulabilme , ışıkla iletime geçirilebilme gibi özelliklerdir.

TRİYAK

TANIM VE ÖZELLİKLERİ:

Tristörün sadece bir yönde akım iletimini gerçekleştirmesi özellikle AC güç kontrol devrelerinde çoğunlukla dezavantajdır.Her iki yönde de iletime geçirilebilen bir eleman mevcuttur.Bu eleman triyaktır.

Triyak (TRIAC),”Triode (three electrode) AC” [üç elektrotlu] yarı iletken anahtar olarak anılabilir fakat genel kullanımı bu kelimelerin baş harflerinin kullanılmasıyla kısaltılmıştır. AC devrelerinde, tristörler gibi bir kapı sinyali kontrolüyle akım anahtarlamalarında kullanılırlar.

Akımı her iki polariteyi de geçirebilme ya da tıkama özelliği bulunur ki bu özelliğinden dolayı , triyak -genel olarak– iki yönlü triyot tristör olarak adlandırılır. İki tek yönlü tristörün ters paralel bağlanmış şekli gibi davranırlar. Böylece , uygulanmış olan gerilimin her iki polaritesini de iletme ya da tıkama yeteneğine sahiptir. Bir pozitif veya negatif kapı akımı kullanarak her iki yönde akım geçişi sağlanabilir. Özellikle şebeke frekanslı AC kontrolü için kullanılırlar. Triyağın kullanışlılığı ve güç tutabilme özelliğinin artması nedeniyle AC , DC motor hız kontrolü (ve çalıştırılması) ; ışık ayarı (dimmer) ;AC statik anahtarlama ve ısıtıcı kontrolü gibi tam dalga kontrol uygulamaları için aranan ve çok elverişli bir elemandır. Bir kristal yapı içinde iki ters paralel p-n-p-n zincirini sağlamak zor olduğun için trisrörler kadar büyük akım ve gerilim değerleri için üretilmezler.Triyağın kullanımı , normal bir tristöre göre,bir soğutucu ve bir tetikleme devresi yeterli olduğundan daha ekonomiktir.

Anot gerilimi UA ve kapı gerilimi UG ‘nin yönüne bağlı olarak triyağın 4 tetikleme bölgesi vardır(1.,2.,3.,4. Bölgeler).

Triyaklar , 200 A akım değeri ve 1000 V gerilim değerlerine kadar kullanılabilir. 400 Hz’e kadar ve özellikle 50-60 Hz’de kullanılabilir.Tipik tetikleme seviyeleri ve büyüklükleri tristörünkilere benzerdir.Mesela , 10-2 mertebesindeki akımlar ve 1 veya 2 voltluk kapı tetikleme sinyali ; 1 ve 2 V iletimdeki gerilimini kapsayan bir sahadadır.

Triyak ve normal tristör arasındaki yön kavramından kaynaklanan farklılığı görmezlikten gelirsek, aralarında birçok benzerliğin olduğunu görebiliriz.Bunlar , ilgili kullanılan terimler (terminoloji) ; tetikleme metotları , uygulamaları ; 1. Bölge karakteristikleri ve üretim teknikleridir. Triyaklarda kapı akımına hassasiyet normal tristörlere nazaran daha azdır , serbest kalma süreleri daha uzundur.Kritik gerilim yükselme hızları da daha küçüktür.Bu nedenle endüktif yüklü uygulamalarda kullanımları zordur çünkü kapı kontrolleri tekrar elde edilemez

Şekil 1.1‘de bir tipik düşük akımlı triyağın değerleri verilmiştir.Birçok triyak açıklaması , sembolü , ve büyüklükleri tristördekilerle aynıdır.Bu tablodaki veriler genellikle en kötü haldir, bu nedenle ana uç ve kapı polaritesi durumlarından en zorlusunu yansıtır.Triyak kapı nicelikleri tepe değerleri ile en düşük kapı tetikleme seviyeleri değerleri karıştırılmamalıdır.Kapı nicelikleri tepe değeri , maksimum izin verilen kapı kaybı ve düşük kapı tetikleme seviyeleri değerleri de , tetiklenme için gerekli olan minimum seviyeyle ilgilidir.Şekil 1.1.(a) ve (b). Tipik triyak verileri , geçirme akımı ve maksimum sıcaklık ile ilgili olan grafikleri içerir.

40485

40486

Kapama Durumunda Periyodik Gerilimin Tepe Değeri ,VDROM

200 V

400 V

Kapı Tetikleme Akımı Tepe Değeri , IGTM , (Max.1μs için)

4 A

4 A

Kapı Güç Kaybı, PGM (tepe) (Max 1μs ve IGTM ≤ 4 A (tepe) için)

16 W

16 W

Ortalama PGAV

0,2 W

0,2 W

Geçirme Akımı RMS Değeri, It(RMS) ,

TC =+75°C ve 360°’lik iletme açısı için

6A

6A

Şekil 1.1.(a) MT ve Kapı Geriliminin Her İki Polaritesine Ait Bazı Büyüklükler

Karakteristik

Sembol

Sınırlar

Birim

40485

40486

Min

Tİpik

Max

Min

Tipik

Max

Kapamadaki Akım Tepe Değeri ,

TJ=+100°C için

IDROM

0,1

4

0,2

44

mA

Maksimum İletim Gerilimi,

İT = 30 A(tepe) ve TC =+25°C için

vT

1,6

4

1,6

2,25

V

DC Tutma Akımı , TC =+25°C için

IH0

15

2,25

15

30

mA

Komutasyon Gerilimi Kritik YükselmeHızı, VDROM=VD, It(RMS)=6A,

di/dt=3,2A/ms ,TC =+75°C için

3

10

30

3

10

V/μs

Kapama Gerilimi Kritik Yükselme Hızı , TC =+100°C

dv/dt

30

150

20

100

DC Kapı Tetikleme Akımı,VD=12V(dc),RL=12Ω,TC=+25°C için

I.Bölge

III.Bölge

IV.Bölge

II.Bölge

IGT

mA

15

25

15

25

15

25

15

25

25

40

25

40

25

40

25

40

DC Kapı Tetikleme Gerilimi , RL=12Ω VD=12V(dc), TC=+25°C için ve VDROM=VD, RL=125Ω , TJ=+100°C için

VGT

1

2,2

1

2,2

V

0,2

0,2

Kapı Kontrollü İletime Geçme Zamanı

(Gecikme Zamanı + Yükselme Zamanı)

tGT

2,2

2,2

μs

Termik Direnç (Jonksiyon-Gövde)

4

4

°C/W

Şekil 1.1.(b).Karakteristikler.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image002.jpg[/IMG]

ANA UÇ KARAKTERİSTİKLERİ:

Şekil 1. 2.Ana Triyak Yapısı ve Devre Sembolü

Ana triyak yapısı şekil 2‘de gösterilmiştir.Triyakda iki yönlü akım geçişi olabildiğinden dolayı ana uçlar , anot ve katot yerine MT1 ve MT2 olarak adlandırılır.MT1 ucu , kapı ucundaki ve MT2 ucundaki akım gerilim ölçümündeki referans noktasıdır.Her iki ana ucun da ,hem n –tipi hem de p- tipi emiter ile omik kontakları vardır.MT2’deki n-tipi emiter ,MT1 ‘deki p- tipi emiterin direk olarak tersindedir ve MT2’deki p-tipi emiter , MT1’deki n-tipi emiterin direk olarak tersindedir.Bu da, MT1 ve MT2 uçları arasındaki bölgenin p-n-p-n ve n-p-n-p zincirlerinin paralel bağlantısından oluştuğunu gösterir.Kapı bölgesi daha karmaşık bir yapıdadır.

Bu eleman bir kısa devre emiter yapısına sahiptir.n emiterleri ,komşu p bölgelerine kısa devre edilmiştir.Bu nedenle ,bu jonksiyonların gerilimleri sıfırdır.Eğer kapıya bir darbe uygulanırsa , elektronlar n3 ‘den p2 ‘ye doğru hareket eder.Elektronlar n2 ‘ye birikir ve iletime geçme oluşur.Eğer kapıya negatif bir darbe uygulanırsa ,elektronlar n4 ‘den p2 ‘ye hareket eder ve sonuçta yine tetiklenme gerçekleşmiş olur.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image004.jpg[/IMG]

Anot gerilimi UA ve kapı gerilimi UG ‘nin yönüne bağlı olarak triyağın 4 tetiklenme bölgesi bulunmaktadır(Şekil 1.3.).Triyak 1 ve 3. bölgelerde en hassastır ,tetiklenmesi en kolaydır.Daha sonraki hassasiyet sırası 4 ve 2 .bölgelerdir .Modern triyaklar bu 4 bölgede de tetiklenebilecek yapıdadır.

Şekil 1. 3. (a) Anot Akım-Gerilim Karakteristiği , (b)Tetiklenme Bölgeleri

Şekil 1.3.(a)‘da AC akım-gerilim karakteristiği gösterilmiştir. Referans noktası olarak MT1 alınmıştır . 4 tetiklenme bölgesini inceleyecek olursak , 1. bölge MT2’ nin MT1‘e göre pozitif olduğu bölge ve 3. bölge de MT2 ’nin MT1 ‘e göre negatif olduğu bölgedir.Normal tristördeki gibi triyak da kapamadan iletime devrilme gerilimi V B0 ‘da geçer.İletimde, ana akım, IH tutma akımı altına düşene kadar kapı kontrolünü kaybetmiştir. Devrilme noktasına kapı ucuna pozitif veya negatif bir darbe uygulanarak daha düşük bir ana uç geriliminde ulaşılabilir . Devrilme geriliminin (VB0 ‘ın) ,her iki bölgede de , kapı kontrolünü yitirmemek için , uygulanan normal AC dalga şeklinden büyük olması gerekir . Böylece her iki polaritede, belirtilmiş genlikteki bir kapı akımı , her iki bölgede triyağı iletime sokacaktır . Eğer VB0 aşılırsa (kısa süreli de olsa) , triyak iletime geçer ve akımı ,tutma akımı IH‘ın altına düşene kadar iletimde kalır . Bu hareket triyakta aşırı süreksiz gerilimler için doğal bir bağışıklık sağlar ve genelde yardımcı koruyucu elemanlar için duyulan ihtiyacı yok eder . Bazı uygulamalarda ,triyağı süreksiz sinyalle iletime sokmak , kontrol edilen devrede bazı istenmeyen ve tehlikeli sonuçlar doğurabilir . Triyağın kendisi bu geçici sinyallerden zarar görmese bile , iletime geçmesini önlemek için geçici sinyal bastırması gereklidir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image006.jpg[/IMG]

Şekil 1.4. Triyak Kesit Görünüşü ve Farklı Çalışma Durumlarında Akım Geçişi

Şekil 1.4 ‘de MT2 ve kapının durumuna göre jonksiyonlar arası akım geçişi gösterilmiştir. Şeklin üst yarısı , MT2 pozitifken (MT1 referans alınmıştır) negatif ve pozitif kapı tetiklemesi olasılığını gösterir.Pozitif kapı gerilimi ile , kapı akımı , gösterilmiş iletimdeki (forward biased) p-n jonksiyonundan geçerek kapıdan MT1’e akar.

Negatif kapı sinyalleri de triyağı tetikleyebilir.Tek fark , asimetri ve ana akım etkilerinden dolayı ihtiyaç duyulan IG akımı seviyesindeki bazı farklılıklar ve kapı akım yoludur.

Tristörlerin kapamaya geçmesi için tam bir negatif yarım periyodu vardır fakat triyak , her iki yarım periyotta da iletir ve bu nedenle ana gerilim sıfırdan geçerken triyak kısa bir sürede kapamaya geçmelidir.

Tristörlerdekine benzer olarak , triyak akım büyüklükleri maksimum jonksiyon sıcaklığına bağlıdır . Akım büyüklüğü –uygun soğutma şartlarında -, güç kaybı , (RThJC ) (iç termik direnç) jonksiyon gövde termik direnci ile belirlenir . Eğer gövde sıcaklığının belirlenmiş değerinin üstüne çıkmasına izin verilirse,triyağın belirlenmiş gerilimini tıkaması ya da ana uç akımı sıfır değerine düştüğünde emniyetli (güvenilir) bir iletimden çıkma olayı garanti edilemez.

Endüktif yükler için , hat akımı ve hat gerilimi arasındaki faz kayması triyağın iletimden çıkması anlamına gelir ve daha sonra triyak uçlarında oluşması gereken belirli bir hat gerilimi meydana gelir. Eğer bu gerilim çok hızlı bir şekilde oluşursa , yük taşıyıcılarında çığ oluşabilir ve bu çığ sonucu triyak hemen tekrar iletime girer . Belirli endüktif yüklerle uygun bir komutasyon elde etmek için dv/dt değeri , triyağa paralel bağlı RC devresiyle ya da akım – gerilim faz kayması veya jonksiyon sıcaklığının azaltılmasıyla sınırlandırılmalıdır.

KAPI TETİKLEME KARAKTERİSTİKLERİ:

Triyak , 1. ve 3. bölgelerde , düşük enerjili pozitif veya negatif kapı akımlarıyla tetiklenebileceği için devre tasarımcısı kontrol elemanlarını seçebilmesi için geniş bir alana sahiptir.Tetikleme , DC ,doğrultulmuş AC, AC , veya UJT , neon lamba ,anahtarlama diyotları [(ST2)diyak,SBS, asimetrik tetikleme anahtarı(ST-4)] gibi darbe kaynaklarından elde edilebilir .Burada önemli olan , iki yönlü karakteristik sergileyen tetikleme elemanları kullanmaktır . Bu olay , tetikleme elemanı sinyali , AC hattan elde edildiğinde önem kazanır ve bazı belirli pozitif ve negatif gerilimlerde tetikleme elemanının devrilmesi veya iletmesi istenilir bir olaydır.

TRİYAK TETİKLEME DURUMLARI

MT1’e göre

MT2 GERİLİMİ

MT1’e göre

KAPI GERİLİMİ

Çalışma

Bölgesi

Pozitif

Pozitif

Negatif

Negatif

Pozitif

Negatif

Pozitif

Negatif

I (+) I

I (-) IV

III (+) II

III (-)III

Not+) ve (-) işaretleri kapı tetikleme akımı veya geriliminin polaritesini gösterir. MT1 ucu referans noktasıdır.

Şekil 1.5. Triyak Tetikleme Durumları

Triyağın hassasiyeti II. ve IV. bölgelerde biraz daha düşük olduğundan özel durumlar oluşmadıkça bu bölgelerde (özellikle II. bölgede) kullanılmaz.Böyle bir durumda, bu uygulama için özel olarak seçilmiş triyaklar kullanılabilir.

Triyağın V-I karakteristiğini incelenirse , kapı ve MT1 uçları arasında düşük non-lineer empedansın bulunduğu görülür . Karakteristik , bir çift diyodun ters paralel biçimde bağlanmasıyla oluşan karakteristikle benzerdir.

Triyak çalışma teorisi hakkında temel sağlayan 4 ana tristör kavramı vardır:

a)Temel Geri Tıkamalı Triyot Tristör(The Basic Reverse Blocking Triode Thyristor or SCR)

b)Kısa Devre Emiterli Tristör(The Shorted Emitter Thyristor)

c)Jonksiyon Kapı Tristörü(Junction Gate Thyristor)

d)Uzak Kapı Tristörü(Remote Gate Thyristor)

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image008.jpg[/IMG]

c)Jonksiyon Kapı Tristörü şekil 1.6‘da gösterilmiştir.

Şekil 1.6. Jonksiyon Kapı Tristörü

Başlangıçta , IG kapı akımı , yardımcı p1–n1–p2–n3 yapısının p2–n3 kapı jonksiyonunu iletime sokar ve p1–n1–p2–n3 yapısının iletime geçmesiyle bu yapıdaki gerilim düşümü azalır . p2 bölgesinin sağ tarafı anot potansiyeline erişmeye başlar . p2 ‘den yanal bir akım geçer . p2-n2 ‘nin sağ köşesi iletime geçtiğinde elektronlar bu noktaya gelir ve ana yapı iletime geçer.

d)Uzak Kapı Tristörü şekil 1.7 ‘de gösterilmiştir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image008.jpg[/IMG]

Şekil 1.7. Uzak Kapı Tristörü

Dış kapı akımı , IG , p1-n3 ‘ ün iletime girmesine neden olur ve şekilde gösterildiği gibi elektronlar hareket eder . Bu elektronlar , p1 bölgesinde yayılır ve p1–n1 jonksiyonu tarafından toplanır . p1–n1 iletime geçse bile hala bir kollektör gibi hareket eder . n3 ‘deki elektronlar , p1–n1 tarafından toplanır ve p1–n1 ‘de bir akım artışı meydana gelir.Eleman tekrar iletime geçer.

Yukarıdaki 4 elemanın belirgin özellikleri tek bir elemanda birleştirilebilir.Bu eleman triyaktır.

Aşağıda tipik bir triyağın yapısı gösterilmiştir (Şekil 1.8).Çalışma şekli şu şekildedir:

a)Ana uç 2 (MT2) pozitif , pozitif kapı akımı ;

Bu durumda ,triyak ,tam olarak sıradan bir tristör gibi davranır.Aktif bölümler p1–n1–p2–n2 ‘dir.

b) Ana uç 2 (MT2) pozitif , negatif kapı akımı;

Çalışma , jonksiyon kapı tristörününkine benzedir. p1–n1–p2–n2 ana yapıdır. n3 de jonksiyon kapı bölgesi olarak davranır.

c) Ana uç 2 (MT2) negatif , negatif kapı akımı;

Uzak kapı durumudur. p2–n1–p1–n4 ana yapıdır.

d) Ana uç 2 (MT2) negatif , pozitif kapı akımı;

p2-n2 iletimdedir ve p2–n1 tarafından toplanan elektronları enjekte eder . p2–n1 daha çok ileri ön gerilime sahip olur. p2–n1–p1–n4 ‘den geçen akım oranı artar ve bu bölüm iletime geçer.Bu durum da , uzak kapı çalışmasına benzerdir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image010.jpg[/IMG]

Şekil 1.8. Tipik Triyak Yapısı

TRİYAĞIN KULLANIMI:

Triyağın basitliği ve çok yönlü olması , AC güç kontrolünü içeren uygulamalarda geniş bir çeşitlilik sağlayarak onu ideal yapar.

Triyağın kapısına tetikleme darbesinin sağlanmasında iki yönlü tetikleme gereksinimleri için ideal olarak uygun olan 3 eleman vardır. Bunlar , neon lamba , diyak , ve silisyumlu iki yönlü anahtar tristördür (SBS).

a)STATİK ANAHTARLAMA:

AC devrelerde triyağın bir statik anahtar olarak kullanılması , mekanik anahtarlama hakkında belirli avantajlar verir . Denk bir röleyle karşılaştırırsak çok düşük bir güç kontrol kaynağıyla oldukça büyük akımların kontrol edilmesine izin verir.Triyak her yarım dalgada kilitlendiğinde (latching) , bir kontak sıçraması olmaz . Triyak , daima sıfır akımda açıldığından , herhangi bir ark veya güç ya da yük hattında depolanmış endüktif enerjiden dolayı güçlenen geçici gerilim oluşmaz . Ayrıca , bileşen sayısında – diğer yarı iletken statik anahtarlarla karşılaştırıldığında- etkileyici bir azalma vardır . Bunun nedeni , kapı tetikleme sinyali ve ana gerilimin her iki polaritesini de iletme yeteneğindendir . Devre basitliğinin en dikkat çeken örneği şekil 1.9’da gösterilen temel statik anahtardır.

Triyağın tetiklenmesi için gerekli olan sadece birkaç mikrosaniye süresince kontaklar akım tuttuğu için , şekildeki (şekil 1.9.(a)) anahtar yerine (reed switch) , röleler , termostatlar , basınç anahtarları , program / timer anahtarları gibi geniş çeşitlilikteki küçük anahtarlama elemanları kullanılabilir. Bu devre , [MT2+ ,kapı+] ve [MT2- , kapı-] , kapı tetikleme durumlarını kullanır. Şekil 1.9(b), basit 3 pozisyonlu güç kontrolü elde etmek için , dalgalanma sınırlayıcı direnci ile seri olan düşük akım diyodu ve bir 3 pozisyonlu anahtarın kullanımını gösterir . 1.pozisyonda herhangi bir kapı bağlantısı yoktur ve güç verilmez . 2.pozisyonda , kapı akımına sadece bir yarım periyotta izin verilir ve yükteki güç yarım dalgadır.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image012.jpg[/IMG]

Şekil 1.9.Triyağın Statik AC Anahtarlama Uygulamaları

3.pozisyonda , her iki yarım periyotta da kapı akımı vardır ve güç tam olarak bulunur.Şekil 1.9 (c)’de gösterildiği gibi , bu anahtar yerine trafo da kullanılabilir.Burada, R direnci , primerden toprağa mıknatıslanma akımını şönt etmek için seçilir . Bu devre , yalıtılmış düşük gerilim kontaklarıyla kontrolü sağlar.

Çok kanallı çalışmalardaki işitsel (audio) kodlanmış giriş sinyallerinde tam frekans seçilebilirlik anahtarlamaları sağlamak için şekil 1.9(a) ’ daki gibi devredeki triyakla birlikte rezonant-reed röleler kullanılır.Daha düşük frekanslarda , bazı tetikleme noktası modulasyonu hat frekansı darbesinden meydana gelir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image014.jpg[/IMG]

Şekil 1.10. (a)DC Kontrol (b) AC Kontrol

Diğer yararlı anahtarlama devreleri , şekil 1.10 ’ da gösterilmiştir ve triyak AC ve DC tetiklemesini gösterir . S1 anahtarı , termistör , fotosel veya şekil 1.11 ’ de gösterildiği gibi elektriksel sinyal ile kontrol edilen bir transistör ile yer değiştirebilir. 600 Hz’in üstündeki daha yüksek frekanslar da etkilidir . Kumanda kontrol çalışması veya bir sistemin teyp kayıt programlanması için diğer statik veya dinamik filtre devreleri kullanımıyla frekans seçiciliği elde edilebilir . Ne olursa olsun , triyak tetikleme hassasiyetinin her iki polaritede veya her bölgede (I,II,III,IV) tümüyle aynı olmadığı,bu nedenle bir eşik dedektörü olarak kullanılmadığı için tetikleme sinyali ON ya da OFF biçiminde olmalıdır.

Düşük seviye DC lojik kaynağı gözönünde tutulursa, şekil 1.11’deki transistör bağlantıları bir triyak veya bir dizi triyağın sürülmesi için idealdir . Bunun bir örneği şekil 1.12 ’ de gösterilmiştir ve burada bir AC güç flaşör düzenlemesinde bir transistör flip-flop devresiyle iki triyağın tetiklenmesi gösterilmiştir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image016.jpg[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image018.jpg[/IMG]

Şekil 1.11 Transistörlü Kapı Kontrolü

Şekil 1.12. AC Güç Flaşörü.(R2’nin ayarlanmasıyla, belirtilen frekansta triyak 1 ve 2 birbirini takip ederek ardarda iletime girer.)

Triyak 1-2: GE SCI51B (1kw yük için) / GE SCI46B (600 kw yük için)

CR1-CR 4 : GE AI4F

Q1: GE 2N26 46 / Q2-Q3: GE2N3416

C1 :500μF 25 V Elektrolitik / C2 :0,2 μF / C3 ,C 4: 0,05 μF

R1:56Ω 2W

R2:2 MEG TRİMMER / R3:1 MEG / R4 :100 Ω / R7-R8-R9 : 680 Ω / R10 R11 R12 R13:10 kΩ

b)TETİKLEYİCİ DİYOT İLE ATEŞLEME:

Şekil 1.13 ’ te gösterildiği gibi , temel tam dalga triyak faz kontrol devresi oluşturmak için sadece 4 bileşene ihtiyaç duyulur . Bunlar , ayarlanabilir R1 direnci ve C1 kapasitesi , diyak ve triyaktır . Diyak karakteristiği , ileri veya geri yönde olmak üzere benzer simetride yaklaşık olarak ±32 V’ta diyağın devrilmesini gösterir.Ayrıca ,bir negatif direnç karakteristiği ve düşük tetikleme - akım gereksinimlerini sergiler . C1 üzerindeki gerilim diyağın (iki yönlü tetikleyici diyot) VBO devrilme gerilimine ulaştığında , C1 , diyak üzerinden triyağın kapısına kısmen boşalır . Şekilde diyak , C1 kapasitesi yaklaşık olarak ±32 V’ a kadar şarj olduğunda devrilir ve bu değer de 115 veya 230 V ’ luk hat için uygun bir seviyedir. Bu yarım periyodun kalanında , bu darbe triyağı iletim durumuna tetikler . Dalga şeklinde gösterildiği gibi yarım periyodun geri kalanında hat gerilimi yüke taşınır. R1 direnci oldukça düşük bir direnç değerine ayarlandığında ,tetikleme her alternansta erken gerçekleşir ve yük gücü artar . R1 direnci arttırıldığında , C1 ‘in diyak devrilme gerilimine ulaşması için gerekli olan zaman da büyüyecek ve hat geriliminin küçük bir yüzdesi yüke uygulanacaktır.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image020.jpg[/IMG]

Şekil 1.13.Temel Diyak-Triyak Faz Kontrolü

Şekildeki kapasite-gerilim dalga şekli , kapasite gerilimindeki istenmeyen etkileri gösterir. İlk diyak tetiklenmesinde kapasite gerilimi, diyak ileri gerilimi seviyesine kadar azalır.Böylece, C1 gerilimi öncekinden daha düşük bir gerilimden şarj olmaya başlar ve devrilme gerilimi bir sonraki periyotta daha sonra oluşur . VC1 ‘ deki bu azalma istenmeyen bir histeresis etkisine neden olur .Yükü başlatma ve durdurma ayarı aynı olmayacaktır.Bu ,bir lamba ayarlayıcısında (lamp dimmer) ,lambanın geçirmeye geçmesi ve ayarların %40 kadar aynı zamana rastlamadığı anlamına gelir.Böylece potansiyometre kontrol sahası %60 ‘a sınırlandırılmış olur.Bunun için şekilde kesikli çizgiyle gösterilmiş olan ikinci bir R-C faz kayma ağının eklenmesiyle histeresis azaltılır ve saha da arttırılır .İkinci R-C zaman sabiti ilkinden daha büyük yapılır. Böylece ikinci kapasite C1 ‘i tekrar doldurur ve onun tetiklemeden sonraki normal şarjını korumasına yardımcı olur . Bu tek veya çift R-C ‘ li devre , akkor lambaların parlaklık kontrolünde kullanılabilir.Burada yük bir lamba veya lamba grubu şeklindedir.Akkor lambanın ışık şiddeti , uygulanmış gücün lineer fonksiyonu değildir . Bu nedenle , ışıklandırma , R1’in ayarlanmasıyla oldukça hızlı bir şekilde değişir . Lamba kontrolüne özgü problemlerden biri , oldukça düşük soğuk flaman direnci nedeniyle oluşan yüksek başlama akımıdır . Bu direnç , normal çalışma sıcaklığındaki flaman dirençten birkaç kat daha düşüktür . Bununla beraber , genelde birkaç yüz milisaniye içinde normal dirence ulaşılır.Yüksek akım sadece bir çift devir için akacaktır. Bu devrede , tetikleme I ve III bölgelerindedir . Bu devrenin sınırlı bir kontrol sahası olmasına rağmen ve bu sahanın sonunda düşük-çıkışta büyük histeresis etkileri olmasına rağmen , lamba , ısıtıcı , fan hız kontrolleri gibi küçük uygulamaların birçoğunda devrenin basitliğinden dolayı çok uygun bir devredir.Bu basit devredeki bazı problemleri yok etmek için , tam bir kontrol sahasının gerektiği yerlerde , çok daha karmaşık devreler (dv/dt bastırma , RFI bastırma , endüktif yükler için bir paralel R-C devresi , bir mekanik ana güç anahtarı vb.) genelde kullanılır. Asimetrik tetikleyici anahtar (ST-4) gibi iki yönlü tetikleyici diyotların diğer tipleri de kullanılabilir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image023.jpg[/IMG]

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image024.jpg[/IMG]

Şekil 1.14.Resistif Bir Yükün Gerilimi

(a) R değeri düşükken,

(b) R değeri makul bir değerde,

(c) R değeri yüksekken . Şekil 1.15.Triyak Faz Kontrol Devresinde Dalga Şekilleri

Şekil 1.14‘de gösterildiği gibi ,triyak yük gücünü kontrol ederken her alternansta tetiklenir. Bu nedenle ,kapı ,her alternans sonunda kontrolü elde edemez.Anot akımı IA sıfırdan geçerken, triyak iletimden çıkma eğilimindedir ve kontrolü kapıya verir.Şekil 1.15 (a)’daki dalga şekilleri ,yük endüktifken triyak akımı ve kaynak gerilimi E arasındaki faz ilişkisini gösterir . IA akımı sıfıra yaklaştığı ve triyağın iletimden çıkması için elektron delik çiftleri birleştiği zaman aralığı Δt ‘dir(çizimde abartılmıştır).

Şekil (b)’de triyak kapamaya geçmeye meylettiğindeki triyak gerilimi değişimi gösterilmiştir.

Şekil (c) ’de ise de/dt etkisinin triyağı periyodik olarak tekrar tetiklediğindeki yük gerilim değişimini gösterir.

Bu devrede gösterilmemesine rağmen , neon lamba ve SBS de iki yönlü karakteristiğe sahip olduğu için triyak tetiklenmesi için kullanılabilir . Neon lambalar , 50 V ’ tan 100 V ’ a kadar olan devrilme gerilimleriyle kullanılabilir ve SBS anahtarlama gerilimi yaklaşık olarak 8 V’tur. SBS , düşük gerilim anahtarlaması istendiğinde tercih edilir.

DİĞER TRİYAK DEVRELERİ :

Şekil 1.16 ,birkaç triyak motor kontrol devresini gösterir.Endüksiyon motor hız kontrolünün basitleştirilmiş bir şeması (a) ’ da gösterilmiştir . Bu devre , çamaşır makinesi gibi 3 hızlı motorlarda kullanılabilir ve 2/1 oranında sürekli hız kontrolüne ek bir avantaj sunar.Bu devrede , triyak , sürme sarımı ile seridir ve bu nedenle , motor hızını ve bu bobinin gücünü kontrol eder . Böyle bir motorun kontrolü ve regülasyonu , küçük bir takometreden elde edilen UJT kaynağı ile bir UJT darbe devresi ile sağlanır . Takometre bobini motorun ucuna ( sonuna ) yerleştirilmiştir. Bunun AC çıkışı , motor hızı ile orantılıdır ve motorun hızını istenen ayarda korumak için geri beslenmiştir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image026.jpg[/IMG]

Şekil 1.16.Triyak Motor Kontrol Devreleri

(a)Endüksiyon Motoru Hız Kontrolü,

(b)Santrifüj Anahtar Yerine Triyağın Bağlanması,

(c)Triyak Ters Yön Motor Kontrolü.

Endüksiyon motorlarının diğer bir gereksinimi,motora hız kazandırmak için başlama sarımını enerjilendirmek ve onun bağlantısını kesmek gibi yollardır . Bu görev genelde röle veya santrifüj anahtar gibi elektromekanik elemanlarla yerine getirilir.Diğer bir durumda,ilk geçirme süresince gücün başlama sarımı üzerinden akmasına izin verilir ve daha sonra elektromekanik birim ,motorun sarımını açmasına neden olur.Şekil 1.16 (c)’ de gösterildiği gibi , bir triyak , bu elektromekanik elemanın yerine kullanılabilir.Güç uygulandığında,ilk akım baskını (yığılması) süresince ,trafo kapı tetikleme gerilimini üretir ve akım kesilince gerilimi VGT altına düşer. Bu noktada , triyak iletimi durdurur ve başlama sarımı açılır.

Diğer bir triyak uygulaması , şekil 1.16 (c) ’deki basitleştirilmiş şemada gösterilen ters yönde çalışan motorların kontrolüdür.Bu gibi uygulamalarda,triyaklar ,hem ileri hem de geri bobinleri enerjilendiren statik anahtarlar gibi davranır.Kontrol anahtarları , radyo frekansı veya ışık bağı yolu ile uzaktan veya normal olarak tetiklenen solid-state ya da mekanik anahtarlar olabilir. Motoru ,istenilen limitlerde durdurmak için genelde bir limit anahtarı birleştirilir. Komutasyon kapasitesi, triyak ana uç gerilimlerini tersine çevirir . Bir triyağın hala iletimde , diğerinin ise tetiklenmiş olduğu gibi bir durumda,R1 direnci, kapasite akımını sınırlandırmak için gereklidir.

Eğer kapı devresi dirençlerinden biri termistörse veya buna benzer ısıya duyarlı bir bileşense , şekil 1.13 (a) ’ daki devre, rezistans ısıtıcıya uygulanmış gücü kontrol edecektir . Bununla birlikte , ısıtıcıların genelde çok yüksek güçte olmasından , RFI aşırı olacaktır ve elverişli bir bastırma ağı büyük ve pahalı olacaktır . Bu nedenle , bir sıfır – gerilim anahtarlama devresi , ısıtıcı uygulamalarında en sık kullanılan devredir . Bu devreler , sıfır gerilim geçişleri yakınlarında meydana gelen bir anahtarlama ile yüke , yarım veya tam dalga periyotlarını uygular. Tristörde olduğu gibi, tetiklemenin sıfır bölgesinde meydana gelmesini sağlamak için en basit ve en etkili araçlardan biri , ana gerilimle 90 ° faz farkı (önde) olan bir kapı akımını sağlamak için kapı devresinde bir kapasite kullanmaktır . Ana gerilim minimumdayken , kapı tetikleme sinyali maksimumdur , ve tetikleme , ana gerilim birkaç volta ulaşınca oluşur.

TRİYAKLARIN KOMUTASYONU:

AC devrelerinde , triyağın kullanımı ve bir çift tristörün kullanımı arasında bir önemli fark vardır .Tristörlerden her biri kapamaya geçmek için tam bir yarım dalgaya sahiptir.Oysa ki yük akımı sıfırdan geçerken triyağın komutasyonu oldukça kısa bir an içinde gerçekleşmelidir . Bu problem , 3 ve 10 V/ms değerleri arasında ortadadır (şekil 1.1 (b)’de belirtilmiş olan “kritik komutasyon gerilim hızı). Endüktif yükler ile triyağın komutasyonu zorlaşır.

Triyağın kapamaya sokulmasındaki problem , elemanın her iki yönde de iletmesinden kaynaklanır . Bu nedenle , uygulanan gerilimin tersi , ters yöndeki iletime geçme olayını başlatabilecek bir algılama akımına neden olur. Bu problemi ortadan kaldırmak için , triyak ana akımı , IH ( tutma akımı ) değerinin altına düşürülmelidir . Akımın sıfırdan geçişinde var olan gerilim değişme hızına yaklaşık olarak denk olan bir zaman aralığı için ana gerilim tekrar uygulanmamalıdır . Bu zaman aralığı depolanmış taşıyıcıların tekrar birleşmesi için yeterli bir süredir.Böylece triyak tekrar iletime geçmeye hazır duruma gelmiş olacaktır.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image028.jpg[/IMG]

Şekil 1.17. Endüktif Yük Dalga Şekilleri

Şekil 1.17 , tipik endüktif yük devresi için triyak akım ve gerilim dalga şekillerini gösterir. Endüktif yük ile , endüktans üzerindeki gerilim hemen değişebilir ve triyak gerilimi , akımının sıfıra düşmesinden sonra bir anda yükselir . Eğer sıfır akımdaki ( kapama noktasındaki ) dalga şekillerini incelersek , şekil 1.18’deki gibi bir dalga şekli bulunur . Burada da , algılama akımı fiili bir kapı akımı gibi davranır ve elemanı tekrar iletime sokmaya çalışır . Bundan başka, jonksiyon kapasitesi ve tekrar uygulanan dv/dt ‘ den dolayı geri akıma bir bileşen vardır . Bu bileşen direk olarak algılama akımına eklenir fakat triyak,ters polariteyi tıkamaya başlayana kadar bu bileşen ortaya çıkmaz . Akım değişme hızı (-di/dt ) azalınca , algılama akımı da azalır.Bu da ,verilen bir komutasyon yeteneği için düşük di/dt değerleri için ,tekrar uygulanmış yüksek dv/dt ‘lerin izin verilebilir olduğunu gösterir.

Yükselme hızı dv /dt , endüktif yükteki akım sıfır olduğundan sadece triyak kapasitesi ile sınırlandırılır . Eğer dv/dt belirli bir değeri aşarsa , yeni ek koruma devreleri eklenmelidir. Standart metot , şekil 1.17’deki R1C1 gibi bir R-C bastırma devresikullanılarak gerçekleştirilir. R1 ve C1 değerleri , kullanılan triyak , hat gerilimi ve yükün bir fonksiyonudur.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image030.jpg[/IMG]

Şekil 1.18. Komutasyonda Triyak Akım ve Gerilimi

TRİYAK TERMİK DİRENÇLERİ:

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image032.jpg[/IMG]

Bütün yarı iletken elemanlarında olduğu gibi , sıcaklık , izin verilen çalışma gücünü etkiler. Yüksek sıcaklıklarda ( genelde 125° ) sızıntı akımlar yüksektir ve istenmeyen tetiklenme tehlikesi olasılığı yüksektir .Yüksek çevre sıcaklıkları ve akımlarda düşük seviyeli triyakların çalışması için bazı soğutma şekilleri gereklidir(triyağın soğutucu plaka üzerine monte edilmesi) . Özel bir uygulama için triyağın seçiminde elverişli emniyet sınırı sağlanmalıdır . Böylece eleman aşırı değerdeki TJMAX , PGM vs. gibi değerlerle karşı karşıya bırakılmamış olur.

Şekil 1.19. İki Farklı Triyak Termik Direnci

GE triyak kataloglarında , aynı eleman için 2 farklı termik direnç belirtilmiştir.

1)JEDEC Termik Direnci:

Elemanların , birbirinin yerine geçebilme yeteneğine kanıtlamak amacıyla JEDEC tarafından belirtilmiş bir termal karakteristiktir.Bir tek yönlü DC gücünün elemanda kaybı sonucu oluşan, gövde referans noktasındaki jonksiyon sıcaklık artışının ölçülmesiyle elde edilmiş bir değerdir. Termik karakteristik her iki iletim yönü için tamamıyla aynı değildir.

2)Görünür Termik Direnç:

Triyak genelde AC uygulamalarda kullanılır ve sonuç olarak , JEDEC tek yönlü termik direnç değeri,maksimum gövde sıcaklığında akım büyüklüğü hesaplamalarında kullanılırken AC akım büyüklüklerinde çok az koruyucu eleman sağlar.Bunu yenmek için ,GE , görünür termik direnç değeri yerleştirmiştir ki bu da ,belirtilen bir frekanstaki akımının tam sinüs dalgası tarafından üretilen bir ortalama güç tarafından arttırıldığında , akım iletiminin her yarım dalgasının onlarında bir anlık oluşan bir jonksiyon sıcaklığı sağlar. Akım büyüklüğü , bu anlık jonksiyon sıcaklığı değerinin eleman için maksimum değer olmasıyla saptanır. Bu da herhangi bir yarım dalga akım iletim zaman aralıklarını takip eden kapama gerilimlerini ( dv/dt sınırlamaları ile birlikte) elemanın tıkamasına hazır hale gelmesini temin eder.

Şekil 1.19 (b)’de gösterildiği gibi ,triyağın görünür termik direnci “Y” modeli ile gösterilir . ”Y”nin kollarından herbiri (RUA ,R UB) , silisyum elemanın yaklaşık olarak yarısının termik direncini gösterir (bir polaritedeki devre akımı için çalışma) . ”Y” nin ana ayağı ise silisyum eleman bağlantı noktasından referans noktasına (TC ) kadar kılıfın termik direncidir.Ayrıca GE , fazla yüklenmiş AC akım hesaplamalarında kullanılmak üzere bir görünür süreksiz termik empedans eğrisi belirtmiştir.

GTO TRİSTÖR

TANIM VE ÖZELLİKLERİ:

Normal tristörler güç elektroniği uygulamalarında hemen hemen ideal şalterler olarak kullanılır . Kapama yönünde birkaç bin volt değerindeki gerilimleri ve iletim yönünde ise birkaç bin ampere kadar çıkan akım değerlerini birkaç voltluk gerilim düşümü ile iletirler . En çok kullanımları , tristörün kapısına bir kontrol sinyali uygulayarak istenildiği anda iletime geçirilmeleridir . Bununla birlikte tristörlerin anahtarlama uygulamalarındaki kullanımlarını önleyen ciddi bir eksikliği vardır.Bir kontrol sinyali uygulayarak tıkamaya geçirilemezler . Bu tıkamaya geçirilme özelliğinin kazandırılması için eleman yapısında bazı değişiklikler yapılmalıdır.

GTO tristör (Gate Turn-Off thyristor) , normal bir tristörde olduğu gibi p-n-p-n yapıya sahiptir fakat katot bölgesi , kapıya uygulanan pozitif bir akımın elemanı iletime sokacak ve kapıya uygulanan negatif bir akımın elemanı iletimden çıkaracak şekilde tasarlanmıştır. Sonuç olarak , sıradan bir tristörle karşılaştırırsak , GTO tristör iki yolla iletimden çıkarılabilir:

a) Sıradan bir tristördeki gibi , ileri akımını tutma akımı IH0 ’ dan düşük bir değere azaltılmasıyla ,

b)Kapıya negatif kapama akımının uygulanmasıyla .

Geriye kalan işlevler, özellikler , karakteristiği ,normal tristör ile aynıdır.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image034.jpg[/IMG]

Şekil 2.1.GTO Tristörün Çalışması.

Şekil 2.1 (a)’da tetikleme için , pozitif akım uygulanışı ; (b)’de GTO’dan geçen ileri akım IA ve J3 jonksiyon bölgesinde IA ‘den çıkarılan negatif kapama akımı – IG ; c’ de ise sonuç olarak , IA–IG sonucunda I<IH0 olması gereken I akımı J3 jonksiyonundan geçer . Bu durum olursa , tristör iletimden çıkar.Eğer p-n-p-n yapısı alanı yeteri derecede büyükse , yanal elektrik alanları ve yanal taşıyıcı konsantrasyon iniş çıkışları oluşur . Bu nedenle , açıklanan IA–IG çıkartması sadece kapı çevresinde uygulanabilir. Daha uzak bölgelerde bu unsur uygulanamaz ve GTO , negatif kapı akımı ile ( IG ) iletimden çıkarılamaz . İletimden çıkarılma mekanizmasının işlemesini sağlamak için p-n-p-n yapısının katot bölgesi için özel bir tasarım uygulanmalıdır.

GTO tristör inverterlerde , chopper devrelerinde , elektronik anahtarlama ve diğer uygulamalarda kullanılmaktadır. GTO’nun avantajları , sıradan bir tristörü iletimden çıkarmayı kolaylaştıran komutasyon zamanını elde etmek için gerekli olan chopper devrelerinde yardımcı endüktanslar ve kapasitelerin atılması olayına bağlıdır.

İletimden çıkma kazancı , anot akımının kapamaya yol açan kapı akımına oranına eşittir ve tipik değeri 3 - 5 mertebesindedir . Tam yük durumları altında , uygunsuz ısınma ve kapı bağlantısında olası erime meydana gelebilir. Tetikleme darbesi , darbe şeklinde başlamalı ve tGD ( maksimum kapı kontrolü gecikme zamanı) zamanına uygun olarak bir biçimde devam etmelidir.

Bir büyük sınırlama vardır ki , yüksek kapama kazancı elde etmek için geri tıkama gerilimi etkili bir şekilde azaltılmıştır ve eğer bir devrede kullanılıyorsa tristörü korumak için seri bir diyot bağlanmalıdır.

İletime girme ve serbest kalma süreleri bu elemanlar için genelde bir mikrosaniye mertebesindedir . GTO ‘ nun iletimdeki gerilim düşümü aynı büyüklükteki normal bir tristörle karşılaştırılırsa – GTO ’ nun eşdeğer direncinin büyük olmasından dolayı – daha fazladır ve nominal akımdaki tipik değeri 3 volt mertebesindedir.Kilitleme ve tutma akımları da yüksek değerdedir . İletimde iken anot akımı tutma akımı seviyesine kadar azalırsa , kristal yapıda akımın geçmediği izole adalar oluşabilir . Anot akımı tekrar arttırıldığında ve kapı akımı bulunmaması halinde , akımın tekrar tüm yüzeye yayılmaması ihtimali vardır . Sonuçta , bölgesel ısınma sonucu eleman tahrip olabilir . Böyle bir sorunun meydana gelme olasılığı bulunan uygulamalarda , GTO’nun iletim süresince kapı akımının sürekli olarak geçirilmesi gerekir.

GTO tristörün mevcut akım değeri 3500 A , gerilimi 6000 V’tur.

TEMEL YAPISI VE I-V KARAKTERİSTİĞİ:

GTO ’nun geçirme mekanizması normal tristörle benzerlik taşır. 4 katmanlı eleman , iki transistörün bağlanması ile düşünülebilir fakat elemanın iletimdeki ve aşırı akımdaki davranışı için iyi bir örnek değildir . Anot katot uçlarına ileri gerilim uygulandığında geri gerilimli merkez jonksiyonu bulunduğundan akım geçmez . Eğer bir pozitif akım geçirilirse , akım taşıyıcılar jonksiyon merkezinde oluşur ve eleman iletime geçer. Akım taşıyıcıların oluşumuna göre jonksiyon merkezindeki akım aşağıdaki gibidir:

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image036.gif[/IMG]

Burada , IC0 , tristördeki sızıntı akımdır ve α , transistör ortak baz kazancına eşittir.

Buradan , taşıyıcıların artış oranı “C” , p bölgesinin içlerinde:

C = IL.( αnpn – 1 +α pnp ).

Eğer C > 0 ise , taşıyıcı sayısı artar ve bu da iletime neden olur. αnpn+α pnp , IL akımına bağlıdır.

Eğer C < 0 olduğunda , taşıyıcılar taşınır fakat ikinci jonksiyonundaki boşaltma tabakasının artması , bu taşınma oranına karşı koyar .Bu da bir potansiyel tepe oluşturur ki bu da iletime karşı koyar . Bu durum , kapıdan akımı geri çekme ile oluşturulabilir . Böylece yeni oran:

C = IG.αnpn +IL( αnpn + α pnp-1 ) olur.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image038.gif[/IMG]

Kapı akımı negatiftir ve böylece , taşıyıcı oranı “C” nin negatif olmasına neden olabilir.

Uygun bir geri devrilme gerilimine uygun olarak αnpn ve α pnp ‘ nin seçimiyle , iletimden çıkma oranı IL/IG , 2–10 oranındaki değerlere sahip olabilir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image040.jpg[/IMG]

Maksimum periyodik frekans yaklaşık olarak 100 kc/s ‘ dir ve yüksek frekanslar büyük anahtarlama kayıpları anlamına gelir.

Şekil 2.2.GTO ‘nun Düşey Kesit Perspektif Görünüşü ve GTO ‘nun Devre Sembolü

Şekil 2.2 (a) ’ da , kapı katot yapısının birbiriyle çoğalan bölmeleriyle GTO ’ nun dikey kesiti gösterilmiştir . GTO ‘ da p2 baz tabakasının kalınlığı , sıradan bir tristöre oranla biraz daha küçüktür . GTO ve sıradan bir tristör yapıları arasında üç önemli fark vardır . İlk fark , kapı ve katot yapılarının , karmaşık kıvrımlı yapıları içeren çeşitli tipteki geometrik formlarla birçok bölmelere ayrılmış olmasıdır . Temel amaç , katot çevresini büyütmek ve kapıdan katot bölgesi merkezine olan uzaklığın azaltılmasıdır.

İkinci fark , katodu çevreleyen silisyumun asitle aşındırılarak uzaklaştırılması ile katot bölgelerinin oluşturulmasıdır. Böylece ,katot bölgeleri , şekilde de gösterildiği gibi adalar veya yükseltiler olarak görünür. Bu katot adaları , direk olarak metal soğutucu plakasına bağlıdır ve bu da katot bağlantısının dışarıya verilmesini sağlar.

Üçüncü daha önemli fark ise ,GTO’nun anot bölgesiyle ilgilidir.Düzenli aralıklarda , n1 baz tabakasını biçimlendiren n- bölgesiyle teması sağlamak için n+ bölgesi , p tipi anoda (p1 tabakası) sızar. n+ bölgeleri ,aynı maden kaplama üzerindedir ve p tipi anotla temas halindedir ve kısa devre anot oluşur.Kısa devre anot yapısı GTO’ nun kapamaya geçmesini hızlandırmak için kullanılır.Eleman geri gerilimleri tıkasın diye,bazı GTO ‘lar kısa devre anotsuz yapılırlar. GTO ‘nun ileri yöndeki I-V karakteristiği sıradan bir tristörünkiyle aynıdır . Bununla beraber ,geri yönde ,kısa devre anot yapısından dolayı GTO aslında tıkama yeteneğine sahip değildir. Geri yönde tıkama yapan tek jonksiyon J3 ’tür ve oldukça düşük bir devrilme gerilimine (tipik olarak 20-30 V) sahiptir.GTO ‘nun devre sembolü şekil 2.2 (b)‘de gösterilmiştir.

KAPAMA ÇALIŞMASI FİZİĞİ:

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image042.jpg[/IMG]

a)KAPAMA KAZANCI:

Şekil 2.3. Bir Tristörün Basitleştirilmiş Modeli

GTO ‘nun temel işleyişi , sıradan bir tristörle aynıdır. İki eleman arasındaki başlıca farklar , kapıdan kapamaya sokulabilme özelliğinin kazandırılması için ana tristör yapısında yapılan değişikliklere dayanır . GTO yapısının sıradan bir tristörle neden farklılıklar taşıdığı ve hangi uzlaşmaların yapılması gerektiğinin anlaşılması iki transistör eşdeğer devresinde kapama durumlarının incelenmesiyle mümkün olur (şekil 2.3) . Kapı devresine gelen pozitif bir darbe ile Q1 transistörü ve ardından Q2 iletime geçer . Devre kilitlenir ve kapıdaki darbe kesildiği halde transistörler hala iletimde kalır.GTO ‘nun iletimden çıkabilmesi için uygulanacak negatif bir akımın Q2 transistörünün IC2 akımını kesmesi gerekir. Eşdeğer devredeki Q1 , Q2 tristör geçirmedeyken doymuştur.Bununla beraber ,eğer Q2 ‘ ye doğru baz akımı , doymayı korumak için (Iβ2< I C2 /β2) , gerekli olan değerden az yapılmalıdır.Daha sonra , Q2 aktif olur ve bir veya her iki transistör aktif olunca , devrede mevcut olan yenileyici hareketten dolayı tristör kapamaya geçer.

Şekil 2.3 (b)’deki eşdeğer devreyi kullanarak ,tristör uç akımlarına göre Iβ2 ‘yi yazabiliriz:

Iβ2= α1 . IA -IG’ Burada IG’ ,normal kapı akımının negatifidir.Eşdeğer devreden, Q2 ‘yi doymadan çıkarmanın tek yolunun bir negatif kapı akımı IG’ olduğu görülebilir.Kollektör akımı IC2 şu şekildedir:

IC2 = (1-α1).IA

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image044.gif[/IMG]

Iβ2< I C2 /β2 eşitsizliğini , β2= α2 / (1-α2) ve yukarıdaki iki denklemi kullanarak düzenlersek:

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image046.gif[/IMG]

βOFF parametresi ,kapama kazancıdır ve şu şekilde verilir:

b)GEREKLİ YAPISAL DEĞİŞİKLİKLER :

Normal bir tristörü GTO ‘ya değiştirmek için ilk adım , kapama kazancını uygulanabilir kadar büyük yapmaktır.Böylece negatif kapı akımının çok yüksek değerlerinin önüne geçilmiş olur. Bu durumda α1 küçüktür ve α2 de bir yakınındadır . α2 ‘ yi bu durumda yapmak , n-p-n transistörü Q2 için dar bir p2 tabakasının kullanımını ister . Bu adımlar , bir BJT ‘de büyük bir beta değeri elde etmek için gerekli olan ve sıradan bir tristörün fabrikasyonunda kullanılan normal adımlardır.

α1 ‘i küçük yapmak için , n1 tristör tabakası (Q1 transistörünün bazı) mümkün olduğunca kalın olmalıdır ve taşıyıcı ömrü bu katmanda kısa olacaktır . Kalın bir n1 tabakası , bir tristör fabrikasyonunda standarttır çünkü bu katman , ileri tıkama durumundaki eleman çalışması sırasında J2 jonksiyonunun boşaltma tabakasını barındırmalıdır . Bununla birlikte , kısa ömürlü taşıyıcılara duyulan ihtiyaçla , bu bölgede geçirmedeki güç kayıplarını en aza indirmek için uzun ömürlü taşıyıcılara duyulan ihtiyaç arasında uyuşmazlık vardır . Kapıdan tıkamaya sokulabilme özelliğinin elde edilmesi için taşıyıcı ömürlerindeki bazı azalmalar kabul edilmelidir ve sonuç olarak GTO’nun sıradan bir tristöre göre,verilen bir akım değerinde,daha yüksek bir geçirme gerilim düşümü vardır.

Yukarıda anlatılan , taşıyıcı ömürlerdeki uyuşmazlık ihtiyaçları ,şekil 2.2’de gösterildiği gibi kısa devre anot yapısıyla büyük ölçüde ortadan kaldırılmıştır . GTO’nun kapamaya sokulması için,aşırı miktardaki taşıyıcıların özellikle deliklerin n1 tabakasından taşınması (kaldırılması) gerekir.Kısa devre anot yapısından dolayı,hiç geri anot katot gerilimi olamaz ve böylece aşırı miktardaki taşıyıcıların temizlenmesi (taşınması) için gereken geri anot akımları da olamaz . Aşırı miktardaki bu taşıyıcıların taşınması için tek yol , difüzyon ve iç tekrar birleşmelidir.

Bununla beraber,GTO’daki n+ bölgeleri ,delik difuzyonu duvarını (engelini) kaldırır . Bu , delik difüzyonunun büyük bir oranda olmasına izin verir . Böylece n1 tabakasındaki aşırı miktardaki delikler en azından difüzyonla olduğu kadar iç tekrar birleşme ile de taşınır . Net sonuç , elemanın kapanması sırasında toplam depolanmış yükün daha hızlı taşınmasıdır ve böylece iletimdeki kayıplar dışında sıradan bir tristörle karşılaştırıldığında GTO’nun istenilir her iki daha kısa serbest kalma (turn off) ve ileri algılama zamanları vardır. Bu kısa devre anot yapısı , serbest kalma ve algılama zamanlarının azaltılmasında çok etkilidir ve bazen RCT denilen özel tristör yapılarında da kullanılır.RCT’lerin GTO’da olduğu gibi kısa serbest kalma ve algılama zamanları vardır fakat bir negatif kapı akımıyla tıkamaya geçirilemez çünkü gerekli bazı yapısal değişiklikleri içermez.

Kapıdan tıkamaya sokulma yeteneği için gerekli çoğalan bölmeli bir yapıya sahip olan kapı ve katot yapısının kullanımıdır.Bu , (çoğalan bölmeli kapı ve katot yapısının kullanımı) da geçirme ve kapama sırasında p2 tabakasındaki yanal gerilim düşümlerini en aza indirir. Bu yanal gerilim düşümleri , özellikle sıradan tristörlerde göze çarpar . Bu gibi yanal gerilim düşümleri , akım yığılması problemleri ve di/dt sınırlamalarına neden olur. Bununla birlikte , çoğalan bölmeli kapı - katot yapısının kullanımı - ki bu yapılar , kapı kontakları ve katot bölgesi ortası arasında oldukça kısa mesafelere sahiptir - bu problemleri en az indirir. Büyük kapı kapama akımları ile kapı metal kaplamasında önemli gerilim düşümlerinin önüne geçmek için kapı metaline gelen kontaklar , ince yüzeyde aralıklı dizilmiştir.

GTO ANAHTARLAMA KARAKTERİSTİKLERİ :

a)BASTIRMA VE SÜRME DEVRELERİNİN DAHİL EDİLMESİ:

GTO ’ lar , normalde bastırma devreleriyle birlikte kullanılmalıdır . GTO anahtarlama davranışının gerçekçi bir açıklaması bastırma devrelerinin etkilerini de içermelidir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image048.jpg[/IMG]

Şekil 2.4. Kapama ve Geçirme Bastırmalarıyla Birlikte GTO’nun Kullanıldığı Bir Konverter Devresi

Şekil 2.4 ’ de gösterilen gerilim azaltıcı konverter devresi (bu devre anahtarlama elemanı olarak GTO’yu kullanır.) anahtarlama dalga şekillerinin açıklanmasında kullanacaktır. GTO sadece akım gerilim seviyelerinin büyük olduğu yerlerde değil, ayrıca GTO ile birleştirilen diğer yarı iletken bileşenlerin yavaş olduğu , sadece orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Bu nedenle , şekil 2.4’deki Df diyodu , çok hızlı bir algılama diyodu olmayacaktır.

Diğer taraftan , -GTO ’ nun çoğalan bölmeli kapı katot yapısından dolayı – diyodun geri algılama zamanıyla karşılaştırıldığında GTO’nun daha hızlı akım yükselme zamanı vardır. Bunun sonucu , koruyucu devreler olmadan ,diyodun oldukça yavaş geri algılaması nedeniyle çok büyük aşırı akımlar hem GTO hem de diyottan geçebilecektir.Bastırma devresi ,GTO’nun uçlarına uygulanabilecek gerilim yükselme hızını arttırır ve iletimden çıkma kabiliyetini iyileştirir .Bir pozitif kapı akımı darbesiyle GTO iletime sokulur . İletime geçmeden önce CS bastırma devresi kondansatörü , UD kaynak gerilimi ile şarjlıdır . İletime geçerken CS , RS ve GTO üzerinden boşalır . Enerjisinin büyük bir bölümü RS ‘ de harcanır . Negatif kapı akımı darbesi ile GTO kesime geçirildiğinde CS , DS diyodu üzerinden salınarak dolar.Seri bağlı olan kaçak endüktanslar ,GTO ‘nun uçlarındaki gerilim yükselme hızını sınırlar.Bastırma devresinin güç kaybı yaklaşık olarak :

PS = (½).CS.UD2.f ‘dir.Burada f işletme (darbe) frekansıdır.

Şekil 2.4’deki bastırma indüktörü , devrede bir geçirme bastırması olarak davranması için devrede bulunmaktadır.

GTO ‘nun iletime geçmedeki davranışı normal tristörünkine benzerdir fakat iletimden çıkma karakteristikleri farklıdır (şekil 2.7).Negatif kapı akımı oluştuğunda , anot akımı (IA) belirli bir gecikmeden sonra düşmeye başlar . Bu süre çok kısadır (yaklaşık olarak <1μs ) . Geçirme yönünde pozitif bir anot gerilim oluşmaya başladığında ve anot akımı bastırma devresi üzerinden geçmeye çalıştığında , LS kaçak endüktansı bir gerilim sıçramasına neden olur. Eğer bu gerilim tepesi büyükse zararlıdır ve akım yoğunluğu bölgesel ısınmalar sonucu , sekonder devrilmeye sebep olabilir . Bu da arıza durumudur . Bu problem , bastırma devresi kaçak endüktansının minimuma indirilmesiyle giderilebilir.Sıçrama geriliminden sonra anot gerilimi normal UD değerini almadan önce bastırma devresi rezonansından dolayı büyük bir değerden geçerek salınır. Bu sırada , anot akımında , bir sapma akımı oluşur . Bu akıma kuyruk akımı denir . Bastırma devresi kondansatörünü arttırarak , kuyruk akımı ve bu gerilim darbesi küçültülebilir fakat bu da bastırma devresi kayıplarının artmasına neden olur.Normalde GTO ‘nun bastırma kondansatörü , normal tristörünküne göre birkaç kat daha büyüktür.

GTO , kapamaya sokulduğunda , anot-katot gerilim büyüme oranı ,dv/dt belirli seviyelere sınırlandırılmalıdır . Yoksa , GTO’nun tekrar geçirmeye tetiklenmesi meydana gelir .

Bu sebepten , şekil 2.4’de gösterildiği gibi , anahtarlama devresinin bir parçası olan kapama bastırması bulunmaktadır . Tavsiye edilen kapı durumlarını karşılayan bir kapı sürme devresi şekil 2.5’de gösterildiği gibi-GTO tristör üreticileri tarafından önerilmiştir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image050.jpg[/IMG]

Şekil 2. 5. Bir GTO İçin Kapı Sürme Devresi

b)İLETİME GEÇMEDEKİ GEÇİCİ REJİM:

Şekil 2.4‘deki konverter devresinde,GTO kapamadayken,akım Df diyodu serbest döngüdedir. Şekil 2.6’da gösterildiği gibi bir kapı akımı darbesi iletime geçmeyi başlatır .

Geçirmeye girme süresince , hem kapı akımı artış oranı , diG/dt, ve hem de kapı akımı tepe değeri , IGM , bütün katot adalarının iletime geçmesini ve anot akımının uygun dinamik bir paylaşımı olmasını sağlamak için büyük olmalıdır . Yoksa , çok az bir miktarda olan adalar toplam akımı taşıyacak ve yerel termik kaçış olayı meydana gelecek ve GTO da zarar görecektir . İletime geçme işleminin tamamlanmasını sağlamak için yeterli bir zaman için ,mesela 10μs , büyük bir IGM değeri sağlanır . İletime girmenin tamamlanmasının ardından , istenmeyen kapamayı önlemek için bütün bir geçirme periyodu süresince bir minimum sürekli kapı akımı IGT‘nin akması gereklidir. Kapı akımı sıfırsa ve anot akımı çok düşük bir değere inerse , bazı katot adaları iletimi kesebilirler . Eğer anot akımı sonradan artarsa , geri kalan iletimdeki adalar akımı tutamayabileceklerdir ve sonuç olarak ortaya çıkan bir termik kaçış sonucu GTO tahrip olabilecektir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image052.jpg[/IMG]

Şekil 2.6.Geçirme ve Kapama Bastırma Devreli bir Konverterdeki GTO ‘nun Geçirme Dalga Şekilleri

TG1 ve TG2 transistörlerinin her ikisinin de iletime geçmesiyle ,ilk kapı akımı büyük darbesi şekil 2.5’deki kapı sürme devresi tarafından sağlanır. Pozitif kapı sürme devresindeki kaçak endüktans , iletimde büyük bir diG/dt değeri elde etmek için minimum değerde tutulmalıdır. Bir süre sonra (tw1) , TG1 ‘ in kapamaya geçmesiyle kapı akımı IGM değerinden IGT ’ ye azaltılacaktır.

Anot akımının büyümesi süresince , giriş gerilimi , GTO ve geçirme bastırma endüktansı arasında paylaşılır . Eğer anot akımının di/dt ‘ si , büyük değerinden dolayı bu endüktans tarafından sınırlandırılırsa , daha sonra (şekil 2.6) GTO üzerindeki gerilim aniden oldukça düşük bir değere düşecektir.Anot akımındaki darbe, DF diyodunun geri algılamasından gelir.

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image054.jpg[/IMG]

c)KESİME GEÇMEDEKİ GEÇİCİ REJİM:

Şekil 2.7. Geçirme ve Kapama Bastırma Devreli bir Konverterdeki GTO ‘nun Kapama Dalga Şekilleri

Şekil 2.7 ’de gösterildiği gibi , GTO , büyük bir negatif kapı akımının uygulanmasıyla kapamaya sokulur.Meydana gelen akım ve gerilim dalga şekilleri şekil 2.4 ’ deki devredeki GTO için yukarıda gösterilmiştir.Kapama sırasında birkaç farklı zaman aralığı vardır.Şekil2.5 kapı sürme devresi , TG3 transistörünün iletime geçmesiyle negatif kapı akımı sağlar . Kapı akımı (iletimden çıkma kazancı 3-5 değerine karşılık olarak ) anot akımının 1/5 –1/3 ‘ ü gibi çok büyük bir değerde olmalıdır.Bu büyük negatif akım sadece oldukça kısa bir zaman için istenir . Düşük gerilimli MOSFET ’ ler , TG3 için hemen hemen ideal bir seçimdir . Kısa bir depolama (storage time) zamanı ve kısa bir anot akımı düşüş zamanına sahip olmak için ve kapı güç kaybını azaltmak için , negatif diG/dt büyük bir değerde olmalıdır . Bununla birlikte , çok büyük değerdeki negatif diG/dt , anot kuyruk akımının daha kısa tanımlanması sonucunu doğurur.Bu nedenle, diG/dt , eleman üreticisi tarafından belirtilmiş sınırda tutulmalıdır.

Negatif diG/dt , kapı sürme devresinin negatif kapı sürme parçasındaki LG ve VGG- ile kontrol edilir.Burada VGG- , kapı-katot jonksiyon devrilme geriliminden daha küçük seçilmelidir. VGG- ‘nin bilinmesiyle , belirtilmiş diG/dt ‘ yi verecek şekilde LG seçilir . Büyük GTO için negatif kapı sürme devresindeki kaçak endüktans , gereken LG değerine eşit olabilir.

İlk zaman aralığı süresince , depolama zamanı tS süresince , büyüyen negatif kapı akımı (şekil 2.8) katot adalarının çevresindeki p2 ve n2 tabakalarındaki depolanmış yükleri taşır.

Depolanmış yük , çevreden taşınmaya devam ederken , boş plazma bölgesi büyüklüğü ( katot adalarının ortalarına doğru yanal bir yönde yayılma hızı denilen bir hızla genişleyerek) artar. Depolanmış yükün yeterli bir miktarı taşınmışsa ,GTO ‘daki yenileyici hareket durdurulmuştur ve anot akımı düşmeye başlar.Bu da, depolanma zamanının sonunu belirtir.

GTO’nun yenileyici hareketi durdurulduğunda , anot akımı hızla düşmeye başlar. IO - iA akımı , GTO uygulamalarında oldukça büyük olan kapama bastırma kapasitesi CS’i söndürür. Kapama bastırma devresi çevrimindeki kaçak endüktanstan dolayı , GTO üzerindeki gerilimde eşzamanlı hızlı bir yükselme vardır. Anot akımı düşüş zaman aralığı süresince gerilim tepesi tepe değerini belirtilmiş bir değerde tutmak için , bu kaçak endüktans (şekil 2.4 ‘de Lσ ) minimumda tutulmalıdır . Kapı katot jonksiyonundaki aşırı miktardaki taşıyıcılar dışarı taşındığında ve jonksiyon geri tıkama yeteneğini tekrar elde ettiğinde , anot akım düşüş zamanı (t f i ) sona erer.

Kapı katot jonksiyonunun geri tıkama yeteneğini tekrar elde etmesiyle birlikte , kapı- katot gerilimi negatif değerlere artmaya başlar ve böylece negatif kapı akımı hızla azalmaya başlar (şekil 2.7). LG endüktansında endüklenen gerilim kapı akımının azalmasına izin vermez (akımı akmaya zorlar) ve kapı katot jonksiyonu primer devrilmeye (çığ olayı sonucu meydana gelen devrilme ) girer.Daha sonra , kapı-katot jonksiyonu bir zener diyot gibi çalışmaktadır.Bu süre içinde , diG/dt şöyle verilir:

[IMG]file:///C:/DOCUME%7E1/Yasin/LOCALS%7E1/Temp/msohtml1/01/clip_image056.gif[/IMG]

Bu primer devrilme kısa bir süre için düşünüldüğünde istenilir bir olaydır.Bu süre, tw2 , kapı-katot jonks